化学沉积装置、化学沉积方法及元件与流程

本公开涉及显示，具体地，涉及一种化学沉积装置、化学沉积方法及元件。

背景技术：

1、在显示面板的制备过程中需要用到掩膜板，例如，在一些场景中利用cvd(chemicalvapor deposition，化学气相沉积)工艺制备无机膜层。cvd工艺是通过气态物质在基底表面发生化学反应来沉积无机层，而在显示面板的制备过程中，为了确保无机层只在需要的区域形成就需要利用掩膜板来精确地限定无机层的沉积范围。

2、然而，在掩膜板使用过程中，由于掩膜板很薄，在重力作用下，掩膜板会有一定程度的下垂，这样就导致cvd过程中，出现阴影效应明显的问题，影响沉积的无机膜层性能。

技术实现思路

1、本公开第一方面提供一种化学沉积装置，该化学沉积装置包括反应腔室、载台和吸附结构。反应腔室具有封闭空间。载台设置在反应腔室的空腔内，用于放置待沉积基材和掩膜板，待沉积基材包括待沉积区，掩膜板包括遮光区和图形区，在化学沉积装置工作时，掩膜板位于待沉积基材背离载台的表面，以使掩膜板的图形区与待沉积基材的待沉积区对应。吸附结构设置在反应腔室内，用于吸附掩膜板，以使掩膜板与待沉积基材的接触表面为平面，吸附结构被配置成沉积前吸附位于待沉积基材的表面上的掩膜板，以使掩膜板完全展开且贴合在待沉积基材背离载台的表面，将掩膜板与待沉积基材贴合后，吸附结构运动到初始位置，以使吸附结构在载台在平面上的正投影落在掩膜板在载台所在平面上的正投影之外。

2、在上述方案中，吸附结构在不影响化学沉积装置正常工作的同时，还在化学沉积开始之前，将待沉积基材上的掩膜板吸附平整，使得掩膜板平整无间隙的贴合在待沉积基材上，提高化学沉积装置的性能。

3、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，初始位置为反应腔室的内侧壁，在初始位置处，吸附结构贴合在反应腔室的内侧壁上。

4、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，吸附结构包括导向结构和吸附平台。导向结构包括第一导向结构和第二导向结构，第一导向结构和第二导向结构分别设置在反应腔室的内侧壁上，且相对设置。吸附平台包括第一吸附平台和第二吸附平台，第一吸附平台的一端与第一导向结构连接，第二吸附平台的一端与第二导向结构连接，以使第一吸附平台和第二吸附平台分别具有第一运动模式和第二运动模式。第一运动模式包括吸附平台以平行于载台的状态在靠近或远离载台的方向上往复运动，第二运动模式包括吸附平台以垂直于载台的状态在靠近或远离载台的方向上往复运动。

5、可选地，在第一运动模式中，第一吸附平台和第二吸附平台在载台所在平面上的正投影共同覆盖载台，在第二运动模式中，第一吸附平台和第二吸附平台在载台所在平面上的正投影分别落在载台外。

6、可选地，反应腔室的侧壁上设置有一连通外界的入口，以使待沉积基材和掩膜板进入到反应腔室内。

7、可选地，入口相对导向结构远离载台。

8、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，第一导向结构和第二导向结构分别包括滑道和转向机构，滑道设置在侧壁上，且分别垂直于载台所在的平面，转向机构分别设置在滑道和第一吸附平台的连接处以及滑道和第二吸附平台的连接处，滑道分别与第一吸附平台和第二吸附平台配合，以使第一吸附平台和第二吸附平台分别以垂直于载台的状态或者平行于载台状态在滑道上往复运动，转向机构使第一吸附平台和第二吸附平台分别在第一运动模式和第二运动模式之间转换。

9、可选地，第一吸附平台和第二吸附平台同步运动。

10、可选地，在第一运动模式中，第一吸附平台和第二吸附平台的自由端相接，以使第一吸附平台和第二吸附平台在同一个平面上。

11、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，第一吸附平台和第二吸附平台上分别设置有多个吸附孔。

12、可选地，在第一运动模式中，吸附孔在掩膜板上的正投影落在掩膜板的遮光区上。

13、可选地，第一吸附平台上的多个吸附孔至少围合形成一个矩形区域，和/或，第二吸附平台上的多个吸附孔至少围合形成一个矩形区域。

14、可选地，矩形区域对应的矩形的边分别与第一吸附平台和/或第二吸附平台对应的边平行。

15、可选地，吸附孔的直径为大于或者2mm且小于或者等于4㎜。

16、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，第一吸附平台和第二吸附平台上分别设置第一褶皱缓解槽和第二褶皱缓解槽，第一褶皱缓解槽和第二褶皱缓解槽围合形成预设区域，在第一运动模式中，掩膜板的边缘在吸附平台上的正投影落在预设区域内。

17、可选地，预设区域对应的形状为封闭矩形。

18、可选地，第一褶皱缓解槽为设置在第一吸附平台朝向载台的表面上的第一凹槽，第二褶皱缓解槽为设置在第二吸附平台朝向载台的表面上的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽相连通。

19、可选地，掩膜板包括掩膜板框架和掩膜板网面，掩膜板框架为中空框体，环绕设置在掩膜板网面的边缘，掩膜板框架在吸附平台上的正投影落在预设区域内。

20、可选地，化学沉积装置还包括支撑平台，支撑平台设置在载台的外围，用于支撑掩膜板框架。

21、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，第一吸附平台包括第一子吸附平台和第二子吸附平台，第一子吸附平台的一端与第一导向结构连接，第一子吸附平台的另一端与第二子吸附平台的一端的连接，第二子吸附平台的另一端为自由端且第二子吸附平台可以相对第一子吸附平台运动。第二吸附平台包括第三子吸附平台和第四子吸附平台，第三子吸附平台的一端与第二导向结构连接，第三子吸附平台的另一端与第四子吸附平台的一端的连接，第四子吸附平台的另一端为自由端且第四子吸附平台可以相对第三子吸附平台运动。

