电磁干扰EMI吸收体、雷达支架、汽车和汽车部件的制作方法

电磁干扰emi吸收体、雷达支架、汽车和汽车部件
技术领域
1.本公开涉及包括碳纳米管(例如，单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或碳纳米结构等)的电磁干扰(emi)减轻材料和emi吸收组合物。


背景技术：

2.本节提供了与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术。
3.诸如半导体、集成电路封装、晶体管等的电气部件通常具有预先设计的温度，电气部件在这些温度下最佳地操作。理想情况下，预先设计的温度接近周围空气的温度。但是电气部件的操作生成热。如果热不去除，则电气部件可能在显著高于其正常或可取的操作温度的温度下操作。这样过高的温度可能不利地影响电气部件的操作特性和相关装置的操作。
4.为了避免或至少减少来自热生成的不利操作特性，应该例如通过将来自操作电气部件的热传导到热沉来去除热。然后可通过传统对流和/或辐射技术来冷却热沉。在传导期间，热可通过电气部件与热沉之间的直接表面接触和/或通过电气部件和热沉表面经由中间介质或热界面材料(tim)的接触来从操作电气部件传递到热沉。与利用空气(相对差的热导体)填充间隙相比，可使用热界面材料来填充热传递表面之间的间隙以便增加热传递效率。
5.电子装置的工作在设备的电子电路内生成电磁辐射。这种辐射会导致电磁干扰(emi)或射频干扰(rfi)，该emi或rfi会干扰一定距离内的其他电子装置的操作。在没有充分屏蔽的情况下，emi/rfi干扰会引起重要信号的劣化或完全丢失，从而致使电子设备低效或不可操作。
6.减轻emi/rfi影响的常见解决方案是通过使用能够吸收和/或反射和/或重定向emi能量的屏蔽件。这些屏蔽件通常被采用来使emi/rfi位于其源内，并且隔离邻近emi/rfi源的其他装置。
7.本文所用的术语“emi”应当被认为总体上包括并指emi发射和rfi发射，并且术语“电磁”应当被认为通常包括并指来自外部源和内部源的电磁频率和射频。因此，(如这里所用的)术语屏蔽广泛地包括并指诸如通过吸收、反射、阻挡和/或重定向能量或其某一组合减轻(或限制)emi和/或rfi，使得emi和/或rfi例如对于电子部件系统的政府合规和/或内部功能不再干扰。


技术实现要素：

8.根据本发明的一个方面，提供了一种电磁干扰emi吸收体，其特征在于，该emi吸收体包括至少一个部分，所述至少一个部分包括：
9.在聚合物树脂内的碳纳米管；或者
10.在可注塑成型树脂内的碳黑、碳纳米管、或者碳黑和碳纳米管的组合。
11.在上述的emi吸收体中，所述至少一个部分包括所述emi吸收体的至少一个外表
面。
12.在上述的emi吸收体中，所述至少一个部分由在所述聚合物树脂或所述可注塑成型树脂内的单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、或者碳纳米结构制成。
13.在上述的emi吸收体中，所述至少一个部分由在所述聚合物树脂内的碳纳米结构制成。
14.在上述的emi吸收体中，所述聚合物树脂包括热塑性树脂。
15.在上述的emi吸收体中，所述热塑性树脂包括液体硅胶、氨基甲酸酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯和/或聚烯烃中的一种或更多种。
16.在上述的emi吸收体中，所述热塑性树脂包括聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯、热塑性硫化橡胶、热塑性弹性体和/或包括聚烯烃的混合物中的一种或更多种。
17.在上述的emi吸收体中，所述聚合物树脂包括聚丙烯和山都平热塑性硫化橡胶。
18.上述的emi吸收体的所述至少一个部分包括：
19.29.5体积百分比或更少的所述山都平热塑性硫化橡胶，69.5体积百分比或更多的所述聚丙烯，以及0.5体积百分比或更少的所述碳纳米结构；或
20.10体积百分比或更少的所述山都平热塑性硫化橡胶，89体积百分比或更多的所述聚丙烯，以及0.3体积百分比或更少的所述碳纳米结构。
21.在上述的emi吸收体中，所述聚合物树脂包括：
22.包含硅胶组分a和硅胶组分b的双组分硅胶组合物，所述硅胶组分a的重量百分比与所述硅胶组分b的重量百分比之比在1:1至10:1的范围内；或
23.包含氨基甲酸酯组分a和氨基甲酸酯组分b的双组分氨基甲酸酯组合物，所述氨基甲酸酯组分a的重量百分比与所述氨基甲酸酯组分b的重量百分比之比在1:1至10:1的范围内。
24.上述的emi吸收体的所述至少一个部分包括：
25.98至99重量百分比的所述聚合物树脂和2重量百分比或更少的所述碳纳米结构；或
26.1体积百分比或更少的所述碳纳米结构；或
27.0.5体积百分比或更少的所述碳纳米结构。
28.在上述的emi吸收体中，所述至少一个部分由在所述可注塑成型树脂内的碳纳米结构制成。
29.上述的emi吸收体的所述至少一个部分被配置为能够在40ghz至120ghz的频率、60ghz至90ghz的频率、以及70ghz至85ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。
30.上述的emi吸收体的所述至少一个部分被配置为能够在77ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。
31.上述的emi吸收体被注塑成型，使得所述emi吸收体具有整体的单件构造。
32.上述的emi吸收体包括具有矩形基部的emi吸收四棱锥结构，所述矩形基部被构造为使得相邻四棱锥结构的矩形基部彼此接触，在所述相邻四棱锥结构的矩形基部之间没有任何间隙或间隔距离。
33.上述的emi吸收体包括emi吸收棱锥结构、emi吸收非棱锥结构、emi吸收棱锥结构和emi吸收非棱锥结构的组合、或者包括具有预定或随机的不同高度的至少两个结构的emi
吸收结构。
34.在上述的emi吸收体中，所述emi吸收结构沿着所述emi吸收体的第一部分向外突出，并且织物沿着所述emi吸收体的第二部分，所述第二部分与所述emi吸收结构沿着向外突出的所述第一部分相反。
35.在上述的emi吸收体中：
36.所述织物包括阻燃间位芳香族聚酰胺材料或稀松编织聚合物织物；或
37.所述织物被配置为向所述emi吸收体提供增强和机械强度。
38.上述的emi吸收体是emi吸收片。
39.根据本发明的一个方面，提供了一种雷达支架，其特征在于，该雷达支架包括上述的emi吸收体。
40.上述的雷达支架被注塑成型，使得所述雷达支架具有整体的单件构造；或者，上述的雷达支架包括沿着所述雷达支架的至少一部分向外突出的emi吸收结构；或者，上述的雷达支架被注塑成型，使得所述雷达支架包括整体的单件构造，并且包括沿着所述雷达支架的至少一部分向外突出的emi吸收结构。
41.根据本发明的一个方面，提供了一种汽车，其特征在于，该汽车包括上述的雷达支架。
42.根据本发明的一个方面，提供了一种汽车部件，其特征在于，该汽车部件包括上述的emi吸收体。
43.根据本发明的一个方面，提供了一种汽车，其特征在于，该汽车包括上述的汽车部件。
44.根据本发明的一个方面，提供了一种热管理和emi减轻材料，该热管理和emi减轻材料包括上述的emi吸收体并且被配置为多功能的，具有emi减轻的第一功能和热管理的第二功能。
45.根据本发明的一个方面，提供了一种包括上述的emi吸收体的emi减轻材料，其中，该emi减轻材料包括由多个层限定的多层膜结构，所述多个层具有不同填料密度和/或浓度，或包括分散在所述层内的填料以在所述层内限定全厚度域或分隔的离散区域。
46.根据本发明的一个方面，提供了一种汽车部件，其特征在于，所述汽车部件包括emi吸收体，
47.其中，所述emi吸收体包括在可注塑成型树脂内的碳黑、碳纳米管、或者碳黑和碳纳米管的组合；或者，所述emi吸收体被配置为能够在40ghz至120ghz的频率、60ghz至90ghz的频率、以及70ghz至85ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作；并且
48.其中：
49.所述汽车部件是包括所述emi吸收体的雷达支架；或者
50.所述汽车部件由在所述可注塑成型树脂内的所述碳黑、所述碳纳米管、或者碳黑和碳纳米管的所述组合注塑成型，使得所述汽车部件具有整体的单件构造；或者
51.所述汽车部件是包括所述emi吸收体的雷达支架，所述emi吸收体由在所述可注塑成型树脂内的所述碳黑、所述碳纳米管、或者碳黑和碳纳米管的所述组合注塑成型，使得所述emi吸收体具有整体的单件构造。
52.在上述的汽车部件中，所述emi吸收体包括由在所述可注塑成型树脂内的单壁碳
纳米管、多壁碳纳米管、或碳纳米结构制成的至少一个部分。
53.在上述的汽车部件中，所述emi吸收体的所述至少一个部分由在所述可注塑成型树脂内的碳纳米结构制成。
54.上述的汽车部件包括具有矩形基部的emi吸收四棱锥结构，所述矩形基部被构造为使得相邻四棱锥结构的矩形基部彼此接触，在所述相邻四棱锥结构的矩形基部之间没有任何间隙或间隔距离。
55.上述的汽车部件包括emi吸收棱锥结构、emi吸收非棱锥结构、emi吸收棱锥结构和emi吸收非棱锥结构的组合、或者包括具有预定或随机的不同高度的至少两个结构的emi吸收结构。
56.在上述的汽车部件中，所述emi吸收结构沿着所述emi吸收体的第一部分向外突出，并且织物沿着所述emi吸收体的第二部分，所述第二部分与所述emi吸收结构沿着向外突出的所述第一部分相反。
57.在上述的汽车部件中，所述emi吸收体是emi吸收片。
58.上述的汽车部件是由在所述可注塑成型树脂内的所述碳黑、所述碳纳米管、或者碳黑和碳纳米管的所述组合注塑成型的雷达支架，使得该雷达支架具有整体的单件构造。
59.上述的汽车部件包括雷达支架，该雷达支架包括沿着所述雷达支架的至少一部分向外突出的emi吸收结构。
60.根据本发明的一个方面，提供了一种汽车，其特征在于，该汽车包括上述的汽车部件。
附图说明
61.这里所描述的附图仅用于例示所选实施方式而不是所有可能的实施，并且不旨在限制本公开的范围。
62.图1a、图1b、图1c、图1d、图1e示出根据示例性实施方式的材料的示例性棱锥图案。
63.图2a、图2b、图2c、图2d、图2e分别示出根据示例性实施方式的与在填充电介质体系中制造图案有关的示例性工艺的步骤。
64.图3示出根据示例性实施方式的具有全厚度域的包括嵌段共聚物膜的多层膜结构。
65.图4示出根据示例性实施方式的每层的填料密度在从顶层到底层的方向上增加的多层膜结构。
66.图5示出根据示例性实施方式的具有棱锥结构的填充电介质，其中棱锥结构中包括空气填充微气球、微球或微气泡。
67.图6示出包括棱锥结构、平坦化层和多层频率选择表面(fss)结构的示例性实施方式。
68.图7示出根据示例性实施方式的沿着板级屏蔽件(bls)的一部分的棱锥结构。
69.图8示出根据示例性实施方式的沿着bls的一部分的棱锥结构，其中一个或更多个棱锥结构具有与一个或更多个其它棱锥结构不同的尺寸(例如，随机化或非随机化高度不同等)。
70.图9示出根据示例性实施方式的沿着bls的一部分的棱锥结构，其中棱锥结构中包
括空气填充微气球、微球或微气泡，以例如用于减小棱锥结构的介电常数。
71.图10示出根据示例性实施方式的沿着bls的一部分的棱锥结构，其中至少一个或更多个棱锥结构是多层的并且每层的填料密度在从顶层到底层的方向上增加。
72.图11示出根据示例性实施方式的bls以及沿着bls顶部和侧壁的内表面的棱锥结构，其中棱锥结构在大致朝着基板上的部件(例如，印刷电路板(pcb)上的集成电路(ic)等)的方向上从bls顶部和侧壁向内突出。
73.图12示出根据示例性实施方式的bls以及沿着bls顶部和侧壁的外表面的棱锥结构，其中棱锥结构在大致远离pcb部件的方向上从bls顶部和侧壁向外突出。
74.图13示出根据示例性实施方式的bls以及沿着bls顶部和侧壁的棱锥结构，其中棱锥结构沿着分别在大致朝着和大致远离pcb部件的相反方向上向外和向内突出的bls顶部和侧壁的外表面和内表面二者。
75.图14示出根据示例性实施方式的沿着bls的一部分的非棱锥结构和棱锥结构二者。
76.图15示出根据示例性实施方式的沿着bls的一部分的非棱锥结构。
77.图16示出根据示例性实施方式的外装置壳体，其包括被配置为提供导电体、波导、emi吸收体、热界面材料(tim)和电介质中的一个或更多个的多层膜和/或超材料。
