一种ALD半导体设备的气体喷淋头的制作方法

本技术涉及半导体制造，具体涉及一种ald半导体设备的气体喷淋头。

背景技术：

1、原子层沉积技术是一种先进的薄膜沉积方法，广泛应用于半导体制造中。在ald工艺中，气体喷淋头作为关键部件，主要功能是将反应气体均匀引导至晶圆表面，实现原子级沉积或蚀刻过程的气体均匀性控制。

2、传统的气体喷淋头通常采用简单的管道结构，在使用时气体通过喷淋头喷出，仅能对固定区域内的基片表面进行沉积薄膜工艺，当针对不同形状与尺寸的基片时，需要更换不同的喷淋头，从而降低喷淋头的实用性，并且降低了工作效率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种ald半导体设备的气体喷淋头，以解决现有技术中的上述不足之处。

2、为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：包括喷淋头，所述喷淋头呈圆盘状，并且喷淋头的底部开设有多个第一通孔，用于输送前驱体气体，所述喷淋头的顶端连通有进气管；

3、还包括多个第一分流板与多个第二分流板，所述第一分流板与第二分流板位于挡板底部，其用于调节气流的吹出的角度，以适应不同基片形状和尺寸，各所述第一分流板与第二分流板的两端均固定连接有连接杆，各连接杆均与所述喷淋头内壁转动连接；

4、还包括两个调节件，其分别用于驱动多个第一分流板与多个第二分流板转动，以调节分流板的角度。

5、作为上述技术方案的进一步描述：

6、所述调节件包括两个拉绳，所述拉绳绕过与第一分流板连接的各连接杆一圈后并延伸至喷淋头外。

7、作为上述技术方案的进一步描述：

8、所述调节件还包括固定于任一所述连接杆外的限位板，并且连接杆外套设有扭转弹簧，所述扭转弹簧的两端分别固定连接喷淋头内壁与限位板。

9、作为上述技术方案的进一步描述：

10、所述调节件还包括转动设置于所述喷淋头外的转轴，所述转轴外固定连接有两个绕绳轮，两个所述拉绳分别缠绕与两个绕绳轮外，所述转轴的端部固定连接有把手。

11、作为上述技术方案的进一步描述：

12、还包括固定于所述喷淋头内的两个挡板，两个所述挡板上均开设有多个第二通孔。

13、作为上述技术方案的进一步描述：

14、两个所述挡板上的第二通孔交错设置。

15、在上述技术方案中，本实用新型提供的一种ald半导体设备的气体喷淋头具备的有益效果：

16、本实用新型：气体通过进气管进入喷淋头内，通过第一通孔均匀排出，已增加气流与基片的接触面积，从而提高反应效率，通过调节件调节多个第一分流板与第二分流板的角度，从而实现对气体吹出角度的调节，以适应不同尺寸与形状的基片，从而提高了装置的适应性和灵活性，结构简单，方便操作。

17、应当理解，前面的一般描述和以下详细描述都仅是示例性和说明性的，而不是用于限制本公开。

18、本申请文件提供本公开中描述的技术的各种实现或示例的概述，并不是所公开技术的全部范围或所有特征的全面公开。

1.一种ald半导体设备的气体喷淋头，包括喷淋头（1），其特征在于：所述喷淋头（1）呈圆盘状，并且喷淋头（1）的底部开设有多个第一通孔（11），用于输送前驱体气体，所述喷淋头（1）的顶端连通有进气管（12）；

2.根据权利要求1所述的一种ald半导体设备的气体喷淋头，其特征在于，所述调节件包括两个拉绳（34），所述拉绳（34）绕过与第一分流板（31）连接的各连接杆（33）一圈后并延伸至喷淋头（1）外。

3.根据权利要求2所述的一种ald半导体设备的气体喷淋头，其特征在于，所述调节件还包括固定于任一所述连接杆（33）外的限位板（35），并且连接杆（33）外套设有扭转弹簧（36），所述扭转弹簧（36）的两端分别固定连接喷淋头（1）内壁与限位板（35）。

4.根据权利要求3所述的一种ald半导体设备的气体喷淋头，其特征在于，所述调节件还包括转动设置于所述喷淋头（1）外的转轴（37），所述转轴（37）外固定连接有两个绕绳轮（38），两个所述拉绳（34）分别缠绕与两个绕绳轮（38）外，所述转轴（37）的端部固定连接有把手（39）。

5.根据权利要求1所述的一种ald半导体设备的气体喷淋头，其特征在于，还包括固定于所述喷淋头（1）内的两个挡板（2），两个所述挡板（2）上均开设有多个第二通孔（21）。

6.根据权利要求5所述的一种ald半导体设备的气体喷淋头，其特征在于，两个所述挡板（2）上的第二通孔（21）交错设置。