半导体装置封装及其制造方法与流程

本公开大体上涉及一种半导体装置封装及其制造方法。更具体地，本公开涉及一种包含导电柱的半导体装置封装及其制造方法。

背景技术：

1、导电柱(例如，铜柱)在半导体装置封装中广泛用于电连接，并且在许多应用中需要高导电柱(例如，高度大于200微米)。然而，形成高导电柱可能遇到许多问题。例如，为了保护导电柱，可以形成模塑料以完全覆盖导电柱，并且进行研磨工艺来去除一部分模塑料以暴露导电柱。然而，导电柱可能在制造过程中被损坏。

2、此外，在制造半导体装置封装的现有工艺中，形成再分布层(rdl)，在rdl上形成导电柱和裸片(或芯片)，然后在rdl上形成模塑料以覆盖导电柱和裸片。因此，如果制造过程的任何一个步骤失败，则整个半导体装置封装也将被视为失败，即使裸片功能良好。这会增加制造成本并降低良品率。

技术实现思路

1、在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含导电层、第一导电柱、电路层和第二导电柱。所述导电层具有第一表面。所述第一导电柱安置于所述导电层的所述第一表面上。所述电路层安置于所述导电层上。所述电路层具有面向所述导电层的第一表面。所述第二导电柱安置于所述电路层的所述第一表面上。所述第一导电柱与所述第二导电柱物理间隔开并且电连接到所述第二导电柱。

2、在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含电路层、电子组件、导电元件和封装主体。所述电路层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述电子组件安置于所述电路层的所述第一表面上。所述导电元件安置于所述电路层的所述第一表面上。所述封装主体安置于所述电路层的所述第一表面上且覆盖所述导电元件。所述封装主体具有容纳所述电子组件的腔。

3、在一或多个实施例中，一种制造半导体装置封装的方法包含：(a)提供具有导电层和安置于所述导电层上的第一导电柱的第一结构；(b)提供具有电路层和安置于所述电路层上的第二导电柱的第二结构；以及(c)通过导电粘合将所述第一导电柱与所述第二导电柱连接。

1.一种半导体装置封装，其包括：

2. 根据权利要求1所述的半导体装置封装，更包括：

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱较所述第三导电柱远离所述电子组件，且所述第一导电柱的所述直径大于所述第三导电柱的所述直径。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱的所述直径大于所述第二导电柱的所述直径。

5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，更包括：

6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，更包括：

7. 根据权利要求2所述的半导体装置封装，更包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述封装主体在所述水平方向上重叠所述电子组件。

9.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述封装主体在所述水平方向上重叠所述第一导电柱。

10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，更包括：

11.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电柱的所述直径大于所述第二导电柱的所述直径，且所述第三导电柱的所述直径小于所述第四导电柱的所述直径。

12.一种半导体装置封装，其包括：

13. 根据权利要求12所述的半导体装置封装，更包括：

14.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述第一导电粘合的直径小于所述第一导电柱的所述直径和所述第二导电柱的所述直径的至少一者。

15.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述电路层具有通孔，所述通孔接触所述第二导电柱且朝远离所述第二导电柱的方向渐缩。

16.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述第一导电粘合接触所述第一导电柱与所述第二导电柱。

17. 根据权利要求12所述的半导体装置封装，更包括：

18.根据权利要求17所述的半导体装置封装，其中所述封装主体在水平方向上重叠所述第一导电柱。

19.根据权利要求18所述的半导体装置封装，其中所述封装主体在所述水平方向上重叠所述第一导电粘合和所述第二导电柱。

20.一种用于制造半导体装置封装的方法，其包括：