78.图17示出根据示例性实施方式的在两个pcb之间的插置物，其包括被配置为提供导电体、波导、emi吸收体、热界面材料(tim)和电介质中的一个或更多个的多层膜和/或超材料。
79.图18示出根据示例性实施方式的集成电路(ic)封装，其包括被配置为提供导电体/互连、波导、emi吸收体、热界面材料(tim)和电介质中的一个或更多个的多层膜和/或超材料。
80.图19示出根据示例性实施方式的多层频率选择表面(fss)结构，其包括导电、emi吸收和/或超材料元件的图案。
81.图20示出根据示例性实施方式的超材料tim，其被配置为可操作以用于提供导热热路并且用于大致朝着反射器引导毫米波信号。
82.图21a和图21b示出根据示例性实施方式的包括可通过图2a、图2b、图2c、图2d、图2e所示的工艺制成的填充电介质棱锥结构的示例柔性材料。
83.图22是根据示例性实施方式的bls的一个侧壁由emi吸收材料或吸收体制成的板级屏蔽件(bls)的透视图。
84.图23是示出图22中的板级屏蔽件的总辐射功率的仿真降低(分贝(db))对频率(吉赫兹(ghz))的线图，其中吸收体的位置在两种情况下随最大总辐射功率降低的频率偏移而不同。
85.图24示出根据示例性实施方式的沿着限定空腔或腔室的装置部件的外部的emi吸收棱锥结构。
86.图25示出根据示例性实施方式的emi吸收体的棱锥结构。
87.图26是包括0.5体积％(vol％)的碳纳米结构的组合物的反射损耗(分贝(db))对频率(吉赫兹(ghz))的线图。为了比较，图26还包括包含10vol％的碳黑的组合物和包括50vol％的碳化硅(sic)的组合物的反射损耗。
88.贯穿附图的若干示图，对应标号可指示对应(但未必相同)部分。
具体实施方式
89.现在将参照附图充分地描述示例实施方式。
90.如本文中认识到的，发送能量的系统可经历反射回发送机的干扰。这些不想要的反射可干扰其它系统。可使用具有磁性或介电填料的emi吸收体来降低反射水平。耐候室外emi吸收体材料的典型反射率降低可为-20分贝(db)，这将消除约99％的反射。频率为77吉赫兹(ghz)和90ghz的传统宽带毫米波emi吸收体可包括诸如碳黑和/或碳化硅的介电填料，其具有至多20体积％(vol％)的非常高的装载量，以达到-20db反射损耗。但是以这样高的填料装载量制造往往困难，特别是当制造具有相对精细的棱锥图案的emi吸收片时。
91.因此，本文公开了包括碳纳米管的emi减轻材料(例如，emi吸收体、导热emi吸收体等)的示例性实施方式。碳纳米管可包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或包括交联碳纳米管结构的支化网络的碳纳米结构。例如，示例性实施方式可包括包含碳纳米管的宽带毫米波emi吸收体。
92.示例性实施方式可包括相对低的填料装载量(例如，0.1体积％至0.5体积％那么低)的碳纳米结构(cns)以及其它高导电涂布、支化和交联的碳纳米管结构等。在这样低的填料装载量水平下，cns填料可在液体硅胶或其它热固性材料基质中充分混合以给予低粘度。低粘度混合物可允许混合物容易地被倾倒或浇铸成被配置为可在约40吉赫兹(ghz)至约120ghz的频率和/或约60ghz至约90ghz的频率和/或约70ghz至约85ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗(例如，大于20db的反射损耗等)操作的形状或图案(例如，棱锥结构的图案等)。
93.在示例性实施方式中，例如通过使用离心混合机等将cns材料在液体硅胶或热固性材料中以约0.1vol％至约1.0vol％的范围内的低浓度混合。组合物或混合物为低粘度，并且可容易地倾倒或浇铸到模具中以制成与诸如图26所示具有高装载量的碳黑(例如，10vol％等)或碳化硅(sic)(例如，50vol％等)的组合物相比产生相似或更好的结果的棱锥图案零件。有利地，在一些示例性实施方式中低填料装载量水平的cns(例如，约0.1vol％至约1.0vol％等)产生低粘度以与较高填料装载量水平相比更易于制造且成本更低。
94.在示例性实施方式中，emi吸收体包括在聚合物树脂内的碳纳米管。emi吸收体可操作以用于吸收噪声和/或用于反射信号，从而阻止信号穿过emi吸收体通过或传输。
95.在示例性实施方式中，汽车部件(例如，雷达支架等)包括emi吸收体，其包括在可注塑成型树脂内的碳黑和/或碳纳米管，和/或被配置为在约40吉赫兹(ghz)至约120ghz的频率和/或约60ghz至约90ghz的频率和/或约70ghz至约85ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。emi吸收体可操作以用于吸收噪声和/或用于反射信号，从而阻止信号穿过汽车部件通过或传输。
96.在示例性实施方式中，可注塑成型emi吸收体的组合物包括在可注塑成型树脂内的碳黑和/或碳纳米管。该组合物可操作以用于吸收噪声和/或用于反射信号，从而阻止信号穿过组合物通过或传输。
97.在示例性实施方式中，emi吸收体的组合物包括在聚合物树脂内的碳纳米管。该组合物可操作以用于吸收噪声和/或用于反射信号，从而阻止信号穿过组合物通过或传输。碳
纳米管可包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或包括交联碳纳米管结构的支化网络的碳纳米结构中的一种或更多种。
98.树脂可包括热塑性树脂。碳纳米管可包括在热塑性树脂内的单壁碳纳米管、在热塑性树脂内的多壁碳纳米管和/或在热塑性树脂内的包括交联碳纳米管结构的支化网络的碳纳米结构。热塑性树脂可包括液体硅胶、氨基甲酸酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯和/或聚烯烃中的一种或更多种。在一些示例性实施方式中，热塑性树脂包括聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯、热塑性硫化橡胶、热塑性弹性体和/或包括聚烯烃的混合物中的一种或更多种。
99.树脂可包括可注塑成型树脂。碳纳米管可包括在可注塑成型树脂内的单壁碳纳米管、在可注塑成型树脂内的多壁碳纳米管和/或在可注塑成型树脂内的包括交联碳纳米管结构的支化网络的碳纳米结构。
100.树脂可包括聚丙烯和山都平热塑性硫化橡胶，并且碳纳米管可包括碳纳米结构。例如，示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可包括约29.5体积％或更少的山都平热塑性硫化橡胶、约69.5体积％或更多的聚丙烯以及约0.5体积％或更少的碳纳米结构。作为另一示例，示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可包括约10体积％或更少的山都平热塑性硫化橡胶、约89体积％或更多的聚丙烯以及约0.3体积％或更少的碳纳米结构。
101.树脂可包括双组分硅胶组合物，其包括硅胶组分a和硅胶组分b。硅胶组分a的重量百分比与硅胶组分b的重量百分比之比可在约1:1至约10:1的范围内。
102.树脂可包括双组分氨基甲酸酯组合物，其包括氨基甲酸酯组分a和氨基甲酸酯组分b。氨基甲酸酯组分a的重量百分比与氨基甲酸酯组分b的重量百分比之比可在约1:1至约10:1的范围内。
103.树脂可包括硅胶或氨基甲酸酯树脂。示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可包括约99.4重量％的硅胶或氨基甲酸酯树脂以及在硅胶或氨基甲酸酯树脂内的约0.6重量％的碳纳米管。
104.示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可包括约98至约99重量％的树脂以及约2重量％或更少的碳纳米管。示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可包括约1体积％或更少的碳纳米管。
105.示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可被配置为可在约40吉赫兹(ghz)至约120ghz的频率和/或约60ghz至约90ghz的频率和/或约70ghz至约85ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。
106.示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可包括约0.5体积％或更少的碳纳米管。
107.示例性实施方式(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)可被配置为可在约77ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。
108.在示例性实施方式中(例如，组合物、emi吸收体、汽车部件等)，一种或更多种填料和/或添加剂在树脂内。这一种或更多种填料和/或添加剂可包括一种或更多种颜料、增塑剂、加工助剂、阻燃剂、增量剂、增粘剂、emi吸收填料、导电填料和/或磁性颗粒。
109.emi吸收体(例如，emi吸收片、汽车部件、注塑成型的emi吸收体、emi吸收汽车部件、emi吸收雷达支架等)可包括本文所公开的组合物和/或由本文所公开的组合物制成(例
如，注塑成型等)。例如，emi吸收体可由该组合物注塑成型，使得emi吸收体具有整体的单件构造。作为另一示例，emi吸收体可以是由该组合物制成的emi吸收片。
110.emi吸收体可包括包含该组合物的emi吸收结构的图案。emi吸收结构可包括四棱锥结构，其包括矩形基部，该矩形基部被构造为使得相邻四棱锥结构的矩形基部彼此接触，在相邻四棱锥结构的矩形基部之间基本上没有任何间隙或间隔距离。emi吸收结构的图案可包括棱锥结构的图案、非棱锥结构的图案、包括棱锥结构和非棱锥结构的组合的图案和/或包括具有预定或随机的不同高度的至少两种结构的结构的图案。emi吸收结构可沿着emi吸收体的第一部分向外突出。织物可沿着与emi吸收结构沿其向外突出的第一部分相反的emi吸收体的第二部分。织物可包括阻燃间位芳香族聚酰胺材料和/或稀松编织聚合物织物中的一种或更多种；和/或织物可包括沿着emi吸收体的第二部分的织物层；和/或织物可被配置为向emi吸收体提供增强和机械强度。
111.雷达支架可由本文所公开的组合物注塑成型。emi吸收雷达支架可包括本文所公开的组合物和/或由本文所公开的组合物制成(例如，注塑成型等)。emi吸收雷达支架可被配置为可相对于雷达装置定位，在该处反射损耗改变了雷达装置周围的辐射。雷达支架可包括emi吸收结构的图案，其包括本文所公开的组合物和/或由本文所公开的组合物制成(例如，注塑成型等)。emi吸收结构可沿着雷达支架的至少一部分向外突出。汽车部件可包括本文所公开的组合物和/或由本文所公开的组合物制成(例如，注塑成型等)。汽车可包括本文所公开的汽车部件和/或雷达支架。
112.热管理和emi减轻材料可包括本文所公开的组合物。热管理和emi减轻材料可被配置为多功能的，具有emi减轻的第一功能和热管理的第二功能。例如，热管理和emi减轻材料可被配置为可在约40吉赫兹(ghz)至约120ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作，并且具有高热导率(例如，在约1w/mk(瓦/米/开尔文)至约10w/mk等的范围内)。
113.emi减轻材料可包括本文所公开的组合物。例如，emi减轻材料可包括由具有不同填料密度和/或浓度的多个层限定的多层膜结构。作为另一示例，emi减轻可包括由多个层限定的多层膜结构，其包括分散在层内的填料以限定全厚度域和/或层内的分隔离散区域。
