具有位线选择晶体管的页缓冲器电路的制作方法

本申请描述了总体上涉及半导体存储器件的实施例。

背景技术：

1、可以将半导体存储器件分类成易失性存储器件和非易失性存储器件。一般而言，易失性存储器件在断电时丢失数据，而非易失性存储器件即使在断开电源时也能保留所存储的数据。为了实现更高的数据存储密度，半导体制造商开发了垂直器件技术，例如，三维（3d）nand闪存存储技术等。这样的3d nand闪存存储器是一种非易失性存储器件。多平面nand闪存存储器可以具有多个平面，每个平面可以包括多个块。存储在块内的数据可以被读取并在页缓冲器中被缓冲。

技术实现思路

1、本公开的方面提供存储器件。例如，该存储器件可以包括存储阵列、位线和缓冲器。存储阵列可以包括多个存储串，该存储串被划分成第一存储串组和第二存储串组。该位线可以包括耦合到第一存储串组的第一位线区段和耦合到第二存储串组的第二位线区段。第一位线区段可以设置在第一存储串组和缓冲器之间，并且通过第一传导路径连接到缓冲器。第二位线区段可以设置在第二存储串组和缓冲器之间，并且通过第二传导路径连接到缓冲器。

2、在实施例中，存储器件还可以包括过孔，其中，第一位线区段通过过孔耦合到缓冲器。在另外的实施例中，存储器件还可以包括设置在第一传导路径中的第一开关和设置在第二传导路径中的第二开关，第一开关被配置为响应于第一开关信号而被导通以将第一位线区段耦合到缓冲器，并且第二开关被配置为响应于第二开关信号而被导通以将第二位线区段耦合到缓冲器。例如，当存储器件在编程模式或读取模式下操作时，第一开关和第二开关中的一个可以被导通。作为另一个示例，当存储器件在擦除模式下操作时，第一开关和第二开关两者可以被导通。在实施例中，存储器件还可以包括第一管芯和键合到第一管芯的第二管芯，第一管芯包括存储阵列和位线，并且第二管芯包括缓冲器、第一开关和第二开关，其中，位线设置在第一管芯的面对第二管芯的侧表面处。

3、在实施例中，存储器件还可以包括第一存储平面，其中，第一存储串组和第二存储串组包括在第一存储平面中。在另外的实施例中，存储器件还可以包括第一存储平面和第二存储平面，其中，第一存储串组包括在第一存储平面中，并且第二存储串组包括在第二存储平面中。

4、本公开的方面提供另一种存储器件。例如，存储器件可以包括存储阵列、位线和缓冲器。存储阵列可以包括多个存储串，该存储串被划分成第一存储串组和第二存储串组。位线可以包括耦合到第一存储串组的第一位线区段和耦合到第二存储串组的第二位线区段。缓冲器可以被设置为相比于第一存储串组更靠近第一位线区段，并且通过第一传导路径连接到第一位线区段，并且缓冲器被设置为相比于第二存储串组更靠近第二位线区段，并且通过第二传导路径连接到第二位线区段。

5、本公开的方面提供另外的存储器件。例如，存储器件可以包括第一存储平面、第一位线、第二存储平面、第二位线和页缓冲器。第一存储平面可以包括多个第一存储阵列。第一位线分别可以耦合到第一存储平面的第一存储阵列。第二存储平面可以包括多个第二存储阵列。第二位线分别可以耦合到第二存储平面的第二存储阵列。页缓冲器均可以耦合到第一位线中的对应的一个和第二位线中的对应的一个。

6、在实施例中，存储器件还可以包括第一平面开关和第二平面开关，第一平面开关均被配置为被导通以将第一位线耦合到页缓冲器中的对应的一个，并且第二平面开关均被配置为被导通以将第二位线耦合到页缓冲器中的对应的一个。例如，当存储器件在擦除模式、编程模式或读取模式下操作时，第一平面开关或第二平面开关可以被导通。

7、在另外的实施例中，页缓冲器中的一个可以包括耦合到第一位线中的一个的第一页缓冲器部分和耦合到第二位线中的一个的第二页缓冲器部分。例如，第一存储阵列中的一个的对应于第一位线中的一个的第一存储串可以被划分成第一存储串组和第二存储串组，并且第一位线中的一个包括第一位线区段和第二位线区段，第一位线区段设置在第一存储串组和第一页缓冲器部分之间并通过第一传导路径连接到第一页缓冲器部分，并且第二位线区段设置在第二存储串组和第二页缓冲器部分之间并通过第二传导路径连接到第二页缓冲器部分。在一些实施例中，存储器件还可以包括第一开关和第二开关，第一开关被配置为响应于第一开关信号而被导通以将第一位线区段耦合到第一页缓冲器部分，并且第二开关被配置为响应于第二开关信号而被导通以将第二位线区段耦合到第二页缓冲器部分。

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一管芯还包括：

4.根据权利要求1所述的存储器件，还包括过孔，其中，所述第一位线通过所述过孔耦合到所述第一页缓冲器。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述存储器件在编程模式或读取模式下操作时，所述第一平面开关和所述第二平面开关中的一个被导通。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述存储器件在擦除模式下操作时，所述第一平面开关和所述第二平面开关两者被导通。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一页缓冲器被配置为在所述第一存储平面的读取操作期间保存从所述第一存储平面读取的数据，在所述第一存储平面的编程操作期间保存将写入所述第一存储平面的数据。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一页缓冲器还被配置为在所述第二存储平面的读取操作期间保存从所述第二存储平面读取的数据，在所述第二存储平面的编程操作期间保存将写入所述第二存储平面的数据。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一平面开关和所述第二平面开关位于所述第二管芯。

10.一种存储系统，包括：