微型发光二极管芯片转移装置及其转移方法与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种微型发光二极管芯片转移装置及其转移方法。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，简称led)显示面板是一种应用广泛的显示装置，其具有亮度高、动态范围广、使用寿命长及稳定可靠等优点。微型发光二极管(micro-light emitting diode,简称mled)则是将传统的发光二极管阵列化、微小化，从而实现比原有的发光二极管具有更高的分辨率、亮度及对比度。

2、然而在微型发光二极管显示面板的制作过程中，微型发光二极管芯片的巨量转移是关键的一步。巨量转移是指将百万颗甚至千万颗微型发光二极管芯片由生长基底精准转移至驱动背板上。但是，由于需要转移的微型发光二极管芯片的数量较大且转移的难度较高，在微型发光二极管芯片的转移过程中容易出现部分微型发光二极管芯片受损的情况，从而影响微型发光二极管芯片的转移良率。

3、因此，如何转移微型发光二极管芯片以提升微型发光二极管芯片的转移良率是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种微型发光二极管芯片转移装置，用于转移微型发光二极管。

2、基于上述目的，本申请提供了一种微型发光二极管芯片转移装置，其包括：

3、第一基板，所述第一基板包括储液区及转移区，所述储液区用于储存含有微型发光二极管芯片的转移溶液，所述转移区内设有多个相互独立的安装位，多个所述安装位用于安装微型发光二极管芯片，所述第一基板表面设有驱动电极，所述驱动电极用于在通电后驱动转移溶液自所述储液区转移至所述转移区，从而将转移溶液内的微型发光二极管芯片安装于所述安装位；

4、第二基板，所述第二基板设有多个相互独立的焊接位，所述焊接位内设有焊接部，在所述第一基板与所述第二基板相对接触时，所述焊接部用于与微型发光二极管芯片反应并将微型发光二极管芯片吸附，从而将微型发光二极管芯片自所述安装位转移至所述焊接位。

5、在其中一种实施方式中，所述转移区涂覆有疏水材料以在所述转移区表面形成疏水区。

6、在其中一种实施方式中，所述转移区经过修饰以形成所述安装位，所述安装位具有对微型发光二极管芯片的吸附力，且所述安装位对微型发光二极管芯片的吸附力小于所述焊接部对微型发光二极管芯片的吸附力。

7、在其中一种实施方式中，所述安装位的面积小于或等于微型发光二极管芯片在所述安装位上的安装面积。

8、在其中一种实施方式中，所述储液区设置于所述转移区的一侧或设置于所述转移区的两侧或包围所述转移区设置。

9、在其中一种实施方式中，所述第二基板涂覆有熔化的焊料以形成所述焊接部。

10、在其中一种实施方式中，多个所述安装位在所述转移区内呈阵列式排布；

11、和/或，多个所述焊接位在所述第二基板上呈阵列式排布。

12、在其中一种实施方式中，所述储液区包括第一储液区、第二储液区及第三储液区，所述第一储液区用于储存包含红色像素微型发光二极管芯片的转移溶液，所述第二储液区用于储存包含绿色像素微型发光二极管芯片的转移溶液，所述第三储液区用于储存包含蓝色像素微型发光二极管芯片的转移溶液。

13、在其中一种实施方式中，还包括上模及下模；所述第一基板设置于所述下模的上表面，所述第二基板设置于所述上模的下表面；所述上模可上下移动，所述上模向下移动至所述第二基板与所述第一基板正对接触从而使所述焊接部与微型发光二极管芯反应并吸附，所述上模向上移动以将所述第二基板与所述第一基板分开，从而将位于所述第一基板的微型发光二极管芯片转移至所述第二基板。

14、基于同样的发明构思，本申请还公开了一种微型发光二极管转移方法，应用于上述任意一项所述的微型发光二极管芯片转移装置，其包括：

15、将含有微型发光二极管芯片的转移溶液设置于所述储液区内；

16、将所述驱动电极通电以驱动转移溶液转移至所述转移区内；

17、将所述第一基板与所述第二基板正对接触并分离，以将转移溶液内的微型发光二极管芯片从所述第一基板转移至所述第二基板。

18、与现有技术相比，本申请提供的微型发光二极管芯片转移装置，通过电极驱动含有微型发光二极管芯片的溶液至转移区，从而将微型发光二极管芯片安装至安装位，并将第一基板与第二基板接触使焊接部与微型发光二极管芯片反应结合，从而将微型发光二极管芯片转移至第二基板，以提高微型发光二极管芯片的转移良率。

1.一种微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，所述转移区涂覆有疏水材料以在所述转移区表面形成疏水区。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，所述转移区经过修饰以形成所述安装位，所述安装位具有对微型发光二极管芯片的吸附力，且所述安装位对微型发光二极管芯片的吸附力小于所述焊接部对微型发光二极管芯片的吸附力。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，所述安装位的面积小于或等于微型发光二极管芯片在所述安装位上的安装面积。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，所述储液区设置于所述转移区的一侧或设置于所述转移区的两侧或包围所述转移区设置。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，所述第二基板涂覆有熔化的焊料以形成所述焊接部。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，多个所述安装位在所述转移区内呈阵列式排布；

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，所述储液区包括第一储液区、第二储液区及第三储液区，所述第一储液区用于储存包含红色像素微型发光二极管芯片的转移溶液，所述第二储液区用于储存包含绿色像素微型发光二极管芯片的转移溶液，所述第三储液区用于储存包含蓝色像素微型发光二极管芯片的转移溶液。

9.根据权利要求1-8任一项所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，还包括上模及下模；所述第一基板设置于所述下模的上表面，所述第二基板设置于所述上模的下表面；所述上模可上下移动，所述上模向下移动至所述第二基板与所述第一基板正对接触从而使所述焊接部与微型发光二极管芯反应并吸附，所述上模向上移动以将所述第二基板与所述第一基板分开，从而将位于所述第一基板的微型发光二极管芯片转移至所述第二基板。

10.一种微型发光二极管芯片转移方法，应用于如权利要求1-9任一项所述的微型发光二极管芯片转移装置，其特征在于，包括：