一种激光退火监测方法与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及一种激光退火监测方法。

背景技术：

1、半导体制造中，离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤晶圆的晶格。退火能够加热被注入的晶圆，修复晶格缺陷，还能使杂质原子移动到晶格点使其激活。因此，退火对半导体器件的性能影响很大，需要对退火工艺进行监测。然而，现有技术中对退火工艺的监测准确度不高。

技术实现思路

1、本发明提供了一种激光退火监测方法，以提高对退火工艺的监测精度。

2、根据本发明的一方面，提供了一种激光退火监测方法，包括：

3、以设定角度对晶圆进行离子注入；其中，所述设定角度为离子注入方向与晶圆的晶轴之间的夹角，所述设定角度大于0；

4、对所述晶圆进行激光退火；

5、测量所述晶圆的电参数；

6、根据所述电参数确定激光退火的工艺状态。

7、可选的，所述设定角度大于或等于6度，且小于或等于8度。

8、可选的，所述晶圆为硅晶圆或碳化硅晶圆。

9、可选的，激光退火的作用深度大于或等于离子注入的注入深度，且小于或等于离子注入的注入深度的110%。

10、可选的，激光退火采用的激光的波长大于或等于248nm，且小于或等于532nm。

11、可选的，根据所述电参数确定激光退火的工艺状态，包括：

12、根据所述电参数和本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数确定激光退火的工艺状态，其中，n为大于或等于1的整数。

13、可选的，根据所述电参数和本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数确定激光退火的工艺状态，包括：

14、根据所述电参数分别与本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数的差值确定激光退火的工艺状态。

15、可选的，根据所述电参数分别与本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数的差值确定激光退火的工艺状态，包括：

16、所述电参数分别与本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数的差值满足设定要求时，确定激光退火的能量稳定；

17、所述电参数分别与本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数的差值不满足设定要求时，确定激光退火的能量衰减。

18、可选的，所述电参数包括电阻值。

19、可选的，测量所述晶圆的电参数，包括：

20、采用四探针电阻仪测量所述晶圆的电阻值。

21、本申请实施例以设定角度对晶圆进行离子注入；设定角度为离子注入方向与晶圆的晶轴之间的夹角，设定角度大于0，可以避免沟道效应，使得离子注入后杂质与损伤都密集的分布在近表面，可以被激光退火的作用深度所覆盖，当激光能量密度衰减时，导致部分掺杂区未被充分激活，使得晶圆电参数改变程度较大，通过测量晶圆电参数即可准确监测激光退火能量变化，提高监测精度。

22、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

1.一种激光退火监测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，根据所述电参数确定激光退火的工艺状态，包括：

6.根据权利要求5所述的监测方法，其特征在于，根据所述电参数和本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数确定激光退火的工艺状态，包括：

7.根据权利要求6所述的监测方法，其特征在于，根据所述电参数分别与本次测量之前n次测量得到的晶圆电参数的差值确定激光退火的工艺状态，包括：

8.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述电参数包括电阻值。

9.根据权利要求8所述的监测方法，其特征在于，测量所述晶圆的电参数，包括：

10.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于：