同时双波段图像传感器的制作方法

技术特征：
1.一种提供具有多个像素的同时双波段图像传感器的方法，包括：提供基板；在所述基板上形成公共接地；在所述公共接地层上形成波段1吸收层；在所述波段1吸收层上形成势垒层；在所述势垒层上形成波段2吸收层；通过将各个像素侧面上的所述波段2吸收层、所述势垒层和所述波段1吸收层蚀刻至所述公共接地层但不穿过所述公共接地层而使各个像素成网；穿过所述波段2吸收层和所述势垒层并且进入所述波段1吸收层但不穿过所述波段1吸收层而蚀刻环；在所述波段2吸收层的所述环的内侧的部分上形成第一触头；以及在所述波段2吸收层的所述环的外侧的部分上形成第二触头；其中，所述波段1吸收层是n型的，并且所述波段2吸收层是n型的；或者其中，所述波段1吸收层是p型的，并且所述波段2吸收层是p型的。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将第一偏置电压施加到所述第一触头；以及将第二偏置电压施加到所述第二触头；其中，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压极性相反。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述波段2吸收层的所述环的内侧的部分上形成第一触头以及在所述波段2吸收层的所述环的外侧的部分上形成第二触头包括：沉积钝化层；在所述钝化层中形成开口；以及沉积接触材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一触头和所述第二触头包括凸块。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环具有圆形、矩形或多边形形状。6.根据权利要求1所述的方法，其中，穿过所述波段2吸收层和所述势垒层并且进入所述波段1吸收层但不穿过所述波段1吸收层而蚀刻环还包括：在所述环的外侧蚀刻所述波段2吸收层和所述势垒层并且进入所述波段1吸收层但不穿过所述波段1吸收层，以在所述环的外侧形成多个子像素；以及在所述多个子像素中的每个相应子像素上形成相应触头。7.一种具有多个像素的同时双波段图像传感器，包括：基板；所述基板上的公共接地；其中，各个像素包括：所述公共接地层上的波段1吸收层；所述波段1吸收层上的势垒层；所述势垒层上的波段2吸收层；由所述波段2吸收层的被去除部分、所述势垒层的被去除部分和所述波段1吸收层的被
去除部分形成的所述像素中的环开口，其中，所述环开口不延伸穿过所述波段1吸收层；在所述波段2吸收层的环的内侧的部分上的第一触头；以及在所述波段2吸收层的环的外侧的部分上的第二触头；其中，所述波段1吸收层是n型的，并且所述波段2吸收层是n型的；或者其中，所述波段1吸收层是p型的，并且所述波段2吸收层是p型的。8.根据权利要求7所述的同时双波段图像传感器，还包括：具有第一偏置电压的所述第一触头；和具有第二偏置电压的所述第二触头；其中，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压极性相反。9.根据权利要求7所述的同时双波段图像传感器，其中，所述第一触头和所述第二触头包括凸块。10.根据权利要求7所述的同时双波段图像传感器，其中，所述环开口具有圆形、矩形或多边形形状。11.根据权利要求7所述的同时双波段图像传感器，还包括：通过去除所述波段2吸收层的一部分、所述势垒层的一部分和所述波段1吸收层的一部分但不穿过所述波段1吸收层而形成的所述环的外侧的多个子像素；和在所述多个子像素中的每个相应子像素上的相应触头。12.一种提供具有多个像素的同时双波段图像传感器的方法，包括：提供基板；在所述基板上形成公共接地；在所述公共接地层上形成波段1二极管层；在所述波段1二极管层上形成中间接触层；在所述中间接触层上形成波段2二极管层；通过将各个像素侧面上的所述波段2二极管层、所述中间接触层和所述波段1二极管层蚀刻至所述公共接地层但不穿过所述公共接地层而使各个像素成网；穿过所述波段2二极管层和所述中间接触层并且进入所述波段1二极管层但不穿过所述波段1二极管层而蚀刻环；在所述波段2二极管层的所述环的内侧的部分上形成第一触头；以及在所述波段2二极管层的所述环的外侧的部分上形成第二触头；其中，所述波段1二极管层包括在所述公共接地层上的第一n型层和在所述第一n型层上的第一p型层，所述波段2二极管层包括在所述中间接触层上的第二p型层和在所述第二p型层上的第二n型层，并且其中，在所述波段2二极管层的所述环的内侧的部分上形成第一触头以及在所述波段2二极管层的所述环的外侧的部分上形成第二触头包括：在所述第二n型层上形成所述第一触头和所述第二触头；或者其中，所述波段1二极管层包括在所述公共接地层上的第一p型层和在所述第一p型层上的第一n型层，所述波段2二极管层包括在所述中间接触层上的第二n型层和在所述第二n型层上的第二p型层，并且其中，在所述波段2二极管层的所述环的内侧的部分上形成第一触头和在所述波段2二极管层的所述环的外侧的部分上形成第二触头包括：在所述第二p型层上形成所述第一触头和所述第二触头。