一种外延组件、发光芯片转移方法和显示屏与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种外延组件、发光芯片转移方法和显示屏。

背景技术：

1、在micro led芯片的制备流程中，将芯片从其生长衬底转移至驱动背板是制备过程中的关键工序，激光剥离（laser lift-off，简称llo）技术因其非接触式加工特性，已成为当前主流的衬底分离手段。具体的工作原理是，激光辐照至氮化镓（gan）芯片时，gan晶体吸收光子能量后发生热分解反应，生成液态金属镓（ga）和氮气（n2）。

2、但是，随着显示分辨率不断提升，micro led芯粒尺寸已微缩至微米量级，其物理质量极轻且结构刚度较低，对外部力学冲击极为敏感。在量产工艺中，激光剥离过程中分解产生的n2从发光芯片背面急剧释放，所产生的局部冲击波或射流作用力极易克服芯粒与临时基板间的微弱附着力，导致芯粒发生平面内的旋转位移或垂直方向的倾斜翻倒，其在坠落至驱动背板时，将难以实现微米级精度的对位，造成转移失效与巨量转移良率骤降。

3、因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种外延组件、发光芯片转移方法和显示屏，旨在解决现有的采用激光剥离技术进行发光芯片转移的工艺中，芯粒容易偏移，造成转移失效，转移良率下降的问题。

2、本发明的技术方案如下：

3、一种外延组件，用于发光芯片转移，其中，包括：

4、临时基板；

5、若干个发光芯片，间隔排布在所述临时基板上，所述发光芯片上背离所述临时基板的一侧设置有凸出的电极；

6、底部钝化层，形成于所述临时基板的表面；所述底部钝化层设置在相邻的所述发光芯片之间，并与所述发光芯片的侧壁连接，以将全部的所述发光芯片连成一体。

7、所述的外延组件，其中，所述外延组件还包括顶部钝化层，所述顶部钝化层设于所述发光芯片的顶面和侧壁上，且边缘与所述底部钝化层连接。

8、所述的外延组件，其中，所述顶部钝化层包括覆盖在所述发光芯片的顶面上的第一部分；

9、所述电极凸出所述发光芯片的高度值大于所述第一部分的厚度值。

10、所述的外延组件，其中，所述第一部分的厚度为500-5000a的光学钝化膜层厚度。

11、本申请还公开了一种发光芯片转移方法，其中，包括：

12、提供一外延组件；所述外延组件为如上任一所述的外延组件；

13、剥离所述临时基板，使所述底部钝化层和所述发光芯片转移至中间基板，得到临时发光组件；

14、在水浴中对所述临时发光组件进行第一次清洗，在稀盐酸中对所述临时发光组件进行第二次清洗；

15、刻蚀所述底部钝化层；

16、剥离所述中间基板，使所述发光芯片全部转移至中转基板。

17、所述的发光芯片转移方法，其中，所述中间基板包括支撑层和键合胶层；所述剥离所述临时基板，使所述底部钝化层和所述发光芯片转移至中间基板，得到临时发光组件的步骤具体包括：

18、将所述外延组件与中间基板上下相对设置；

19、采用激光照射所述外延组件，使所述底部钝化层和所述发光芯片一起脱落至所述中间基板上，通过所述键合胶层粘贴所述发光芯片。

20、所述的发光芯片转移方法，其中，所述剥离所述中间基板，使所述发光芯片全部转移至中转基板的步骤具体包括：

21、将所述临时发光组件和中转基板上下相对设置；

22、通过激光穿透所述支撑层，并解离所述键合胶层，使所述发光芯片脱落至所述中转基板上。

23、所述的发光芯片转移方法，其中，水浴的温度为60℃；或稀盐酸的浓度为5%。

24、所述的发光芯片转移方法，其中，所述刻蚀所述底部钝化层的步骤具体包括：

25、采用等离子刻蚀工艺去除所述底部钝化层，并粗化所述发光芯片的表面；

26、清水冲洗所述发光芯片，去除刻蚀所述底部钝化层产生的碎屑。

27、本申请还公开了一种显示屏，其中，包括驱动背板和多个阵列设置在所述驱动背板上的发光芯片，所述发光芯片通过如上任一所述的发光芯片转移方法，转移至所述驱动背板上。

28、与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：

29、本发明公开的外延组件通过底部钝化层将若干个发光芯片连成一体，从而在剥离临时基板的时候，克服气体产生的冲击力，减少发光芯片的偏移、翻转等问题，使整面的发光芯片可以完整、准确地脱落到衬底上，提高转移精度至光刻级，满足加工需求，提升产品良率。

1.一种外延组件，用于发光芯片转移，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的外延组件，其特征在于，所述外延组件还包括顶部钝化层，所述顶部钝化层设于所述发光芯片的顶面和侧壁上，且边缘与所述底部钝化层连接。

3.根据权利要求2所述的外延组件，其特征在于，所述顶部钝化层包括覆盖在所述发光芯片的顶面上的第一部分；

4.根据权利要求3所述的外延组件，其特征在于，所述第一部分的厚度为500-5000a的光学钝化层厚度。

5.一种发光芯片转移方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述中间基板包括支撑层和键合胶层；所述剥离所述临时基板，使所述底部钝化层和所述发光芯片转移至中间基板，得到临时发光组件的步骤具体包括：

7.根据权利要求6所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述剥离所述中间基板，使所述发光芯片全部转移至中转基板的步骤具体包括：

8.根据权利要求5所述的发光芯片转移方法，其特征在于，水浴的温度为60℃；或稀盐酸的浓度为5%。

9.根据权利要求5所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述刻蚀所述底部钝化层的步骤具体包括：

10.一种显示屏，其特征在于，包括驱动背板和多个阵列设置在所述驱动背板上的发光芯片，所述发光芯片通过如权利要求5至9任意一项所述的发光芯片转移方法，转移至所述驱动背板上。