114.在示例性实施方式中，一种制备用于emi吸收体的组合物的方法包括：将碳纳米管混合在聚合物树脂中，使得组合物包括少于1体积％的碳纳米管。该组合物可操作以用于吸收噪声和/或用于反射信号，从而阻止信号穿过组合物通过或传输。例如，该组合物可在约40吉赫兹(ghz)至约120ghz的频率和/或约60ghz至约90ghz的频率和/或约70ghz至约85ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。该组合物可在约77ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作。该组合物可被配置为多功能的，具有emi减轻的第一功能和热管理的第二功能。例如，该组合物可被配置为在约40吉赫兹(ghz)至约120ghz的频率下以大于15分贝的反射损耗操作，并且具有高热导率(例如，在约1w/mk(瓦/米/卡尔文)至约10w/mk等的范围内)。该组合物可包括约0.5体积％或更少的碳纳米管。碳纳米管可包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或包括交联碳纳米管结构的支化网络的碳纳米结构。聚合物树脂可包括液体硅胶和/或热固性材料基质。
115.该方法可包括将碳纳米管混合到复合的液体硅胶和/或热固性材料基质中，使得组合物包括量在约0.1体积％至约0.5体积％的范围内的碳纳米管。
116.该方法可包括将组合物倾倒或浇铸到模具中，并且将组合物成型为具有emi吸收
体的图案的成型零件。emi吸收体可包括沿着成型零件的至少一侧向外突出并且包括矩形基部的四棱锥结构，其被配置为使得相邻四棱锥结构的矩形基部彼此接触，而在相邻四棱锥结构的矩形基部之间基本上没有任何间隙或间隔距离。将组合物成型为成型零件可包括将组合物注塑成型为雷达支架。
117.本文还公开了膜(例如，多层嵌段共聚物膜、均质嵌段共聚物膜、单层嵌段共聚物膜等)和图案化材料(例如，卷对卷可图案化聚合物等)的示例性实施方式，其可具有受控和/或特制的性能(例如，热管理、电磁干扰(emi)减轻、电导率、热导率、emi吸收、磁、介电和/或结构性能等)。还公开了用于制备这样的多层膜、图案化材料和单层/均质膜的系统和方法的示例性实施方式。还公开了热管理和/或emi减轻材料、板级屏蔽件和装置的示例性实施方式。例如，电子装置(例如，智能电话、智能手表、5g封装天线(aip)等)可包括本文所公开的多层膜、图案化材料、单层/均质膜、板级屏蔽件和/或热管理和/或emi减轻材料中的一种或更多种。
118.在示例性实施方式中，材料包括结构的图案(例如，棱锥结构的图案、层次图案、非棱锥结构的图案、钟形结构的图案、其组合等)。材料可包括填充电介质，例如填充有碳黑和/或碳纳米管(例如，单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或碳纳米结构等)的聚二甲基硅氧烷、填充嵌段共聚物体系、填充弹性体系(例如，固化弹性体、热塑性弹性体(tpe)、山都平热塑性硫化橡胶等)、填充热塑性体系(例如，液体硅胶、氨基甲酸酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚烯烃、聚对苯二甲酸丁二醇酯、热塑性硫化橡胶、热塑性弹性体、包括聚烯烃、丙烯腈丁二烯苯乙烯(abs)、聚丙烯(pp)、聚乙烯(pe)的混合物等)、填充有单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或碳纳米结构的可注塑成型和/或聚合物树脂等。结构图案可包括棱锥结构的图案(例如，四棱锥、具有矩形基部的截头棱锥、图1a、图1b、图1c、图1d、图1e所示的棱锥结构等)、非棱锥结构、或者棱锥结构和非棱锥结构的组合。
119.现在参照附图，图1a、图1b、图1c、图1d、图1e示出根据示例性实施方式的用于材料(例如，膜、层等)的示例性棱锥图案100。仅出于例示目的而提供示例尺寸(厘米(cm))。其它示例性实施方式可包括与图1a、图1b、图1c、图1d、图1e所示不同的图案，例如非棱锥结构的图案、具有不同尺寸的结构、不同图案或布局的结构、棱锥结构和非棱锥结构的组合等。
120.图2a、图2b、图2c、图2d、图2e分别示出根据示例性实施方式的与在填充电介质体系(例如，填充有碳黑和/或碳纳米管的聚二甲基硅氧烷(pdms)、填充嵌段共聚物体系、填充弹性体系、填充热塑性体系、填充有碳纳米管的可注塑成型树脂、填充有碳纳米管的聚合物树脂等)中制造图案(例如，图1a、图1b、图1c、图1d、图1e所示的棱锥图案、非棱锥图案、其组合等)有关的示例性工艺200的步骤。通常，该示例性工艺包括计算机设计以对零件、3d打印或增材制造进行建模以创建建模的零件，针对最终性质(例如，光泽度等)精修3d打印零件，使用3d打印零件创建模具，并使用模具(例如，经由浇铸、注塑成型等)在填充电介质体系中创建包括图案的材料。
121.第一步骤201(图2a)包括计算机设计以对零件进行建模。3d零件的计算机建模，例如通过使用计算机辅助设计(cad)等。第二步骤202(图2b)包括基于来自建模的零件的计算机设计的信息对建模的零件进行3d打印或增材制造(例如，熔融沉积成型(fdm)、立体光刻(sla)、激光直接构造(lds)等)。然后，3d打印零件(例如，3d打印热塑性凸母版等)可经历后处理，例如去除多余材料、后固化、为哑光或光泽精修而施加表面层等。
122.第三步骤203(图2c)包括使用3d打印零件来复制模具(例如，弹性体等)。例如，可使用3d打印零件以各种方式将图案复制到凹模中。例如，可使用3d打印零件将图案复制到经由熔融沉积成型、立体光刻等由聚二甲基硅氧烷(pdms)制成的凹模中。凹模可被表面处理，例如具有脱模层(例如，自组装单层、其它阻隔或脱模层等)以便易于脱模、紫外线(uv)玻璃化、气相硅烷化等。
123.作为另一示例，可使用正面光聚合和可聚合光刻胶来例如从刚性硫醇-烯图案等创建凹pdms模具。作为另一示例，可使用cnc(计算机数控)铣削来创建金属(例如，铝等)凹模。另一示例包括使用硫醇-烯作为光学粘合剂的正面光聚合方法，该光学粘合剂在pdms模具上在处于连续工艺的传送带(例如，被配置为在固化期间经过uv灯下方若干次等)上的同时在uv灯下固化。附加示例包括将图案复制到热固性材料中以提供模具，可从其进一步复制零件(例如，热固性材料、热塑性材料、弹性体等)。
124.第四步骤204(图2d)包括使用凹模创建由pdms和碳黑制成的零件。例如，此第四步骤204可在从3d打印母版(凸图案)制造反pdms模具(凹图案)之后执行。在此第四步骤204中，凹模用作在填充电介质(例如，填充有碳黑的pdms、填充有碳纳米管的可注塑成型树脂、填充有碳纳米管的聚合物树脂等)中制造图案(例如，棱锥图案、其它几何图案等)的起点。pdms和碳黑的混合物(或其它填充电介质体系)可被施加(例如，倾倒等)到凹模上，然后经历脱气和烘箱固化，然后从凹模移除(例如，剥离等)pdms/碳黑零件。
125.第五步骤205(图2e)可包括测试成型的pdms和碳黑零件。例如，可分析在成型零件上制造的图案的高度和宽度。或者，例如，成型零件可经历反射率测试。作为另一示例，凹pdms模具可经历耐久性测试以确定在从单个模具浇铸多个零件之后高度和图案保真度开始变差之前，可利用单个模具创建多少成型零件(例如，至少20个填充弹性体零件等)。
126.在替代示例性实施方式中，可另选地或另外地使用其它工艺来在填充电介质体系中制备具有图案的材料。示例工艺包括卷对卷工艺，例如用于连续图案复制的卷对卷可图案化聚合物工艺、包括多个喷嘴以用于将材料同时分配到膜或层上的卷对卷工艺等。其它示例工艺包括挤出、帘式涂布、3d打印或增材制造(例如，熔融沉积成型、立体光刻、利用成型的激光直接构造等)、利用光掩模和/或利用软母版的正面光聚合、cnc(计算机数控)铣削、注塑或压缩成型(例如，使用热固性模具等)、软成型(例如，使用预成型(交联)的pdms模具等)、带有传送带热塑性复制的uv系统、热固性母版、带有软母版的硫醇-烯、喷墨(例如，将电介质喷墨到金属上以用于绝缘等)、丝网印刷、喷涂、离散层的激光焊接(例如，在不同的层中不同的深度等)、将聚酰亚胺膜激光图案化以允许镀覆(例如，对fss元件的镀覆等)、浇铸、注塑成型、轧制/形成工艺、设计中包含棱锥表面的集成零件等。
127.在示例性实施方式中，3d打印模具插件可连同压缩或注塑成型工艺一起使用。可在真空烘箱中执行图案制造。例如，可将3d打印母版放置在金属片上。然后，通过压缩成型制成的平坦复合片(例如，填充有碳黑的聚己内酯等)可被放置到3d打印母版上并被支架包围。重物(例如，金属块等)可被放置在复合片的顶部。利用复合片顶上的重物的重力在复合片中从3d打印母版的凹图案创建图案。材料在烘箱中被加热，然后从烘箱被取出。允许材料冷却，然后将复合材料与3d打印母版分离。
128.在示例性实施方式中，可使用卷对卷工艺在填充电介质体系中制备具有图案的材料。该工艺可包括使为了良好或令人满意的性能而具有足够颗粒装载量的自图案化嵌段共
聚物卷对卷自对准。图案化的pdms带可连同加热板(可以是隧道烘箱等)一起用于图案化。图案化的pdms带可包括多个凹图案化(例如，硅胶等)的部分，其端部利用pdms结合或接合在一起。pdms可沿着凹图案化部分的端部之间的接头固化。图案化的pdms带缠绕在辊上。辊可间隔开足够的距离以避免图案化的pdms带下垂。
129.在卷对卷工艺期间，pdms和碳黑(或其它填充电介质体系)的未固化混合物的载体(例如，带有脱模层的铝载体等)横跨加热板移动。图案化的pdms带接触pdms和碳黑的未固化混合物。在与图案化的pdms带足够量的接触时间以允许模具填充完成之后，该工艺可开始使pdms和碳黑的未固化混合物固化。然后，可将固化的pdms和碳黑零件从图案化的pdms带和载体移除(例如，剥离等)。
130.在示例性实施方式中，可使用逐步沉积工艺沿着材料提供图案(例如，图1a、图1b、图1c、图1d、图1e所示的棱锥图案、非棱锥图案、其组合等)。在此示例性实施方式中，该工艺可包括将材料(例如，导热、导电、emi吸收、磁性和/或介电材料等)逐步沉积到功能载体膜上。功能载体膜可包括填充电介质体系，例如填充有碳黑的聚二甲基硅氧烷(pdms)、填充嵌段共聚物体系、填充弹性体系(例如，固化弹性体、热塑性弹性体(tpe)、山都平热塑性硫化橡胶等)、填充热塑性体系(例如，液体硅胶、氨基甲酸酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚烯烃、聚对苯二甲酸丁二醇酯、热塑性硫化橡胶、热塑性弹性体、包括聚烯烃、丙烯腈丁二烯苯乙烯(abs)、聚丙烯(pp)、聚乙烯(pe)的混合物等)、填充有碳纳米管的可注塑成型树脂、填充有碳纳米管的聚合物树脂等。功能载体膜可包括kapton聚酰亚胺膜、mylar聚酯膜、可用于立体光刻(sla)打印的热塑性膜等。
131.在示例性实施方式中，可通过喷涂、印刷、增材制造等将材料沉积或以其它方式施加到功能载体膜上。例如，可通过将第一层的材料(例如，导电和/或导热墨水等)激光喷射打印到功能载体膜上来将材料施加到功能载体膜。可将相同或不同材料的第二层激光喷射打印到第一层的顶部。这可作为添加了激光喷射打印机的卷对卷工艺的一部分执行。
132.在示例性实施方式中，膜或层上可设置有不同厚度或高度的材料，以适应较短和较高的pcb部件的高度变化。例如，可使用增材制造工艺沿着多层膜结构的底层施加不同厚度的导热材料，使得当多层膜结构被安装在pcb部件上方时，较厚和较薄的导热材料部分将分别被设置在较短和较高的pcb部件的顶表面上方并与之压缩接触。作为另一示例，可使用增材制造沿着较短pcb部件的顶表面施加导热材料，从而增加较短部件加导热材料的总高度。
133.在示例性实施方式中，多层膜结构的底部膜或层可被配置为例如经由粘性、粘合剂、机械附接等允许多层膜结构可移除地与pcb分离并重新附接到pcb。例如，多层膜结构可附接到pcb，从pcb被移除(例如，以便于访问pcb部件等)，并重新附接到pcb，而不会损坏(例如，不会切割、不会拉伸变形等)多层膜结构。
134.上述工艺可用于提供不同结构形状(例如，四棱锥、棱锥结构、非棱锥结构、其组合等)的各种各样的图案，包括图5至图15所示的结构的示例性图案。结构的图案也可通过其它合适的工艺提供。例如，结构的图案可包括多层膜、单层膜或者如本文所公开具有为特定性能特制的全厚度域的均质层/膜。或者，例如，结构的图案可包括超材料。
135.在示例性实施方式中，多层膜(广义地，多层结构)包括具有全厚度域的多个嵌段共聚物膜或层。作为示例，嵌段共聚物可包括聚苯乙烯-聚乙烯嵌段共聚物(例如，聚苯乙
烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(ps-b-peo)等)、聚苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(例如，聚苯乙烯和聚(甲基丙烯酸甲酯)(ps-pmma)等)、苯乙烯-二烯嵌段共聚物(例如，苯乙烯-丁二烯(sb)二嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(sbs)三嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯(sis)三嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯(sb)星形嵌段共聚物等)、氢化苯乙烯-二烯嵌段共聚物(例如，氢化sbs苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯等)、分段嵌段共聚物(例如，分段聚酯-聚醚、分段聚酰胺-聚醚等)、聚烯烃嵌段共聚物、环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物、硅胶共聚物体系(例如，硅氧烷/聚砜共聚物、硅氧烷/聚氨酯、硅氧烷/聚脲共聚物、硅氧烷/聚酰胺共聚物、硅氧烷/聚酰亚胺共聚物、硅氧烷/聚酰胺/聚酰亚胺共聚物、硅氧烷/聚酯共聚物、硅氧烷/聚碳酸酯共聚物、硅氧烷/聚苯乙烯共聚物、硅氧烷/环氧树脂网络等)、硬嵌段共聚物、其它嵌段共聚物和/或其组合。在示例性实施方式中，嵌段共聚物膜或层包括聚苯乙烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(ps-b-peo)和/或聚苯乙烯和聚(甲基丙烯酸甲酯)(ps-pmma)，但在其它示例性实施方式中可使用其它嵌段共聚物。
136.可将特定填料优先添加到域，从而增强嵌段共聚物膜的该域的特性。在本文所公开的示例性实施方式中，将一种或更多种填料添加到多个嵌段共聚物膜的域，从而针对特定性能(例如，热管理、电磁干扰(emi)减轻、电导率、热导率、emi吸收、磁性、介电和/或结构性能等)特制多个嵌段共聚物膜的域。
137.具有特制域的多个嵌段共聚物膜可被组装(例如，层压、层叠等)成多层结构(例如，层压结构等)。多层结构可通过卷对卷工艺、旋转浇铸、挤出、帘式涂布、3d打印、增材制造(例如，熔融沉积成型(fdm)、立体光刻(sla)、激光直接构造(lds)等)、成型等来制造。
138.在示例性实施方式中，可使用填料(例如，功能纳米颗粒、镍钴、氮化硼、涂布的填料颗粒等)的垂直取向控制和偏向分离/分散来特制各个膜或层的全厚度域以具有特定电、热、磁、介电和/或结构性能。通过控制多个膜或层内的域大小、形状和结构，域可被配置为创建图案(例如，基于各个层中的图案的宏观图案或层次图案等)或梯度(例如，按填料装载量横跨多层嵌段共聚物膜/层的域构建的阻抗梯度等)等。
139.域可被配置为使得多个层具有不同的功能。一个层内的域可与一个或更多个其它层的域不同或相同地配置(例如，针对受控性能等)。
140.多个膜或层可彼此不同地配置。例如，膜或层可具有不同的厚度，可包括不同的填料(例如，不同的材料、大小和/或形状等)，可由不同的基础或基质材料制成，可具有不同配置的域(例如，特制为具有不同的功能、不同的大小、不同的位置等)等。
141.例如，多层膜结构可包括多个膜或层，其中的至少一个或更多个包括与至少一个或更多个其它膜或层不同的基础或基质材料和/或不同类型的填料。在此示例中，多层膜结构可包括第一膜或层，其包括第一基础或基质材料和第一类型的填料(例如，导热填料等)。多层膜结构还可包括第二膜或层，其包括不同于第一基础或基质材料的第二基础或基质材料以及不同于第一类型的填料的第二类型的填料(例如，导电和/或emi吸收填料等)。
142.替代示例性实施方式可包括作为均质或单层结构和/或未分隔的嵌段共聚物的聚合物膜/层。例如，均质或单层膜结构可包括在均质或单层膜结构内彼此间隔开以具有特定电、热、磁、介电和/或结构性能的特制全厚度域。可使用填料(例如，功能纳米颗粒、镍钴、氮化硼、涂布的填料颗粒等)的垂直取向控制和偏向分离/分散来间隔开并特制均质或单层膜结构内的全厚度域。通过控制均质或单层膜结构内的域大小、形状和结构，域可被配置为创
建图案(例如，基于各个层中的图案的宏观图案或层次图案等)或梯度(例如，按填料装载量横跨各个层的域构建的阻抗梯度等)等。域可被配置为使得均质或单层膜结构的不同的间隔开的部分具有不同的功能。均质或单层膜结构的第一和第二间隔开的部分内的域可彼此不同或相同地配置(例如，针对受控性能等)。
143.图3示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式的多层膜结构300。如所示，多层膜结构300包括四个膜或层302、304、306、308以及这四个层中的每一个中的全厚度域310、312、314、316。在替代实施方式中，多层膜结构可不同地配置，例如具有多于或少于四个层、更多或更少的全厚度域等。
144.各个层内的域可被特制为具有特定特性、性质、功能和/或性能(例如，电、热、磁、介电和/或结构等)。作为示例，第一或顶层302中的域310可被配置用于热性能。相应第二层304和第三层306中的域312、314可被配置用于emi减轻(例如，导电、emi吸收、磁等)。第四或底层308中的域316可被配置用于介电性能。
145.各个层中的域可创建该各个层所特制或独特的图案。各个层的图案可协作以在多层膜结构中限定或创建宏观图案(例如，穿过其厚度等)。例如，一个层的域可与另一层的域垂直对准和/或至少部分交叠，使得层内垂直对准和/或至少部分交叠的域协作以限定垂直穿过层的厚度的通路(例如，导电和/或导热通路、通孔、柱等)。
146.在示例性实施方式中，不同层的域可包括垂直对准的导热和/或导电填料，其创建穿过不同层的垂直全厚度传导通路。例如，可创建具有相对高的热导率的热通路，其可足够高以即使多层膜结构具有相对高的接触电阻也提供良好性能。根据多层膜结构的接触电阻，为了降低接触电阻和更好的热性能，可添加相对薄、柔软且适形的导热层。
147.嵌段共聚物可用作图3所示的四个膜302、304、306、308中的一个或更多个的基础或基质材料320。例如，聚苯乙烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(ps-b-peo)可用作多层膜结构300的仅一个、两个、三个或所有膜的基础或基质材料320。或者，例如，聚苯乙烯和聚(甲基丙烯酸甲酯)(ps-pmma)可用作多层膜结构300的仅一个、两个、三个或所有膜的基础或基质材料320。可相反选择不同的聚合物，以允许比利用聚苯乙烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(ps-b-peo)和/或聚苯乙烯和聚(甲基丙烯酸甲酯)(ps-pmma)可实现的域大小更大的域大小。在其它实施方式中，不同的基础或基质材料可用于一个或更多个膜，例如聚苯乙烯-聚乙烯嵌段共聚物、另一聚苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物、苯乙烯-二烯嵌段共聚物(例如，苯乙烯-丁二烯(sb)二嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(sbs)三嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯(sis)三嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯(sb)星形嵌段共聚物等)、氢化苯乙烯-二烯嵌段共聚物(例如，氢化sbs苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯等)、分段嵌段共聚物(例如，分段聚酯-聚醚、分段聚酰胺-聚醚等)、聚烯烃嵌段共聚物、环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物、硅胶共聚物体系(例如，硅氧烷/聚砜共聚物、硅氧烷/聚氨酯、硅氧烷/聚脲共聚物、硅氧烷/聚酰胺共聚物、硅氧烷/聚酰亚胺共聚物、硅氧烷/聚酰胺/聚酰亚胺共聚物、硅氧烷/聚酯共聚物、硅氧烷/聚碳酸酯共聚物、硅氧烷/聚苯乙烯共聚物、硅氧烷/环氧树脂网络等)、硬嵌段共聚物、其它嵌段共聚物和/或其组合。
148.各种各样的填料可被包含到膜的基础或基质材料320中以特制、改性和/或功能上调整所得膜的性质。填料可包括功能纳米颗粒、导电填料、导热填料、emi或微波吸收填料、磁性填料、介电填料、涂布填料、其组合等。填料可被添加并混合到包括基础或基质材料的
块体材料中，从而提供填料和基础或基质材料的混合物。示例填料包括碳黑、氮化硼、镍钴、空气填充微气球、空气填充微气泡、空气填充微球、羰基铁、硅化铁、铁颗粒、铁铬化合物、银、包含85％铁、9.5％硅和5.5％铝的合金、包含约20％铁和80％镍的合金、铁氧体、磁性合金、磁性粉末、磁性薄片、磁性颗粒、镍基合金和粉末、铬合金、氧化铝、铜、氧化锌、氧化铝、铝、石墨、陶瓷、碳化硅、锰锌、玻璃纤维、碳纳米管(例如，单壁碳纳米管、多壁碳纳米管和/或碳纳米结构等)、其组合等。填料可包括颗粒状、球体、微球、椭球体、不规则球体、股、薄片、粉末、纳米管和/或这些形状中的任何或所有的组合。另外，示例性实施方式还可包括不同等级(例如，不同大小、不同纯度、不同形状等)的相同(或不同)填料。
149.在示例性实施方式中，多层膜结构的膜(例如，图3所示的多层膜结构300的膜302、304、306和/或308等)可通过浇铸、膜挤出、层压等制成。
150.图4示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式的多层膜结构400(例如，四层膜结构等)的示例性实施方式。在此示例性实施方式中，如箭头所指示，每层的填料密度在从顶层402到底层408的方向上增加。因此，底层408具有最高填料密度，而顶层402具有最低填料密度。关于介于顶层402到底层408之间的两个中间层404、406，下中间层406具有比上中间层406更高的填料密度。多层膜结构400的总厚度或高度尺寸可为约1.7毫米(mm)。但是该1.7mm尺寸仅是为了例示而提供，因为在其它实施方式中多层膜结构可比1.7mm更厚或更薄。另外，图4所示的多层膜结构400包括四个层402、404、406、408，但是其它示例性实施方式可包括具有多于或少于四个层的多层膜结构。
151.在示例性实施方式中，多层膜结构可包括在分隔的离散区域中具有功能(例如，用于电、热、吸收体、磁、介电和/或结构等)的膜。例如，多层膜结构可包括被配置为在多层膜结构的分隔的离散区域中具有热管理功能、emi屏蔽功能和emi吸收功能的膜。
152.多层膜结构可在层或膜内针对不同的性能、效果等具有不同的装载量。例如，多层膜结构可具有从层到层不同的装载量，该不同的装载量可操作以用于按照与图5至图15、图21a、图21b中示出并在本文中描述的棱锥或非棱锥结构所提供的emi减轻相似的方式减轻emi(例如，吸收高频emi等)。
153.在示例性实施方式中，多层膜结构和/或图案化材料可设置有背衬，例如经由金属化工艺、层压、流延成型、真空沉积、其它合适的工艺、其组合等。背衬可包括一种或更多种金属(例如，铝、铜等)、涂层金属(例如，镍包铝等)、包层金属、金属化聚合物膜/塑料、铝化mylar双轴取向聚对苯二甲酸乙二醇酯(bopet)、其它背衬材料、其组合等。例如，可沿着多层膜结构的外暴露表面(例如，图3或图4分别所示的多层膜结构300和/或400的底表面等)设置(例如，经由金属化工艺等)包括金属(例如，铝、铜等)的背衬。或者，例如，可沿着图案化材料的底表面(例如，图5、图6或图21a、图21b分别所示的图案化材料500、600和/或2100的底表面等)设置(例如，经由金属化工艺等)包括金属(例如，铝、铜等)的背衬。
154.在示例性实施方式中，根据所使用的材料，多层膜结构和/或图案化材料可具有相对高的接触电阻。或者，例如，多层膜结构和/或图案化材料可设置有具有非常高的热导率以帮助补偿和/或克服相对高的接触电阻的一个或更多个导热柱(广义地，部分)。
155.在示例性实施方式中，一个或更多个热界面材料、散热器、热电模块等可与多层膜结构和/或图案化材料一起使用。例如，散热器(例如，石墨散热器等)可沿着多层膜结构设置(例如，层压到、经由激光焊接密封在膜之间等)。或者，例如，可沿着多层膜结构设置热电
模块。
