闪存装置及其测试方法与流程

本发明涉及一种存储器测试技术，且尤其涉及一种闪存装置及其所采用的测试方法。

背景技术：

1、对闪存而言，阈值电压分布为存储单元性能与可靠度的重要考虑点之一。由于在存储单元的编程（program）与抹除（erase）的操作中，存储器芯片的抹除操作后的阈值电压分布会影响到芯片的整体运作，所以利用一测试方法以准确地获取阈值电压分布是非常重要的。然而，目前产生阈值电压分布的方法仍是要利用每个存储单元（位）进行测试，需花费相当大量的测试时间，不符合经济效应。

技术实现思路

1、本发明提供一种闪存装置及其测试方法，能够有效减少测试时间。

2、本发明的闪存装置包括存储器芯片以及存储器控制电路。存储器芯片具有迷你阵列、测试存储单元及主阵列。存储器控制电路耦接存储器芯片。存储器控制电路对迷你阵列、测试存储单元及主阵列进行抹除操作，接着针对迷你阵列、测试存储单元及主阵列量取各自的漏极电流与栅极电压的关系，以记录分别对应于主阵列、测试存储单元及迷你阵列的第一电流电压曲线、第二电流电压曲线以及第三电流电压曲线。存储器控制电路分析第二电流电压曲线及第三电流电压曲线，以取得目标中间电压点。存储器控制电路分析第一电流电压曲线，以取得左范围长度。存储器控制电路分析第三电流电压曲线，以取得右范围长度。存储器控制电路根据目标中间电压点、左范围长度及右范围长度，绘制阈值电压分布。

3、本发明的闪存装置的测试方法包括下列步骤：对迷你阵列、测试存储单元及主阵列进行抹除操作；针对迷你阵列、测试存储单元及主阵列量取各自的漏极电流与栅极电压的关系，以记录分别对应于主阵列、测试存储单元及迷你阵列的第一电流电压曲线、第二电流电压曲线以及第三电流电压曲线；分析第二电流电压曲线及第三电流电压曲线，以取得目标中间电压点；分析第一电流电压曲线，以取得左范围长度；分析第三电流电压曲线，以取得右范围长度；以及根据目标中间电压点、左范围长度及右范围长度，绘制阈值电压分布。

4、基于上述，本发明的闪存装置及其测试方法无需对每个存储单元（位）进行测试，即能够快速评估出芯片的阈值电压分布，有效减少产生阈值电压分布所需的测试时间。如此一来，有利于产品开发、良率验证、晶圆针测（chip probing，cp）等程序的改善，提升芯片调校的效率。

5、为让本案的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

1.一种闪存装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述存储器控制电路对所述第三电流电压曲线进行微分，以找出微分结果的最大值作为第一最大值，且将与所述第一最大值对应的所述栅极电压作为初始中间电压点，

3.根据权利要求2所述的闪存装置，其特征在于，所述存储器控制电路对所述第二电流电压曲线进行微分，以找出微分结果的最大值作为第二最大值，且将与所述第二最大值对应的所述栅极电压作为最大值电压，

4.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述存储器控制电路针对所述第一电流电压曲线找出所述漏极电流为低电流值时的所述栅极电压，且将其作为左范围电压点，

5.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述存储器控制电路针对所述第三电流电压曲线找出所述漏极电流为低电流值时的所述栅极电压，且将其作为迷你阵列右范围电压点，

6.根据权利要求1所述的闪存装置，其特征在于，所述存储器控制电路将由所述左范围长度及所述右范围长度相加所得的总范围长度与参考范围长度进行比较，以判断所绘制的所述阈值电压分布是否正常。

7.一种闪存装置的测试方法，其特征在于，所述闪存装置包括迷你阵列、测试存储单元及主阵列，所述测试方法包括：

8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，分析所述第二电流电压曲线及所述第三电流电压曲线，以取得所述目标中间电压点的步骤包括：

9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，分析所述第二电流电压曲线及所述第三电流电压曲线，以取得所述目标中间电压点的步骤更包括：

10.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，分析所述第一电流电压曲线，以取得所述左范围长度的步骤包括：

11.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，分析所述第三电流电压曲线，以取得所述右范围长度的步骤包括：

12.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，更包括：