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：将第一偏置电压施加到所述第一触头；以及将第二偏置电压施加到所述第二触头；其中，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压极性相反。14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述波段2二极管层的所述环的内侧的部分上形成第一触头以及在所述波段2二极管层的所述环的外侧的部分上形成第二触头包括：沉积钝化层；在所述钝化层中形成开口；以及沉积接触材料。15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一触头和所述第二触头包括凸块。16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述环具有圆形、矩形或多边形形状。17.根据权利要求12所述的方法，其中，穿过所述波段2二极管层和所述中间接触层并且进入所述波段1二极管层但不穿过所述波段1二极管层而蚀刻环还包括：在所述环的外侧蚀刻所述波段2二极管层和所述中间接触层并且进入所述波段1二极管层但不穿过所述波段1二极管层，以在所述环的外侧形成多个子像素；以及在所述多个子像素中的每个相应子像素上形成相应触头。18.一种具有多个像素的同时双波段图像传感器，包括：基板；所述基板上的公共接地；其中，各个像素包括：在所述公共接地层上的波段1二极管层；在所述波段1二极管层上的中间接触层；在所述中间接触层上的波段2二极管层；由所述波段2二极管层的被去除部分、所述中间接触层的被去除部分和所述波段1二极管层的被去除部分形成的所述像素中的环开口，其中，所述环开口不延伸穿过所述波段1二极管层；在所述波段2二极管层的所述环的内侧的部分上的第一触头；以及在所述波段2二极管层的所述环的外侧的部分上的第二触头；其中，所述波段1二极管层包括在所述公共接地层上的第一n型层和在所述第一n型层上的第一p型层，所述波段2二极管层包括在所述中间接触层上的第二p型层和在所述第二p型层上的第二n型层，并且其中，所述第一触头和所述第二触头在所述第二n型层上；或者其中，所述波段1二极管层包括在所述公共接地层上的第一p型层和在所述第一p型层上的第一n型层，所述波段2二极管层包括在所述中间接触层上的第二n型层和在所述第二n型层上的第二p型层，并且其中，所述第一触头和所述第二触头在所述第二p型层上。19.根据权利要求18所述的同时双波段图像传感器，还包括：具有第一偏置电压的所述第一触头；和具有第二偏置电压的所述第二触头；其中，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压极性相反。
20.根据权利要求18所述的同时双波段图像传感器，其中，所述第一触头和所述第二触头包括凸块。21.根据权利要求18所述的同时双波段图像传感器，其中，所述环具有圆形、矩形或多边形形状。22.根据权利要求18所述的同时双波段图像传感器，还包括：通过去除所述波段2二极管层的一部分、所述中间接触层的一部分和所述波段1二极管层的一部分但不穿过所述波段1二极管层而形成的所述环的外侧的多个子像素；和在所述多个子像素中的每个相应子像素上的相应触头。

技术总结
一种具有多个像素的同时双波段图像传感器包括：基板；基板上的公共接地，其中，各个像素包括：公共接地层上的波段1吸收层；波段1吸收层上的势垒层；势垒层上的波段2吸收层；由波段2吸收层的被去除部分、势垒层的被去除部分和波段1吸收层的被去除部分形成的像素中的环开口，其中，环开口不延伸穿过波段1吸收层；在波段2吸收层的环的内侧的部分上的第一触头；以及在波段2吸收层的环的外侧的部分上的第二触头。波段1吸收层和波段2吸收层为n型，或者波段1吸收层和波段2吸收层为p型。段1吸收层和波段2吸收层为p型。段1吸收层和波段2吸收层为p型。


技术研发人员：明
受保护的技术使用者：HRL实验室有限责任公司
技术研发日：2020.01.30
技术公布日：2021/11/4