156.作为另一示例，可沿着多层膜结构的顶表面和/或底表面设置热界面材料。在该后一示例中，热界面材料可帮助适应较短和较高的pcb部件的高度变化。例如，热界面材料可沿着多层膜结构的底表面设置，以使得当多层膜结构被安装在pcb部件上方时，热界面材料将被设置在pcb部件的顶表面上方并与之压缩接触。热界面材料还可沿着多层膜结构的顶表面设置，以使得热界面材料压缩接触散热器(例如，外壳或装置壳体等)。示例热界面材料热填隙料、热相变材料、导热emi吸收体或混合热/emi吸收体、导热油脂、导热膏、导热油灰、可分配热界面材料、导热垫等。
157.示例性实施方式可包括由多层膜结构、均质膜结构或单层膜结构的一个或更多个层或膜中的域限定或创建的一个或更多个辐射天线元件。示例性实施方式可包括膜结构(例如，多层膜结构、均质膜结构、单层膜结构等)，其包括被配置为提供环境保护(例如，蒸气或氧气屏障等)(例如，具有为之特制的域等)的一个或更多个层或膜。示例性实施方式可包括由多层膜结构、均质膜结构或单层膜结构的多层膜结构的一个或更多个层或膜中的域限定或创建的一个或更多个波导。因此，示例性实施方式可包括具有多个层或膜的多层膜结构，其具有被配置为提供一个或更多个辐射天线元件、一个或更多个波导、emi减轻、热管理、介电性质、结构和/或环境保护等的域。示例性实施方式还可包括具有单个或单层或膜的均质或单层膜结构，所述层或膜具有被配置为提供一个或更多个辐射天线元件、一个或更多个波导、emi减轻、热管理、介电性质、结构和/或环境保护等的域。
158.图5至图15和图21a、图21b示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式的为emi减轻(例如，吸收高频等)配置的示例性结构(例如，棱锥结构、非棱锥结构等)。在示例性实施方式(例如，图7至图15等)中，结构可沿着(例如，附着到等)板级屏蔽件(bls)的一部分设置并从板级屏蔽件(bls)的一部分向外突出。例如，结构可从bls顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等的内表面和/或外表面向外突出。bls可被配置(例如，由金属制成、成形、调整大小等)用于减轻(例如，阻挡、反射等)低频emi。结构可被配置(例如，由emi吸收材料制成、成形、调整大小等)用于减轻(例如，吸收等)高频emi。
159.图5至图15和图21a、图21b示出作为四棱锥的示例性棱锥结构。相邻棱锥的矩形基部可彼此接触，而在矩形基部之间基本上没有任何间隙或间隔距离。这有助于避免在棱锥结构的矩形基部之间存在间隙的情况下可能发生的反射率。其它示例性实施方式可包括从顶部(例如，从点等)朝着基部的宽度渐缩或减小(例如，大致平滑地弯曲等)的非棱锥结构。例如，图14和图15分别示出示例性实施方式包括非棱锥结构1400、1500。替代示例性实施方式可包括具有非矩形基部的结构(例如，六边形基部、三角形基部等)。因此，本公开不应仅限于四棱锥结构，因为其它示例性实施方式可包括具有不同的三维几何形状的结构。
160.在示例性实施方式中，结构的侧面可能从上到下不完全平滑或者限定完美的直线。例如，当以高放大率看时，侧面可能看起来具有阶梯配置。但是棱锥或非棱锥结构的侧面可优选相对平滑(例如，没有任何大小明显的阶梯等)以减少或避免入射在结构上的emi的反射。另外，结构可被配置为沿着侧面具有变化的斜率或锥度(例如，至少两个或更多个斜率等)。例如，棱锥结构可具有从基部朝着中间部分的相对平缓的锥度、从中间部分朝着顶部的更快速的锥度，然后从其到结构的顶部的较小锥度。
161.图5至图15和图21a、图21b所示的结构可通过图2a、图2b、图2c、图2d、图2e中示出
并在上面描述的工艺来制备。图5至图15和图21a、图21b所示的结构可包括填充电介质，例如填充有碳黑的聚二甲基硅氧烷(pdms)、填充嵌段共聚物体系、填充弹性体系、填充热塑性体系等。另选地，图5至图15和图21a、图21b所示的结构可由其它材料和/或由其它合适的工艺(例如，将材料逐步沉积到功能载体膜上等)制成。结构可包括沿着第一层的一个或更多个第一结构以及沿着第二层的一个或更多个第二结构。第一和第二结构可不同地配置，例如不同的形状、不同的高度、由不同的材料制成等。
162.在示例性实施方式中，结构的配置(例如，高度、形状、位置等)可以是非随机化的或随机化的(例如，经由计算机的随机化工艺等)。沿着bls内部将结构的高度随机化可有助于减少或避免bls下方的空腔谐振。示例性实施方式可包括具有相同尺寸的基部的四棱锥结构，但是一个或更多个四棱锥结构可具有与一个或更多个其它四棱锥结构不同的高度。例如，较高的棱锥可沿着边缘或外周设置，而较短的棱锥可设置在与边缘或外周向内隔开的中间或内部部分中。
163.可使用具有不同高度的结构来适应较短和较高的pcb部件的高度变化。例如，较高和较短的结构可沿着bls罩或盖的内表面设置，以使得当bls被安装在pcb部件上方时，较高和较短的结构分别大致设置在较短和较高的pcb部件上方。结构的不同高度也可有助于避免或减少bls下方的空腔谐振。
164.图5示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式500的包括棱锥结构540的填充电介质538。如所示，棱锥结构540包括在填充电介质538内的空气填充颗粒542(例如，空气填充微气球、空气填充微气泡、空气填充微球s等)。空气填充颗粒542向棱锥结构540添加空气，这减小(例如，可控地减小等)了介电常数。在其中具有空气填充颗粒542的情况下，棱锥结构540的介电常数可近似泡沫的介电常数和/或接近泡沫介电性质。
165.除了装载或填充空气填充颗粒542之外或另选地，在其它示例性实施方式中，棱锥和/或非棱锥结构可由包括空气填充颗粒(例如，空气填充微气球、空气填充微气泡、空气填充微球、中空玻璃、塑料和/或陶瓷微球、其它微球等)的聚合物覆盖或涂布。例如，示例性实施方式可包括由微气球填充聚合物涂布或覆盖的棱锥结构(例如，为了环境抵抗性等)。在此示例中，微气球填充聚合物可覆盖棱锥结构并限定用于填充棱锥结构之间的空间的平坦化层。平坦化微气球填充聚合物层的倒棱锥结构可与棱锥结构交错或交织，使得组合的棱锥结构和平坦化微气球填充聚合物层具有大致平坦的片状配置。平坦化微气球填充聚合物层可操作以抑制或防止灰尘和/或其它碎屑填充棱锥结构之间的空间、孔、开口、间隙等。作为示例，微气球填充聚合物可包括低介电损耗、低介电常数(例如，小于10、介于1和2之间、小于1等)材料，例如laird的lok低介电损耗、包括热固性塑料或硅胶和中空玻璃微球的低介电常数材料等。另选地，在其它示例性实施方式中，其它材料(例如，包括不是低介电损耗、低介电常数材料和/或不包括中空玻璃微球的材料等)可用于限定平坦化层和/或用于覆盖或涂布棱锥和/或非棱锥结构以抑制或防止灰尘和/或其它碎屑填充棱锥和/或非棱锥结构之间的空间、孔、开口、间隙等。因此，本公开的各方面包括抑制或防止灰尘和/或其它碎屑填充本文所公开的棱锥结构和/或非棱锥结构之间的空间、孔、开口、间隙等的方法。
166.图6示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式600的包括棱锥结构640、平坦化层646和多层频率选择表面(fss)结构648的emi吸收体644。如所示，emi吸收体644和棱锥结构640可包括填充有碳黑的聚二甲基硅氧烷(pdms)、填充嵌段共聚
物体系、填充弹性体系(例如，固化弹性体、热塑性弹性体(tpe)、山都平热塑性硫化橡胶等)、填充热塑性体系(例如，聚酰胺，丙烯腈丁二烯苯乙烯(abs)，聚丙烯(pp)，聚乙烯(pe)等)、填充有碳纳米管的可注塑成型树脂、填充有碳纳米管的聚合物树脂等。
167.如图6所示，平坦化层646包括或限定向下突出的倒棱锥结构650以用于填充emi吸收体644的向上突出的棱锥结构640之间的空间。平坦化层646的倒棱锥结构650可与棱锥结构640交错或交织，使得emi吸收体644和平坦化层646的组合具有大致平坦的片状配置。
168.平坦化层646可包括介电材料(例如，用于阻抗匹配的梯度电介质、均匀电介质平坦化层等)、导热材料、导电材料等。平坦化层646可有助于加强棱锥结构，保护防止棱锥结构640的断裂，提供附着，提供刚度或结构以用于附接和/或调节弹性模量，和/或抑制或防止灰尘和/或其它碎屑填充棱锥结构640之间的空间、孔、开口、间隙等。平坦化层646可设置有不同的厚度以适应pcb、sip等的较短和较高的部件的高度变化。
169.在平坦化层导电的示例性实施方式中，一种或更多种介电材料(例如，薄介电层等)可沿着平坦化层的暴露外表面部分设置，以避免相邻装置部件通过导电平坦化层短路。作为另一示例，当tim用作(例如，注塑成型等)平坦化层时，介电材料可被嵌入热界面材料(tim)中。在包括emi吸收结构的其它示例性实施方式中(例如，图5、图7至图15和图21a、图21b等)也可使用本文所描述的平坦化层(例如，图6所示的646等)。
170.图6所示的多层频率选择表面(fss)结构648包括多层(例如，三层等)的fss元件652。替代实施方式可包括具有多于或少于三层(例如，单层、两层、四层等)的fss结构。例如，图19示出包括fss元件1952的四个层1902、1904、1906、1908的多层fss结构1948的示例性实施方式1900。或者，例如，示例性实施方式可包括单层的fss元件、单个平面中的多个共面环、沿着bls的底侧和/或沿着接地平面的电介质上的图案中的导电超材料等。因此，本公开不应仅限于三层或四层fss结构。
171.如图6和图19所示，多层频率选择表面(fss)结构648、1948的层分别包括fss元件652、1952的图案。fss元件可包括导电材料、emi吸收材料和/或超材料。
172.在图6和图19所示的实施方式中，fss元件652、1952包括具有开放区域或开口的环形元件(例如，圆环、大致圆环形元件等)。作为示例，开放区域或开口可包括在提供fss元件(例如，激光图案化到层上等)之前或之后在层中冲切的用于气流的穿孔或孔。或者，例如，可通过从fss元件蚀刻或清洗固化/未固化的聚合物来形成开放区域或开口。作为另一示例，可使用被配置为创建开放区域或开口的模具来制备fss层。
173.如图6所示，多层fss结构648的多个层可为层叠布置方式(例如，层压结构等)，使得各个层的fss元件652与其它层中的fss元件652交叠并垂直对准。各个层的开口或开放区域因此与其它层的开口或开放区域垂直对准。因此，由于空气和/或液体可在垂直对准的开口或开放区域内流动，所以fss元件652可用于减轻emi，而不完全阻挡空气和/或液体流过多层fss结构。替代实施方式可包括配置为使得所有fss元件与其它fss元件不交叠并且不垂直对准的多层fss结构(例如，图19所示的1948等)和/或包括配置为没有开口或开放区域的fss元件。
174.在示例性实施方式中，多层fss结构(例如，648(图6)、1948(图19)等)的膜或层可包括嵌段共聚物、聚二甲基硅氧烷(pdms)、通过本文所公开的工艺制备的热塑性膜等。
175.多层fss结构(例如，648(图6)、1948(图19)等)可包括具有通过本文所公开的工艺
提供的fss元件的多个膜或层。作为示例，fss结构可包括包含铜的fss元件以及包含mylar双轴取向聚对苯二甲酸乙二醇酯(bopet)的膜或层。在此示例中，可使用fr4/pcb制造工艺将fss元件的铜图案蚀刻到mylar bopet膜或层上。作为另一示例，fss元件可通过3d打印或增材制造(例如，熔融沉积成型、立体光刻、带有成型的激光直接构造等)沿着膜或层设置。或者，例如，fss元件可包括沿着膜或层喷墨打印(例如，经由微射流喷墨打印机等)的导电墨水(例如，包括银和/或铜的墨水等)。作为另一示例，浸渍塑料膜可包括在通过激光撞击之后变得导电的部分，这些导电部分限定导电fss元件。作为另一示例，多层fss结构的膜或层可浸渍有、嵌入有和/或印刷有一种或更多种材料，以生成限定fss表面的图案的电导率区域(例如，环等)。还可使用其它工艺来向膜或层提供fss元件。
176.具有导电fss元件的膜可被组装(例如，层叠、层压等)在一起以形成多层fss结构。fss元件可由吸收体支撑以降低吸收体频率。
177.在示例性实施方式中，fss结构(例如，648(图6)、1948(图19)等)可操作以用于横跨一个或更多个特定频率或频率范围的能量阻塞，同时还允许一个或更多个不同的特定频率或频率范围通过。在这种情况下，fss结构可用作单频带或多频带带通波导和/或emi减轻结构。
