用于电隔离和热耗散的半导体封装空腔的制作方法

本申请涉及一种用于电隔离和热耗散的半导体封装空腔。

背景技术：

1、半导体晶片是用于制造半导体芯片的圆形半导体材料(例如硅)件。一般来说，使用复杂的制造工艺以在单个晶片上形成许多集成电路。在晶片上形成此类集成电路被称为制造。在晶片制造之后，将晶片切割成多个件，称为半导体裸片，其中每一裸片含有集成电路中的一或多者。将晶片切割或锯切成个别裸片被称为单分。然后可将个别裸片附接到衬底或裸片附接焊盘。随后用模塑料覆盖所得结构以产生封装。

技术实现思路

1、在示例中，一种半导体封装包含：裸片附接焊盘；以及半导体构件，其具有附接到所述裸片附接焊盘的底表面、与所述底表面相对的顶表面，以及空腔。所述半导体封装还包含：绝缘层，其在所述空腔中并且在所述顶表面的至少一部分上；以及半导体裸片，其在所述空腔内部并且通过裸片附接材料附接到所述绝缘层。

2、在示例中，一种用于制造半导体封装的方法包含：蚀刻半导体晶片以形成空腔；在所述半导体晶片上沉积绝缘层；锯切所述半导体晶片以产生包含所述空腔的半导体构件；使用第一裸片附接材料将所述半导体构件附接到金属裸片附接焊盘；使用第二裸片附接材料将半导体裸片附接到所述空腔内部的所述半导体构件；将键合线附接到所述半导体裸片的装置侧并且附接到导电端子；以及用模塑料覆盖所述金属裸片附接焊盘、所述导电端子、所述半导体构件、所述第一裸片附接材料和所述第二裸片附接材料、所述绝缘层、所述半导体裸片以及所述键合线。

1.一种半导体封装，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括在所述裸片附接材料的最顶部部分与由所述绝缘层的接触所述半导体构件的所述顶表面的一部分的顶表面限定的水平面之间的垂直间隙。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述绝缘层包括无机介电材料。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述绝缘层具有在1微米到20微米的范围内的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述裸片附接材料具有至少75瓦特每米开尔文w/mk的热导率。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述空腔的体积大于所述裸片附接材料的体积与所述半导体裸片的一部分的体积的组合，所述半导体裸片的所述一部分在由所述绝缘层的接触所述半导体构件的所述顶表面的一部分的顶表面限定的水平面下方。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述裸片附接材料是第一裸片附接材料，所述半导体封装进一步包括在所述裸片附接焊盘与所述半导体构件之间的第二裸片附接材料。

8.一种半导体封装，其包括：

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其进一步包括：

10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第二表面包围所述空腔。

11.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述空腔的体积大于所述第二裸片附接材料的体积与所述半导体裸片的在所述水平面下方的一部分的体积的组合。

12.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述绝缘层包括选自由氮化硅、二氧化硅和氮氧化物组成的群组的无机介电材料。

13.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述绝缘层具有在1微米到20微米的范围内的厚度。

14.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第二裸片附接材料具有至少75瓦特每米开尔文w/mk的热导率。

15.根据权利要求8所述的半导体封装，其进一步包括在所述空腔中并且接触所述第二裸片附接材料的第二半导体裸片，所述第二半导体裸片具有通过第二键合线附接到第二导电端子的第二装置侧。

16.一种用于制造半导体封装的方法，其包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中沉积所述绝缘层包括使用等离子体增强化学气相沉积pecvd或喷涂技术。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述绝缘层具有在1微米到20微米的范围内的厚度。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述空腔的深度是所述半导体裸片的厚度的至少50%。

20.根据权利要求16所述的方法，其中在将所述半导体裸片附接到所述半导体构件期间，所述第二裸片附接材料填充所述空腔并且流动到所述绝缘层的接触所述半导体构件的顶表面的一部分上，而不流动经过所述顶表面的周边。