具有差异强化的盖构件的电子设备的制作方法
所描述的实施方案整体涉及用于电子设备的强化盖。更具体地,本实施方案涉及被化学强化以包括至少一个部分的盖构件,该至少一个部分比盖构件的相邻部分被化学强化到更大程度。
背景技术:
1、用于便携式电子设备的常规盖构件可由玻璃制成,并且在一些情况下可在显示器上方提供。常规的玻璃盖构件可以通过在整个表面上基本上均匀的离子交换来化学强化。这种均匀强化的玻璃盖构件可在前表面和后表面处具有对称的压缩应力区域,在该压缩应力区域之间具有拉伸应力区域。
技术实现思路
1、以下公开的方面涉及用于电子设备的被差异强化的盖构件。盖构件可以是电子设备的壳体的一部分,并且可以定位在电子设备的显示器或另一部件上方。盖构件的差异强化可以为盖构件的被强化到更大程度的部分提供提高的抗裂性。本公开的另外的方面涉及包括本文所述的盖构件的壳体和电子设备。
2、在实施方案中,差异强化的盖构件包括至少一个化学强化区,该至少一个化学强化区比另一个化学强化区被化学强化到更大程度。盖构件的具有更大程度的化学强化的区可具有比其他区更大的抗裂性。在一些情况下,盖构件的具有更大程度的化学强化的区限定延伸穿过盖构件的厚度的压缩应力分布。
3、在一些情况下,盖构件的具有更大程度的化学强化的区包括盖构件的窗口部分,该窗口部分定位在光学部件上方。提供给窗口部分的更大程度的化学强化可以有助于防止裂纹传播穿过窗口部分。
4、在另外的情况下,盖构件的具有更大程度的化学强化的一个或多个化学强化区至少部分地围绕盖构件的另一个化学强化区。例如,盖构件可以包括窗口部分和至少部分地围绕窗口部分布置的屏障部分集。该组屏障部分包括化学强化区,该化学强化区具有比相邻化学强化区更大程度的化学强化。在一些情况下,屏障部分中的一个或多个屏障部分具有延伸穿过盖构件的厚度的压缩应力区域。在一些情况下,该组屏障部分可以限定屏障,该屏障有助于阻挡裂纹从盖构件的周边朝向窗口部分传播。在另外的情况下,该组屏障部分可以定位在盖构件的较薄部分处,以向较薄部分提供防止破裂的另外的保护。
5、本公开提供了一种电子设备,所述电子设备包括壳体,所述壳体包括限定外表面和内表面的盖构件。所述盖构件包括:第一化学强化区,所述第一化学强化区限定第一应力分布,所述第一应力分布包括从所述外表面延伸到所述内表面的第一压缩应力区域;以及第二化学强化区,所述第二化学强化区围绕所述第一化学强化区并限定第二应力分布。所述第二应力分布包括:第二压缩应力区域,所述第二压缩应力区域从所述外表面延伸;第三压缩应力区域,所述第三压缩应力区域从所述内表面延伸;以及拉伸应力区域,所述拉伸应力区域位于所述第二压缩应力区域与所述第三压缩应力区域之间。
6、本公开还提供了一种电子设备,所述电子设备包括显示器以及壳体,所述壳体至少部分地围绕所述显示器并包括盖构件。所述盖构件包括:窗口部分,所述窗口部分定位在所述显示器上方并具有窗口应力分布,所述窗口应力分布包括:外压缩应力区域,所述外压缩应力区域从所述盖构件的外表面延伸;内压缩应力区域,所述内压缩应力区域从所述盖构件的内表面延伸;以及拉伸应力区域,所述拉伸应力区域定位在所述外压缩应力区域与所述内压缩应力区域之间;以及屏障部分集,所述屏障部分集至少部分地围绕所述窗口部分布置,所述屏障部分集中的每个屏障部分具有相应屏障应力分布,所述屏障应力分布包括压缩应力区域,所述压缩应力区域从所述盖构件的所述外表面延伸到比所述窗口应力分布的所述外压缩应力区域的深度更大的深度。
7、本公开进一步提供了一种电子设备,所述电子设备包括光学部件以及壳体,所述壳体包括盖构件。所述盖构件包括第一化学强化区,所述第一化学强化区定位在所述光学部件上方并具有第一应力分布,所述第一应力分布包括从所述盖构件的外表面延伸到第一深度的压缩应力区域。所述盖构件还包括第二化学强化区,所述第二化学强化区围绕所述第一化学强化区并限定第二应力分布,所述第二应力分布包括:外压缩应力区域,所述外压缩应力区域从所述盖构件的所述外表面延伸到小于所述第一深度的第二深度;内压缩应力区域,所述内压缩应力区域从所述盖构件的内表面延伸;以及拉伸应力区域,所述拉伸应力区域定位在所述外压缩应力区域与所述内压缩应力区域之间。
1. 一种电子设备,包括:
2. 根据权利要求1所述的电子设备,其中,
3. 根据权利要求2所述的电子设备,其中,
4.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述屏障部分集包括:
5.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述屏障部分集中的每个的相应压缩深度等于所述盖构件的相应厚度。
6.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述盖构件是平坦的。
7.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述盖构件由玻璃陶瓷形成。
8. 一种电子设备,包括:
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中:
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述第二强化区集中的每个第二强化区定位在所述过渡部分内。
11.根据权利要求9所述的电子设备,其中:
12.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述过渡部分限定所述盖构件中的弯曲部。
13.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述第二强化区集中的每个的相应压缩应力区域从所述外表面延伸到所述盖构件的所述内表面。
14.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述盖构件由玻璃陶瓷形成。
15. 一种电子设备,包括:
16.根据权利要求15所述的电子设备,其中:
17. 根据权利要求16所述的电子设备,其中:
18. 根据权利要求17所述的电子设备,其中:
19.根据权利要求18所述的电子设备,其中,靠近所述四个边缘的集中的相应边缘定位的所述多个屏障部分定位在距所述相应边缘5mm以内。
20.根据权利要求18所述的电子设备,其中,所述多个屏障部分具有均匀的间距。
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