178.在示例性实施方式中，一个或更多个fss元件可具有与一个或更多个其它fss元件不同的形状和/或尺寸。例如，另一示例性实施方式可包括具有变化的厚度和/或变化的半径的fss环元件的fss结构。
179.在示例性实施方式中，多层fss结构的层可为任何形状(例如，矩形、圆形、三角形等)和/或尺寸，例如以在多个频率下工作和/或在更宽的带宽上工作等。在操作中，fss结构可反射、吸收、阻挡和/或重定向近掠射入射(偏离法线90度)的信号以停止能量。
180.图7示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式700的沿着板级屏蔽件(bls)754的一部分(例如，顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等)的棱锥结构740。在图7所示的示例中，棱锥结构740是具有矩形基部的四棱锥。棱锥结构740可沿着设置bls(例如，图11、图12和图13等)的顶部和/或侧壁并从其外表面向外和/或从内表面向内突出/延伸等。棱锥结构740可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls 754可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。
181.图8示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式800的沿着板级屏蔽件(bls)854的一部分(例如，顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等)的棱锥结构840。在图8所示的示例中，棱锥结构840是具有矩形基部的四棱锥。在此示例中，棱锥结构840的尺寸并非全部相同。例如，两个靠内棱锥结构被示出为具有不同的高度，这些高度均小于两个靠外棱锥结构的高度。棱锥结构840可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls 854可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。
182.图9示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式900的沿着板级屏蔽件(bls)954的一部分(例如，顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等)的棱锥结构940。在图9所示的示例中，棱锥结构中包括空气填充微气球、微球、微气泡942等。通过微气球、微球或微气泡942添加的空气降低了棱锥结构940的介电常数。棱锥结构940是具有矩形基部的四棱锥。棱锥结构940可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls 954可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。
183.图10示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1000的沿着板级屏蔽件(bls)1054的一部分(例如，顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等)的棱锥结构1040。在图10所示的示例中，至少一个或更多个棱锥结构1040是多层的。如图10所示，如箭头所指示的，多层棱锥结构1040的每层的填料密度在从顶层到底层的方向上增加。因此，底层具有最高填料密度，而顶层具有最低填料密度。关于介于顶层和底层之间的两个中间层，下中间层具有比上中间层更高的填料密度。棱锥结构1040可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls 1054可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。
184.仅作为示例，多层棱锥结构可具有约2mm或更小以及约100微米厚层的总高度。但是这些尺寸仅是为了例示而提供，因为多层棱锥结构可具有不同的总高度和/或具有不同厚度的层。另外，图10所示的多层棱锥结构100包括四个层，但是其它示例性实施方式可包括具有多于或少于四个层的多层棱锥结构。填料材料的变化梯度可用于多层膜吸收体结构(例如，多层棱锥结构1040等)。多层膜吸收体结构(例如，多层棱锥结构1040等)可具有足够的柔性以缠绕在屏蔽件、装置等的至少一部分上。
185.图11、图12和图13示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1100、1200、1300的分别沿着板级屏蔽件(bls)1154、1254、1354的顶部和侧壁的棱锥结构1140、1240、1340。bls被大致安装在pcb(广义地，基板)上的集成电路(ic)(广义地，部件或热源)上方。棱锥结构可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。
186.在图11所示的示例性实施方式1100中，棱锥结构1140被示出为在大致朝着pcb 1162上的集成电路1160的方向上从bls顶部1156和bls侧壁1158的内表面向内突出。
187.在图12所示的示例性实施方式1200中，棱锥结构1240被示出为在大致远离pcb 1262上的集成电路1260的方向上从bls顶部1256和bls侧壁1258的外表面向外突出。
188.在图13所示的示例性实施方式1300中，棱锥结构1340被示出为沿着bls顶部1356和bls侧壁1358的内表面和外表面二者，使得棱锥结构1340相对于pcb 1362上的bls 1354和集成电路1360在相反方向上向内和向外突出。
189.图14示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1400的沿着板级屏蔽件(bls)1454的一部分(例如，顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等)的棱锥结构1440和非棱锥结构1464。棱锥和非棱锥结构1440、1464可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls 1454可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。如图14所示，非棱锥结构1464沿其侧面具有变化的斜率或锥度。
190.图15示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1500的沿着板级屏蔽件(bls)1554的一部分(例如，顶部、罩、盖、侧壁、围栏、框架等)的结构1564。结构1564可被配置用于减轻(例如，吸收等)高频emi。bls 1554可被配置(例如，由金属制成等)用于减轻(例如，阻挡等)低频emi。
191.如图15所示，各个总体结构1564大致直立并且大致垂直于bls 1554的部分延伸。各个结构1564沿着两侧包括棱锥1566，这些棱锥1566在与bls部分1554大致平行的方向上从结构1564大致向外延伸。通过沿着结构1564的两侧具有棱锥1566，图15所示的双侧结构1564可具有改进的挠度和减小的接触电阻。
192.在示例性实施方式中，emi吸收突出结构(例如，图5至图15和图21a、图21b等)可沿
着(例如，附着到等)一个或更多个暴露和/或平坦的表面设置。在这些实施方式中，惰性非功能材料(例如，保护涂层等)可被施加在(例如，涂布到等)emi吸收突出结构上。惰性非功能材料可被配置为保护emi吸收突出结构免于变形(以及性能损失)和/或允许emi吸收突出结构被压到表面上，而不会干扰(例如，不会显著劣化等)emi吸收突出结构的功能或性能。
193.示例性实施方式包括一种将emi吸收突出结构附着到表面的方法。在此示例性实施方式中，该方法可包括将保护涂层施加在emi吸收突出结构的三维形状上方。该方法还可包括对保护涂层施加压缩力以确保与表面的高结合强度(或psa附着)。保护涂层可以是可移除的和/或惰性的(例如，介电、非吸收的等)。
194.本文还公开了包括(例如，一体地包括、由其制成等)多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜的装置部件的示例性实施方式。在示例性实施方式中，多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜可被包含在装置部件内和/或用作装置部件，例如外壳、后盖、中板、筛板、内板、装置的外皮、插置物、ic封装等。在这些实施方式中，装置部件可保持其原始功能，但是还具有由多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜提供的附加功能(例如，emi减轻、热管理、介电、磁和/或结构等)。作为示例，多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜可被包含在装置(例如，智能电话、游戏系统控制台、智能手表、5g封装天线(aip)等)的外壳或外皮内和/或可用作装置的外壳或外皮。
195.在示例性实施方式中，多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜可用于将热从装置的一个或更多个较热部分或区域(例如，pcb部件等)传递到一个或更多个较冷部分或区域(例如，其它pcb部件、pcb的未用部分等)。通过为了热管理目的作为整体考虑装置，而非单独地对待各个单独的部件并基于单个部件传递热，示例性实施方式可允许更均匀的装置温度和改进的装置热性质，即使各个部件可能由于来自其它部件的热传递而被加热。因此，示例性实施方式可包括使用电子装置的其它部分作为热沉，使得热从一个部件传递到pcb的另一部件或未用部分。例如，电子装置的内板可包括用于提供热管理的多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜。内板的多层膜结构、图案化材料、超材料和/或功能膜可从一个或更多个区域抽取废热并将废热传递/散布到一个或更多个其它区域，这可加热并增加电子装置的这些一个或更多个其它区域的温度。这继而可使得装置温度更均匀并允许热更均匀地消散。
196.图16示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1600的包括多层膜结构(例如，四层膜结构等)和/或超材料1670的外装置壳体1668。在图16所示的示例性实施方式1600中，外装置壳体1668包括可被配置为提供导电体1672、波导1674、emi吸收体1676、热界面材料(tim)1678和电介质1680中的一个或更多个的四个层1602、1604、1606、1608。
197.由多层膜结构和/或超材料1670提供的波导1674可操作以用于引导来自pcb 1662上的pcb部件1681的波。由多层膜结构和/或超材料1670提供的热界面材料1678可操作以用于建立从pcb部件1682到外装置壳体1668的外部的导热热路。
198.多层膜结构和/或超材料1670可被配置为在围隔(enclosure)或外装置级别允许期望的信号通过(例如，带通等)，而拒绝并防止其它非期望的信号通过(例如，带阻等)。多层膜结构和/或超材料1670可用于经由外装置壳体1668中的定向信号操纵来减轻emi。
199.外装置壳体1668还可包括或另选地包括在外装置壳体1668的一部分内或沿着外
装置壳体1668的一部分的fss结构(例如，648(图6)、1948(图19)等)。例如，图案中的导电超材料可沿着外装置壳体1668的内表面设置。
200.因此，本文所公开的示例性实施方式可包括多功能的外装置壳体1668，因为外装置壳体1668保持其作为外装置壳体1668的原始功能。但是外装置壳体1668还包括附加功能，例如与由多层膜结构和/或超材料1670提供的波导1674和热界面材料1678关联的功能。在图16所示的实施方式中，外装置壳体1668包括四个层1602、1604、1606、1608，但是其它示例性实施方式可包括具有多于或少于四个层的外装置壳体。