22、可选地，第一子吸附平台和第三子吸附平台在载台所在平面上的正投影覆盖部分载台，第二子吸附平台和第四子吸附平台在载台所在平面上的正投影落在载台上。

23、本公开第二方面提供一种化学沉积方法，化学沉积方法包括：提供待沉积基材和掩膜板，其中，待沉积基材包括待沉积区，掩膜板包括遮光区和图形区，掩膜板设置在待沉积基材的待沉积侧，且掩膜板的图形区与待沉积基材的待沉积区对应；将待沉积基材和掩膜板装载到化学沉积装置的反应腔室内的载台上，其中，反应腔室具有封闭空间，待沉积基材的非沉积侧与载台接触，待沉积基材的非沉积侧与待沉积基材的沉积侧相对设置；驱动位于初始位置的吸附结构，使吸附结构从第一预设状态转换到第二预设状态，其中，在第一预设状态中，吸附结构在载台所在平面上的正投影落在掩膜板在载台所在平面上的正投影之外，在第二预设状态中，吸附结构在载台平面上的正投影覆盖掩膜板在载台所在平面上的正投影，初始位置为吸附结构位于反应腔室的内侧壁上，吸附结构在载台平面上的正投影覆盖掩膜板在载台所在平面上的正投影；继续驱动吸附结构，使吸附结构向靠近掩膜板的方向运动，与掩膜板接触且将掩膜板平整地吸附在吸附结构上，使掩膜板与待沉积基材的接触表面为平面；控制吸附结构，使吸附结构向远离掩膜板的方向运动，然后从第二预设状态转换到第一预设状态，并回到初始位置；开始沉积，将待沉积材料沉积到待沉积基材的待沉积侧形成薄膜。

24、在上述方案中，利用该化学沉积方法沉积形成的膜层的均匀性和性能得到了提升，具体的，由于形成过程吸附结构吸附掩膜板使掩膜板平整无间隙的贴合在待沉积基材上，从而有效地改善了阴影效应，因此，使得到的膜层厚度均匀分布，性能得到提升。

25、在本公开第一方面的一个具体实施方式中，驱动位于初始位置的吸附结构，使吸附结构从第一预设状态转换到第二预设状态，包括：驱动位于反应腔室的内侧壁上的第一导向结构上的第一吸附平台，使第一吸附平台以第二运动模式的方式向远离载台的方向运动到第一预设位置，然后基于第一导向结构包括的转向机构将第一吸附平台从垂直于载台的方向转向成平行于载台的方向，其中，第一预设位置为第一吸附平台到载台的最大距离位置，第二运动模式包括第一吸附平台以垂直于载台的状态在靠近或远离载台的方向上往复运动；驱动位于反应腔室的内侧壁上的第二导向结构上的第二吸附平台，使第二吸附平台以第二运动模式的方式向远离载台的方向运动到第二预设位置，然后基于第二导向结构包括的转向机构将第二吸附平台从垂直于载台的方向转向成平行于载台的方向，其中，第二预设位置为第二吸附平台到载台的最大距离位置，第二运动模式包括第二吸附平台以垂直于载台的状态在靠近或远离载台的方向上往复运动。

26、可选地，第一预设位置和第二预设位置相对于反应腔室的中心轴线对称分布。

27、可选地，控制吸附结构，使吸附结构向远离掩膜板的方向运动，然后从第二预设状态转换到第一预设状态，包括：驱动第一吸附平台以第一运动模式向远离掩膜板的方向运动到第一预设位置，然后基于转向机构将第一吸附平台从平行于载台的方向转向成垂直于载台的方向，其中，第一预设位置为第一吸附平台到载台的最大距离位置，第一运动模式包括第一吸附平台以平行于载台的状态在靠近或远离载台的方向上往复运动；驱动第二吸附平台以第一运动模式向远离掩膜板的方向运动到第二预设位置，然后基于转向机构将第二吸附平台从平行于载台的方向转向成垂直于载台的方向，其中，第二预设位置为第二吸附平台到载台的最大距离位置，第一运动模式包括第二吸附平台以平行于载台的状态在靠近或远离载台的方向上往复运动。

28、可选地，驱动第一吸附平台和第二吸附平台是同步进行的，且在第二预设状态中，第一吸附平台与第二吸附平台相接构成一个平面。

29、可选地，第一吸附平台包括第一子吸附平台和第二子吸附平台，第一子吸附平台与对应的导向结构滑动可转向的连接，第二子吸附与第一子吸附平台相对滑动连接，第二吸附平台包括第三子吸附平台和第四子吸附平台，第三子吸附平台与对应的导向结构滑动可转向的连接，第四子吸附与第三子吸附平台相对滑动连接，以及驱动第一吸附平台在第一预设状态和第二预设状态相互转换的过程中，还包括在第二预设状态中控制第二子吸附平台相对第一子吸附平台伸缩；驱动第二吸附平台在第一预设状态和第二预设状态相互转换的过程中，还包括在第二预设状态中控制第四子吸附平台相对第三子吸附平台伸缩。

30、本公开第三方面提供一种元件，该元件是使用上述第一方面的化学沉积装置制备获得的，或者是采用上述第二方面的化学沉积方法获得的。