操作方法及存储器与流程

本申请涉及存储，具体涉及一种操作方法及存储器。

背景技术：

1、存储器包括用于存储对应数据的存储阵列，这些数据包括数据“1”和数据“0”中的至少一个。

2、然而，从存储阵列中读出数据时，在一些情况下会把数据“1”读出为数据“0”，这导致读出错误，降低了读操作的可靠性。

技术实现思路

1、本申请提供一种操作方法及存储器，以缓解从存储阵列中读出数据时发生读出错误的技术问题。

2、第一方面，本申请提供一种操作方法，该操作方法应用于存储器，存储器包括存储阵列，存储阵列包括与存储字线连接的存储单元和与参考字线连接的参考单元，该操作方法包括：根据从参考单元读出的参考数据，确定读出参考数据时施加于参考字线的字线电压为目标电压；施加目标电压于存储字线，以从存储单元读出存储数据，存储单元被擦除后的阈值电压大于或者等于参考单元被擦除后的阈值电压。

3、第二方面，本申请提供一种存储器，该存储器执行上述的操作方法。

4、本申请提供的操作方法及存储器，通过根据从参考单元读出的参考数据确定读出参考数据时施加于参考字线的字线电压为目标电压，施加目标电压于存储字线以从存储单元读出存储数据，可以保证目标电压与存储单元的阈值电压相匹配，能够从存储单元读出正确的存储数据，从而避免了从存储阵列读出错误的数据，提高了读操作的可靠性。

1.一种操作方法，其特征在于，所述操作方法应用于存储器，所述存储器包括存储阵列，所述存储阵列包括与存储字线连接的存储单元和与参考字线连接的参考单元，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述根据从所述参考单元读出的参考数据，确定读出所述参考数据时施加于所述参考字线的字线电压为目标电压，包括：

3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述施加所述目标电压于所述存储字线，以从所述存储单元读出存储数据之后，还包括：

4.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述根据从所述参考单元读出的参考数据，确定读出所述参考数据时施加于所述参考字线的字线电压为目标电压，还包括：

5.根据权利要求4所述的操作方法，其特征在于，所述若所述参考数据未全部为数据“1”，则提高所述字线电压，包括：

6.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述若所述参考数据未全部为数据“1”，则判断所述字线电压是否达到所述最大电压之后，还包括：

7.根据权利要求1-6任一项所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括：

8.根据权利要求1-6任一项所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法应用于所述存储器的上电过程中。

9.一种存储器，其特征在于，所述存储器执行如权利要求1-8任一项所述的操作方法。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，每个所述存储单元和每个所述参考单元均包括一存储晶体管，每行所述存储晶体管的控制极连接所述参考字线或者所述存储字线，每列所述存储晶体管的第一极连接一对应不同的位线，全部所述存储晶体管的第二极连接一感测线。