201.图17示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1700的包括多层膜结构(例如，四层膜结构等)和/或超材料1770的插置物1768。在图17所示的示例性实施方式1700中，多层膜结构和/或超材料插置物1770被定位或夹在两个pcb 1762和1763之间。
202.多层膜结构和/或超材料插置物1770可被配置为提供插置在两个下pcb 1762和上pcb 1763之间的导电体1772、波导1774、emi吸收体1776、热界面材料(tim)1778和电介质1780中的一个或更多个。多层膜结构和/或超材料插置物1770可以是选择性功能结构，例如以将夹心的两个pcb连接，从而形成电互连，提供emi屏蔽和/或提供导热通路等。多层膜结构和/或超材料插置物1770可包括具有相对高的介电常数的部分，使得两个pcb 1762、1763经由具有高介电常数的插置物部分电容耦合。
203.在示例性实施方式中，提供插置物以用于经由功能嵌段共聚物的成型(例如，注塑成型等)与sip之间的电连接迹线将两个pcb或sip与部件连接。在图17所示的示例性实施方式中，插置物1768包括四个层1702、1704、1706、1708，但是其它示例性实施方式可包括具有多于或少于四个层的插置物。
204.插置物1768可被配置为根据需要允许pcb 1762、1763之间的互连，同时还具有加载的emi性质。插置物1762、1763可被定位在两个pcb 1762、1763之间，各个pcb上包括至少一个部件1781、1782、1783、1784。如本文所公开的，插置物1768可包括至少两种聚合物的嵌段共聚物以及一种或更多种填料。插置物1768可包括至少一条电迹线，其穿过插置物1768以在一个电路板上的至少一个部件与另一电路板上的至少一个部件之间提供至少一个电连接。例如，图17所示的插置物1768可在下pcb 1762上的pcb部件1781、1782与上pcb 1763上的对应pcb部件1783、1784之间提供电连接。
205.示例性实施方式可包括将多层膜结构中的功能图案化，以使两个或更多个pcb上的部件的布局匹配。当pcb被夹在一起时，图案化的多层膜结构可在pcb上的部件之间提供电互连和其它功能。在示例性实施方式中，可创建图案化的膜以用于为sip(系统封装)提供电互连。在示例性实施方式中，包括嵌段共聚物膜的多层膜结构可用作pcb的基板材料。
206.图18示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式1800的用于ic管芯1881的集成电路(ic)封装1868，其包括多层膜结构和/或超材料1870。如图18所示，多层膜结构和/或超材料1870可被配置为提供导电体/互连1872、波导1874、emi吸收体1876、热界面材料(tim)1878和电介质1880中的一个或更多个。
207.多层膜结构和/或超材料1870可被配置为操纵能量或电磁辐射等。多层膜结构和/或超材料ic封装可以是选择性功能结构，例如部分emi屏蔽件、部分tim、部分emi吸收体、部分波导和/或部分电导体等。多层膜结构和/或超材料1870可被配置为提供3d结构(例如，ic
封装基板等)，其包括作为波导或同轴结构的互连和/或垂直和多级等。在图18所示的实施方式中，ic封装1868包括四个层1802、1804、1806、1808，但是其它示例性实施方式可包括具有多于或少于四个层的ic封装。
208.图20示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式2000的定位在装置(例如，智能电话等)内的超材料tim 2085。如图20所示，超材料tim 2085被定位在外装置壳体/散热器2086与包括天线元件2088的阵列2087的pcb 2062之间(例如，压缩地夹在其之间等)。在此示例性实施方式中，超材料tim 2085被配置为可操作以用于提供大致在pcb 2062与外装置壳体/散热器2086之间的导热热路。如箭头所表示的，超材料tim 2085还被配置为可操作以用于从天线元件2088朝着反射器2089引导或操纵信号(例如，毫米波信号等)。然后，反射器2089可将信号向上反射，从而避免对天线性能的高介电常数影响的问题。
209.可在装置壳体或外壳中使用超材料图案化(例如，fss等)来引导信号以用于减少emi并用于消除或减少旁瓣。作为示例，可在天线罩内部使用超材料fss，这可允许减小天线罩厚度(例如，从约3毫米至1/2毫米等)。
210.图21a和图21b示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式的包括可通过图2a、图2b、图2c、图2d、图2e所示的工艺制备的填充电介质棱锥结构的示例柔性材料2100。填充电介质可包括填充有碳黑的聚二甲基硅氧烷(pdms)、填充嵌段共聚物体系、填充弹性体系、填充热塑性体系等。如本文所公开的，棱锥结构可包括被配置为可操作以用于emi减轻的四棱锥。
211.如图21b所展示的，具有填充电介质棱锥结构的材料2100可充分柔性并适形以包裹在部件、装置等上。因此，柔性材料2100可包括功能(例如，emi减轻等)包裹2，其可包裹在pcb的至少一部分上(例如，包裹在两侧等)。
212.传统板级屏蔽件操作以通过围绕装置部件创建导电金属法拉第笼来容纳emi能量。金属屏蔽件常常还用于在其下方容纳热能，该热能必须被释放，使得emi减少和热传递交叉操作。传统板级屏蔽件具有导电金属的矩形构造，其具有五个侧面。法拉第屏蔽件的第六侧面由pcb的接地平面提供。
213.在本文所公开的示例性实施方式中，bls的一个(或更多个)金属侧壁由吸收体材料代替。作为示例，吸收体材料可包括本文所公开的一个或更多个多层膜结构和/或图案化材料，例如包括具有域的嵌段共聚物膜的多层膜结构(例如，图3和图4等)、包括fss元件的fss结构(例如，图6和图19等)、具有棱锥和/或非棱锥结构的材料(例如，图1a、图1b、图1c、图1d、图1e、图2a、图2b、图2c、图2d、图2e、图5至图15和图21a、图21b等)。
214.通过控制吸收体厚度和放置，可创建高阻抗壁，其将阻挡或防止电磁能穿过吸收体。通常，这可为频率特定的。吸收体材料可包括导热吸收体材料以方便混合emi/热装置中的热传递。
215.在示例性实施方式中，一个或更多个bls侧壁可由被配置用于在不同方向上引导或操纵不同频率的吸收体材料制成，使得一些频率可衰减，而剩余频率可不衰减。
216.图22示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式2200的板级屏蔽件(bls)2254。bls 2254包括顶部2256和四个侧壁。bls顶部2256和三个侧壁2258由导电金属(例如，金属片等)制成。第四侧壁2259由吸收体材料2290制成，而非用于bls顶部
2256和三个其它侧壁2258的导电金属。
217.第四侧壁2259可由导热吸收体材料2290制成，使得第四侧壁是导热的。在这种情况下，第四侧壁2259可操作以用于吸收emi，同时还允许热传递。侧壁2258和2259可被配置(例如，包括安装脚等)用于安装(例如，焊接等)到pct 2262或其它基板。
218.图23是示出图22中的板级屏蔽件的总辐射功率(分贝(db))的仿真降低对频率(吉赫兹(ghz))的线图，其中吸收体的位置在两种情况下随最大总辐射功率降低的频率偏移而不同。
219.示例性实施方式可包括激光固化膜内的掺杂剂催化剂(例如，斑点等)以使得掺杂剂结晶，从而提供增强的性能，例如热管理、电磁干扰(emi)减轻、电导率、热导率、emi吸收、磁、介电和/或结构性能等。其它示例性实施方式可包括将材料喷墨打印到膜中的开口(例如，穿孔、切口、孔等)中以提供电互连和/或热通路的流延成型。
220.示例性实施方式可包括使用形状(例如，片、其它延伸或突起等)、多层嵌段共聚物膜结构的一个或更多个域、掺杂和/或图案化中的至少一个来提供emi减轻(例如，emi屏蔽、emi吸收等)和/或热管理的方法。形状可包括棱锥结构(例如，四棱锥等)和/或非棱锥结构。
221.在示例性实施方式中，制备多层热管理和/或电磁干扰(emi)减轻材料的方法可包括通过添加一种或更多种填料或添加剂以改变域的一个或更多个性质、特性、功能和/或性能(例如，热管理、电磁干扰(emi)减轻、电导率、热导率、emi吸收、磁、介电和/或结构性能等)来创建具有域的嵌段共聚物膜。
222.在示例性实施方式中，制造膜的方法可包括：确定功能图案；选择具有第一性质的第一聚合物；选择具有第二性质的第二聚合物；选择具有第三性质(例如，导热、导电、emi吸收、介电、结构等)的功能材料(例如，预定义、预定形式等)；以及使用第一和第二聚合物和功能材料来经由嵌段共聚物工艺制备膜，使得当组装在一起(例如，层叠和层压成多层结构等)时膜具有功能图案。功能图案可包括柱的高度、柱的宽度、柱的间距、填料的可装载性和/或柱中的填料密度等。
223.在示例性实施方式中，多层结构包括基层，该基层包括(例如，成型有、等)从该基层沿着该基层的至少第一侧突出的结构(例如，棱锥结构、非棱锥结构等)。平坦化层沿着第一侧，其提供与基层的第二侧相反的基本上平坦表面。
224.平坦化层可包括介电材料(例如，用于阻抗匹配的梯度电介质、均匀电介质平坦化层等)、导热材料、导电材料等。至少一个膜层可沿着(例如，附着到、等)与基层相反的平坦化层设置。
225.多层结构可包括大致设置在膜层和平坦化层之间的频率选择表面(fss)元件(例如，导电环等)。例如，fss元件可包括图案中的导电环。多层结构可包括包含fss元件的多个fss层或膜(例如，按层叠布置方式等)，例如沿着多个层或膜印刷或嵌入在多个层或膜内的导电环。一个层的fss元件可与另一层中的fss元件交叠。fss元件可包括包含emi吸收材料的基层。
226.在示例性实施方式中，可在多层膜结构和/或图案化材料内创建磁性质升高或降低的区域。例如，可在挤出或压延期间装载的共聚物树脂聚合成膜时使用磁吸引和排斥的区域。
227.在热界面材料可应用于和/或连同多层膜结构和/或图案化材料一起使用的示例
性实施方式中，可使用各种各样的热界面材料。示例热界面材料包括热填隙料、热相变材料、导热emi吸收体或混合热/emi吸收体、导热油脂、导热膏、导热油灰、可分配热界面材料、导热垫等。
228.在包括或涉及板级屏蔽件的示例性实施方式中，对于板级屏蔽件(广义地，屏蔽件)或其部分可使用各种各样的材料，例如冷轧钢、镍银合金、铜镍合金、不锈钢、镀锡冷轧钢、镀锡铜合金、碳钢、黄铜、铜、铝、铜铍合金、磷青铜、钢、其合金、涂布有导电材料的塑料材料或者任何其它合适的导电和/或磁性材料。本文中提供本技术中公开的材料仅是为了例示，因为可例如根据特定应用使用不同的材料。
229.示例性实施方式可包括多层膜结构和/或图案化材料，其根据用于制备多层膜和/或图案化材料的特定材料和导热填料(如果有的话)的装载百分比而包括具有高热导率(例如，在约1w/mk(瓦/米/卡尔文)至约6w/mk的范围内等)的至少一部分(例如，嵌段共聚物膜的全厚度域等)。这些热导率仅是示例，因为其它实施方式可包括多层膜和/或图案化材料，其包括热导率高于6w/mk、小于1w/mk或介于1w/mk和6w/mk之间的至少一部分。
230.在示例性实施方式中，多层膜结构和/或图案化材料的至少一部分可以是导热的(例如，嵌段共聚物膜的导热域等)，具有相对高的热导率。在这些实施方式中，多层膜结构和/或图案化材料的导热部分可用于限定或提供从热源到排热/散热结构或部件的导热路径的一部分。多层膜结构和/或图案化材料的导热部分可用于例如帮助将热能(例如，热等)远离电子装置的热源传导。多层膜结构和/或图案化材料的导热部分通常可定位在热源与排热/散热结构或部件之间以建立热接头、界面、通路或导热路径，可沿其将热从热源传递(例如，传导)到排热/散热结构或部件。在操作期间，多层膜结构和/或图案化材料的导热部分可用于允许将热从热源沿着导热路径传递(例如，传导热等)到排热/散热结构或部件。在多层膜结构和/或图案化材料包括用于emi减轻的至少一部分(例如，嵌段共聚物膜的导电和/或emi吸收域等)的示例性实施方式中，多层膜结构和/或图案化材料还可操作以用于减轻入射在多层膜结构和/或图案化材料的emi减轻部分上的emi(例如，吸收、阻挡、反射等)。
