单氟乙烷的制造方法与流程

本公开涉及单氟乙烷的制造方法。

背景技术：

1、单氟乙烷（c2h5f）有时被用作用于合成作为半导体制造用蚀刻气体被使用的碳氟化合物的原料。专利文献1中公开了在催化剂存在下使乙烯与氟化氢反应来制造单氟乙烷的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：中国专利申请公开第110615728号说明书

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、专利文献1所公开的技术，在乙烯与氟化氢的反应中需要高温高压这样的苛刻的反应条件。此外，专利文献1所公开的技术还存在下述这样的问题：作为原料使用的乙烯中转化为其他化合物的比例（在本说明书中记为“转化率”）不能说充分高。

3、本公开的课题在于提供一种单氟乙烷的制造方法，该方法即使在温和的反应条件下，也能够从乙烯和氟化氢以高转化率制造单氟乙烷。

4、用于解决课题的手段

5、为了解决上述课题，本公开的一个方式如以下[1]～[9]所示。

6、[1] 一种单氟乙烷的制造方法，包含使乙烯气体与氟化氢气体在催化剂的存在下反应而获得单氟乙烷，其中，所述催化剂含有作为氟化铬及氟氧化铬中至少一者的铬化合物。

7、[2] 根据[1]所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述铬化合物的组成式为cromfn，所述组成式中的m及n满足2m+n=3的式子和2.83≤n≤3的式子。

8、[3] 根据[1]或[2]所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂是负载有所述铬化合物的载体。

9、[4] 根据[3]所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述载体的材质是作为氟化铝及氟氧化铝中至少一者的铝化合物。

10、[5] 根据[4]所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述铝化合物的组成式为alopfq，所述组成式中的p及q满足2p+q=3的式子以及2.83≤q≤3的式子。

11、[6] 根据[4]或[5]所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂中铬的摩尔量相对于铝的摩尔量之比为0.008以上且0.30以下。

12、[7] 根据[4]～[6]中任一项所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂是通过对负载有氧化铬的氧化铝在250℃以上且450℃以下的温度下实施使氟化氢反应的氟化处理而获得的。

13、[8] 根据[7]所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂是通过进行所述氟化处理直到经所述氟化处理产生的水量相对于所述催化剂的每1l体积成为100mg/hr以下而获得的。

14、[9] 根据[3]～[8]中任一项所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂的bet比表面积为5m2/g以上且100m2/g以下。

15、发明效果

16、根据本公开，即使在温和的反应条件下，也能够从乙烯和氟化氢以高转化率制造单氟乙烷。

1.一种单氟乙烷的制造方法，包含使乙烯气体与氟化氢气体在催化剂的存在下反应而获得单氟乙烷，其中，所述催化剂含有作为氟化铬及氟氧化铬中至少一者的铬化合物。

2.根据权利要求1所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述铬化合物的组成式为cromfn，所述组成式中的m及n满足2m+n=3的式子和2.83≤n≤3的式子。

3.根据权利要求1或2所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂是负载有所述铬化合物的载体。

4.根据权利要求3所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述载体的材质是作为氟化铝及氟氧化铝中至少一者的铝化合物。

5.根据权利要求4所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述铝化合物的组成式为alopfq，所述组成式中的p及q满足2p+q=3的式子和2.83≤q≤3的式子。

6.根据权利要求4所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂中铬的摩尔量相对于铝的摩尔量之比为0.008以上且0.30以下。

7.根据权利要求4所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂是通过对负载有氧化铬的氧化铝在250℃以上且450℃以下的温度下实施使氟化氢反应的氟化处理而获得的。

8.根据权利要求7所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂是通过进行所述氟化处理直到经所述氟化处理产生的水量相对于所述催化剂的每1l体积成为100mg/hr以下而获得的。

9.根据权利要求3所述的单氟乙烷的制造方法，其中，所述催化剂的bet比表面积为5m2/g以上且100m2/g以下。