存储电路及其操作方法与流程

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及存储电路及其操作方法。

背景技术：

1、半导体产业由于各种电子元件（例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等）的集成电路密度的一连串改良，已经历经快速的成长。集成电路密度的改良最主要源于最小特征在尺寸上的不断减小，此情形使得更多元件可以集成至给定区域中。

技术实现思路

1、本发明的一实施例提供了一种存储电路，包括：存储器阵列，包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分包括多个第一存储单元，所述多个第一存储单元分别被配置为多次写入，且所述第二部分包括多个第二存储单元，所述多个第二存储单元分别被配置为一次写入；其中所述多个第一存储单元中的至少一个被配置为暂存以下多个信息中的至少一个：微调码信息、修复信息、读取参考电流信息和写入电压信息。

2、本发明的另一实施例提供了一种存储电路，包括：存储器阵列，包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分包括多个第一存储单元，所述多个第一存储单元分别被配置为多次写入，且所述第二部分包括多个第二存储单元，所述多个第二存储单元分别被配置为一次写入；以及控制器，可操作地耦合至所述存储器阵列；其中所述控制器被配置为使所述存储器阵列的所述第一部分暂存以下多个信息中的至少一个：微调码信息、修复信息、读取参考电流信息和写入电压信息。

3、本发明的又一实施例提供了一种存储电路的操作方法，包括：提供存储器阵列，所述存储器阵列包括至少第一部分、第二部分及第三部分，其中所述第一部分包括被配置为多次写入的多个第一存储单元，所述第二部分包括被配置为一次写入的多个第二存储单元，且所述第三部分包括被配置为多次写入的多个第三存储单元；对所述存储器阵列的所述第三部分执行测试；对所述存储器阵列的所述第一部分写入以下多个信息中的至少一个：微调码信息、修复信息、读取参考电流信息和写入电压信息；响应于通过所述测试，将所述信息自所述存储器阵列的所述第一部分传输至所述存储器阵列的所述第二部分；以及响应于所述测试失败，修复所述存储器阵列的所述第三部分，直到所述第三部分通过所述测试。

1.一种存储电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储电路，其中所述多个第二存储单元中的至少一个被配置为永久储存由所述多个第一存储单元中的所述至少一个所暂存的所述信息。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元分别包括电阻式随机存取存储器（rram）单元。

4.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元分别包括磁阻式随机存取存储器（mram）单元。

5. 根据权利要求1所述的存储电路，其中所述存储器阵列还包括：

6. 一种存储电路，包括：

7.根据权利要求所述6的电路，其中，当通过测试时，所述控制器被配置为使所述存储器阵列的所述第二部分永久存储所述信息。

8.一种存储电路的操作方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个第一存储单元、所述多个第二存储单元和所述多个第三存储单元中的每个均包括电阻式随机存取存储器（rram）单元。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个第一存储单元、所述多个第二存储单元和所述多个第三存储单元中的每个均包括磁阻式随机存取存储器（mram）单元。