231.本文所公开的示例实施方式可与宽范围的热源、电子装置(例如，智能电话等)和/或排热/散热结构或部件(例如，散热器、热沉、热管、蒸气室、装置外部壳体或外壳等)一起使用。例如，热源可包括一个或更多个发热部件或器件(例如，cpu、底部填充剂内晶片、半导体器件、倒装芯片器件、图形处理单元(gpu)、数字信号处理器(dsp)、多处理器系统、集成电路(ic)、多核处理器等)。通常，热源可包括温度高于多层膜结构和/或图案化材料的导热部分或者说向多层膜结构和/或图案化材料的导热部分提供或传递热的任何部件或装置，而不管热是由热源生成的还是仅仅通过或经由热源传递。因此，本公开的各方面不应限于与任何单一类型的热源、电子装置、排热/散热结构等一起使用。
232.在示例性实施方式中，emi吸收结构或emi吸收体可在空腔或腔室外部或沿着空腔或腔室的外侧。emi吸收体或结构可被配置(例如，成形有圆锥或棱锥等)以抑制或减少入射辐射(例如，广角处的高频辐射、杂散频率处的辐射等)通过孔径(例如，汽车雷达孔径等)反射到空腔或腔室中的可能性。因此，emi吸收体放置可允许空腔或腔室内的电子设备(例如，advics(高级智能底盘系统)等)的性能改进和去除杂散频率。
233.图24示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式的示例性装置部件2400和沿着装置部件2400的外侧的结构2404(例如，emi吸收棱锥结构等)。结构
2404被配置用于emi减轻(例如，吸收高频emi等)。
234.结构2404可沿着(例如，附着到、等)装置部件2400的一个或更多个外部部分设置并从其向外突出。在该示出的实施方式中，结构2404沿着装置的顶壁或部分2408的外部或外表面设置。结构2404还沿着装置的侧面或侧壁2412的外部或外表面设置。
235.装置部件2400可限定内部、空腔或腔室2416以及进入腔室2416中的孔径或开口2420(例如，汽车雷达孔径、非汽车雷达孔径、其它雷达孔径等)。在该示出的实施方式中，结构2404沿着装置部件2400的整个顶表面2408设置和/或限定装置部件2400的整个顶表面2408，其继而限定进入腔室2416中的孔径2420。因此，结构2404围绕孔径2420的整个周边设置。在替代实施方式中，emi吸收结构还可沿着腔室2416内的装置部件的一个或更多个内表面设置。在这些替代实施方式中，emi吸收结构2404(例如，棱锥结构等)可沿着装置部件2400的内表面和外表面二者设置，使得emi吸收结构相对于装置部件2400在相反的方向上向内和向外突出。
236.装置部件2400可包括电子设备外壳、板级屏蔽件(bls)、其它装置部件等。装置部件2400可被配置(例如，由金属制成、成形、调整大小等)用于减轻(例如，阻挡、反射等)低频emi。结构2404可被配置(例如，由emi吸收材料制成、成形、调整大小等)用于减轻(例如，吸收等)高频emi。
237.沿着装置部件2400的外侧放置结构2404可降低入射辐射将通过孔径2420反射到内部、腔室或空腔2416中的可能性。结构2404可操作以抑制或阻止入射辐射通过孔径2420反射到空腔或腔室2416中。
238.作为示例，结构2404可被配置为可操作以用于抑制广角处的高频辐射到达孔径2420。emi吸收结构2404的放置可允许空腔或腔室2416内的电子设备(例如，advics(高级智能底盘系统)等)的性能改进和去除杂散频率处的辐射。
239.emi吸收结构2404可包括四棱锥(例如，图25所示的四棱锥2504等)。相邻棱锥的矩形基部可彼此接触，而在矩形基部之间基本上没有任何间隙或间隔距离。这有助于避免在棱锥结构的矩形基部之间存在间隙的情况下可能发生的反射率。其它示例性实施方式可包括从顶部(例如，从点等)朝着基部的宽度渐缩或减小(例如，大致平滑地弯曲等)的非棱锥结构。替代示例性实施方式可包括具有非矩形基部的结构(例如，六边形基部、三角形基部等)。因此，本公开不应仅限于四棱锥结构，因为其它示例性实施方式可包括具有不同的三维几何形状的结构。
240.在示例性实施方式中，结构2404的侧面可能从上到下不完全平滑或者限定完美的直线。例如，当以高放大率看时，侧面可能看起来具有阶梯配置。但是棱锥或非棱锥结构的侧面可优选相对平滑(例如，没有任何大小明显的阶梯等)以减少或避免入射在结构上的emi的反射。另外，结构可被配置为沿着侧面具有变化的斜率或锥度(例如，至少两个或更多个斜率等)。例如，棱锥结构可具有从基部朝着中间部分的相对平缓的锥度、从中间部分朝着顶部的更快速的锥度、然后从其到结构的顶部的较小锥度。
241.结构2404、2504可包括填充电介质，例如填充有碳黑的聚二甲基硅氧烷(pdms)、另一填充嵌段共聚物体系、填充弹性体系、填充热塑性体系、填充有碳纳米管的可注塑成型树脂、填充有碳纳米管的聚合物树脂等。另选地，结构2404、2504可由其它材料和/或由其它合适的工艺(例如，将材料逐步沉积到功能载体膜等上)制成。
242.在示例性实施方式中，结构2404的配置(例如，高度、形状、位置等)可以是非随机化的或随机化的(例如，经由计算机的随机化工艺等)。沿着装置部件2400的外侧将结构2404的高度随机化可有助于减少或避免容纳装置部件2400的装置外壳下方的空腔谐振。示例性实施方式可包括具有相同尺寸的基部的四棱锥结构，但是一个或更多个四棱锥结构可具有与一个或更多个其它四棱锥结构不同的高度。
243.具有不同高度的结构可用于适应较短和较高的相邻部件的高度变化。例如，较高和较短的结构可相对于装置部件2400设置，以使得当装置部件2400被安装在电子装置内时，较高和较短的结构2404分别与较短和较高的部件对准。结构的不同高度可有助于避免或减少容纳装置部件2400的装置外壳内的空腔谐振。
244.棱锥结构可包括空气填充颗粒(例如，空气填充微气球、空气填充微气泡、空气填充微球等)以用于可控地减小棱锥结构的介电常数。空气填充颗粒向棱锥结构添加空气，这减小了介电常数(例如，近似泡沫、接近泡沫性质等)。
245.图25示出具体实现本公开的一个或更多个方面的根据示例性实施方式的用于emi吸收体(例如，emi吸收体2404等)的棱锥结构2504。仅作为示例，棱锥结构2504可具有以下参数，例如约2.5毫米(mm)厚的平坦基部、约2mm的楔厚度、约3mm的楔或棱锥高度、约0.5mm的棱锥的截头顶端、0.5mm的谷高度以及11到13.3的介电常数。在此示例中，棱锥高度为3mm，但是棱锥2504的基部在“谷高度(即，0.5mm)”的顶部下面一定距离处位于平坦基部内。这样做是为了在建模期间控制“谷”。“谷高度”的0值将使得棱锥基部在平坦基部顶部的相同位置处。棱锥的顶端被截去等于“截头”(0.5mm)的值。对于“截头”的0值，棱锥将到达“楔高度”值(3mm)的点。尽管如果“截头”和“谷高度”为零从而形成尖棱锥和尖谷，可获得更好的电子性能，但是“截头”和“谷高度”的非零值可基于制造能力。
246.示例实施方式被提供为使得本公开将彻底，并且将向本领域技术人员完全传达范围。阐述大量具体细节，诸如具体部件、装置以及方法的示例，以提供本公开的实施方式的彻底理解。将对本领域技术人员显而易见的是，不需要采用具体细节，示例实施方式可以以许多不同的形式来具体实施，并且没有内容应被解释为限制本公开的范围。在一些示例实施方式中，未详细描述公知过程、公知装置结构以及公知技术。另外，可以用本发明的一个或更多个示例性实施方式实现的优点和改进仅为了例示的目的而提供，并且不限制本公开的范围(因为这里所公开的示例性实施方式可以提供上述优点以及改进中的全部或一个也不提供，并且仍然落在本公开的范围内)。
247.这里所公开的具体尺寸、具体材料和/或具体形状在本质上是示例，并且不限制本公开的范围。这里用于给定参数的特定值和特定值范围的公开不是可以用于这里所公开示例中的一个或更多个中的其他值和值范围的穷尽。而且，预想的是用于这里叙述的具体参数的任意两个特定值可以限定可以适于给定参数的值范围的端点(即，用于给定参数的第一值和第二值的公开可以被解释为公开还可以对于给定参数采用第一和第二值之间的任意值)。例如，如果这里将参数x例证为具有值a且还被例证为具有值z，则预想参数x可以具有从大约a至大约z的值范围。类似地，预想用于参数的两个或更多个值范围(不管这种范围是嵌套的、交叠的还是不同的)的公开包含用于可以使用所公开范围的端点夹持的值范围的所有可能组合。例如，如果参数x在这里被例证为具有范围1-10或2-9或3-8内的值，则还预想参数x可以具有包括1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、2-3、3-10以及3-9的其他值范围。
248.这里所用的术语仅是为了描述特定示例实施方式的目的且不旨在限制。如这里所用的，单数形式“一”和“一个”可以旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚指示。术语“包括”和“具有”是包括的，因此指定所叙述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。这里所述的方法步骤、过程以及操作不被解释为必须需要以所讨论或例示的特定顺序进行它们的执行，除非被特别识别为执行顺序。还要理解，可以采用另外或另选步骤。
249.当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、与另一个元件或层“啮合”、“连接”或“耦接”时，元件或层可以直接在另一个元件或层上、与另一个元件或层直接啮合、连接或耦接，或者介入元件或层可以存在。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件或层上、与另一个元件或层“直接啮合”、“直接连接”或“直接耦接”时，可以没有介入元件或层存在。用于描述元件之间的关系的其他词应以同样的样式来解释(例如，“在
……
之间”对“直接在
……
之间”、“相邻”对“直接相邻”等)。如这里所用的，术语“和/或”包括关联所列项中的一个或更多个的任意和全部组合。
250.术语“大约”在应用于值时指示计算或测量允许值些微不精确(在值上接近准确；近似或合理地接近值；差不多)。如果出于某一原因，由“大约”提供的不精确在领域中未另外以该普通意义理解，那么如这里所用的“大约”指示可能由普通测量方法或使用这种参数而引起的至少变化。例如，术语“大体”、“大约”以及“大致”在这里可以用于意指在制造容差内。不论是否被术语“大约”修改，权利要求包括数量的等同物。
251.虽然术语第一、第二、第三等在这里可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅可以用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分。诸如“第一”、“第二”以及其他数字术语的术语在用于这里时不暗示顺序，除非上下文清楚指示。由此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以在不偏离示例实施方式的示教的情况下被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
252.空间上相对的术语(诸如“内”、“外”、“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)在这里为了描述方便可以用于如附图例示的描述一个元件或特征到另一个元件或特征的关系。空间上相对的术语可以旨在除了包含附图中描绘的方位之外还包含使用或操作中装置的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，那么被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其他元件或特征“上方”。由此，示例术语“下方”可以包含上方和下方方位这两者。装置可以以其他方式来定向(旋转90度或处于其他方位)，因此解释这里所用的空间上相对的描述符。
253.已经为了例示和描述的目的而提供了实施方式的前面描述。不旨在穷尽或限制本公开。特定实施方式的独立元件、预期或所叙述用途或特征通常不限于该特定实施方式，反而在适当的情况下可互换，并且可以用于所选实施方式(即使未具体示出或描述该实施方式)。同样的内容还可以以许多方式来改变。这种变化不被认为是本公开的偏离，并且所有这种修改旨在被包括在本公开的范围内。