一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的方法与流程

技术特征：
1.一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的单电极直流结构，包括：一个具有若干加速单元的超导腔，所述超导腔为nb3sn薄膜生长的衬底结构；一根加热电极，所述加热电极的一端接正电极，另一端接负电极构成直流回路，所述加热电极贯通所述超导腔；锡源坩埚，所述超导腔的每一个加速单元内均放置有一个锡源坩埚，所述锡源坩埚为盛放锡金属颗粒的容器，所述锡源坩埚位于所述加热电极上；温度热偶，用于测量所述超导腔内的温度。2.根据权利要求1所述的单电极直流结构，其特征在于：所述加热电极位于所述超导腔的轴线位置；所述温度热偶位于所述超导腔的轴线位置。3.根据权利要求1或2所述的单电极直流结构，其特征在于：所述超导腔采用金属铌加工而成；所述金属铌的剩余电阻率≥40。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的单电极直流结构，其特征在于：所述锡源坩埚采用剩余电阻率≥40的纯金属铌或者纯度达到99.95％的高纯金属钨加工而成；所述锡源坩埚的数目与所述超导腔的加速单元的数目相同。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的单电极直流结构，其特征在于：所述加热电极为横截面为“u”型槽的薄壁金属直杆；所述加热电极采用剩余电阻率≥40的高纯金属铌或者纯度达到99.95％的高纯金属钨加工而成。6.根据权利要求5所述的单电极直流结构，其特征在于：所述锡源坩埚由固定挡片限定在所述加热电极的u型槽内；所述固定挡片采用剩余电阻率≥40的纯金属铌或者纯度达到99.95％的高纯金属钨加工而成。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的单电极直流结构，其特征在于：所述温度热偶能准确测量1200℃
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1500℃高温；所述温度热偶具体可为带钨保护管的钨铼热偶。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的单电极直流结构，其特征在于：首尾两端的所述加速单元均通过超导腔束流管道法兰与工装法兰连接；所述工装法兰的数量为两个，两个所述工装法兰与所述加热电极和所述温度热偶穿墙对接，以提供支撑结构。9.根据权利要求8所述的单电极直流结构，其特征在于：所述工装法兰采用剩余电阻率≥40的高纯金属铌或者纯度达到99.95％的高纯金属钨或铌钛合金加工而成；所述工装法兰的尺寸由所述超导腔束流管道法兰决定；所述工装法兰与所述超导腔束流管道法兰通过纯钨或纯铌紧固螺钉对接；所述加热电极与所述工装法兰之间采用陶瓷套进行电隔离；所述陶瓷套采用纯度达到99％的高纯陶瓷加工而成。10.一种采用权利要求1
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9中任一项所述的单电极直流结构在超导腔内部对锡源进行
局部加热的方法，包括：装配权利要求1
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9中任一项所述的单电极直流结构，将装配好的超导腔系统放入镀膜腔室，完成加热电源与加热电极之间的电连接、温度热偶引线和温度热偶的电连接后，关闭炉门，预抽真空，加热镀膜。

技术总结
本发明提供一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的方法。在超导腔内部对锡源进行局部加热的单电极直流结构包括：具有若干加速单元的超导腔，为Nb3Sn薄膜生长的衬底结构；一根加热电极，一端接正电极，另一端接负电极构成直流回路，贯通所述超导腔；锡源坩埚，所述超导腔的每一个加速单元内均放置有一个锡源坩埚，所述锡源坩埚位于所述加热电极上；温度热偶，用于测量所述超导腔内的温度。本发明能够对位于多加速单元超导腔内部的多个锡源进行局部加热，在每个加速单元内均实现超导腔与锡源的单独控温，使每一个加速单元均拥有相同的“超导腔


技术研发人员：杨自钦 何源 李世珍 李雪峰 吴安东 谢斌 初青伟 皇世春 谭腾
受保护的技术使用者：中国科学院近代物理研究所
技术研发日：2021.09.16
技术公布日：2021/11/2