存储器装置及其数据存取方法与流程

摘要: 本发明是有关于一种存储器装置及其数据存取方法,且特别是有关于一种可降低数据的原始位元错误率(rawbiterrorrate,rber)的存储器装置及其数据存取方...
存储器装置及其数据存取方法与流程

本发明是有关于一种存储器装置及其数据存取方法,且特别是有关于一种可降低数据的原始位元错误率(raw bit error rate, rber)的存储器装置及其数据存取方法。

背景技术:

1、在现有的存储器装置中,常因几种状态而发生数据漏失的现象。例如,编程/读取循环后常发生干扰,导致相邻的存储单元储存数据的逻辑值产生破坏;存储单元中的电荷因储存时期过长、或温度变化导致的数据错误。

2、现有的存储器装置常应用纠错码(error-correcting code, ecc)的技术来进行错误位元的修正。然而,在部分应用中,例如乘积加法运算(multiply-accumulate, mac),需针对原始的数据进行运算,而不设置纠错码的相关电路。在这样的应用下,低原始位元错误率的存储器装置是必要的。

技术实现思路

1、本发明提供一种存储器装置及其数据存取方法,可有效降低在读取操作时因错误判断所发生的读出数据错误的现象。

2、本发明的数据存取方法包括:在读取动作中,施加读取电压至多个选中存储单元,其中选中存储单元分别用以储存多个根据写入数据所产生的多个子数据;以及,感测选中存储单元所产生的至少一读取电流,并根据至少一读取电流以产生读出数据。

3、本发明的存储器装置包括多个存储单元区块、多个页缓冲器以及控制器。页缓冲器分别耦接至存储单元区块上的多条全区位线。控制器耦接存储单元区块以及页缓冲器。控制器用以执行上述的数据存取方法。

4、基于上述,本发明的存储器装置中,根据写入数据所产生的多个子数据储存在至多个选中存储单元中。当进行读取动作时,可通过提供读取电压至选中存储单元,经由读取选中存储单元所提供的读取电流来获得所储存的数据,并借此可降低因存储单元劣化或读取过程中的所产生的误判断,而导致读出数据发生错误的可能性。

1.一种存储器装置的数据存取方法,包括:

2.根据权利要求1所述的数据存取方法,其中这些子数据具有相同的逻辑值。

3.根据权利要求1所述的数据存取方法,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该存取方法还包括:

4.根据权利要求3所述的数据存取方法,还包括:

5.根据权利要求1所述的数据存取方法,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该存取方法还包括:

6.根据权利要求5所述的数据存取方法,还包括:

7.根据权利要求1所述的数据存取方法,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该存取方法还包括:

8.根据权利要求1所述的数据存取方法,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该存取方法还包括:

9.根据权利要求1所述的数据存取方法,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元、一第二选中存储单元以及一第三选中存储单元,该存取方法还包括:

10.一种存储器装置,包括:

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中这些子数据具有相同的逻辑值。

12.根据权利要求10所述的存储器装置,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元设置在相同的存储单元区块中的相同的存储单元子区块中,该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元相互串联耦接。

13.根据权利要求12所述的存储器装置,其中对应该第一选中存储单元的该页缓冲器感测该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元共同提供的一第一读取电流,并在该第一读取电流小于一第一预设阈值时,判断该读出数据为一第一逻辑值。

14.根据权利要求10所述的存储器装置,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元分别设置在相同的存储单元区块中的不相同的多个存储单元子区块中。

15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中对应该第一选中存储单元及该第二选中存储单元的这些页缓冲器感测该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元分别提供的一第一读取电流以及一第二读取电流,并在当该第一读取电流以及该第二读取电流的和大于一第二预设阈值时,判断该读出数据为一第二逻辑值。

16.根据权利要求10所述的存储器装置,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元设置在相同的存储单元区块中的相同的存储单元子区块中,该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元分别耦接至不相同的全区位线。

17.根据权利要求10所述的存储器装置,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元以及一第二选中存储单元,该第一选中存储单元以及该第二选中存储单元分别设置在不相同的存储单元区块中。

18.根据权利要求10所述的存储器装置,其中这些选中存储单元包括一第一选中存储单元、一第二选中存储单元以及一第三选中存储单元,该第一选中存储单元与该第二选中存储单元相互串联,并设置在相同的一第一存储单元区块中的相同的存储单元子区块,该第一选中存储单元与该第三选中存储单元分别设置在相同的该第一存储单元区块中的不同存储单元子区块,或者,使该第三选中存储单元设置在与该第一存储单元区块中不同的一第二存储单元区块中。

19.根据权利要求10所述的存储器装置,其中各该存储单元区块为与非式闪存单元区块。