显示面板及其制造方法与流程

摘要: 本发明涉及微显示领域,具体地,涉及一种显示面板及其制造方法。背景技术:1、硅基微显示器(microoled)是将有机发光二极管(oled)制作在单晶硅芯片上的一...
显示面板及其制造方法与流程

本发明涉及微显示领域,具体地,涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术:

1、硅基微显示器(micro oled)是将有机发光二极管(oled)制作在单晶硅芯片上的一种微显示技术,具有高分辨率、高对比度、快速响应、低功耗等优点,在近眼显示、增强现实(ar)、虚拟现实(vr)及电子取景器等领域具有广阔的应用前景。随着显示分辨率的不断提升,像素尺寸已缩小至微米甚至亚微米级别,相邻子像素之间的电气隔离成为影响显示性能和良率的关键技术难题。

2、在现有的micro oled产品中,相邻像素之间通常设置有像素定义层(pixeldefinition layer, pdl)。pdl一般为光刻图案化的有机或无机绝缘材料,其典型结构为凸起的堤坝状,通过刻蚀工艺形成下切(undercut)台阶。随后在pdl上方蒸镀oled多层功能层,利用pdl的下切台阶物理断开覆盖在其边缘的有机发光层,从而实现像素间的分割与隔离。

3、然而,随着像素密度的不断提高,传统pdl结构逐渐暴露出以下固有缺陷:第一,pdl与像素阳极区域存在重叠,该重叠区域无法出光,导致有效出光面积减小,开口率降低;第二,相邻像素之间的电路传输路径较短,载流子容易通过有机层横向扩散,引发像素间串扰,降低显示对比度;第三,pdl的下切结构机械强度不足,在后续工艺或器件长期工作过程中容易发生坍塌;同时,阴极层在跨越pdl陡峭台阶时容易产生覆盖不良甚至断裂,导致器件失效。

4、因此,亟需开发一种全新的像素隔离方案,该方案应能够在不适用undercut的情况下实现不同像素间的有机发光层的可靠隔离。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种显示面板和显示面板的制造方法,该显示面板能够对有机发光层进行纳米级精准的可控破坏,实现了不同像素间的有机发光层的可靠隔离。

2、为了实现上述目的,本发明提供了一种显示面板,包括阵列排布的子像素和围绕设置于子像素外周的多层导电结构;子像素包括设置于基板一侧的阳极;

3、沿远离基板的方向,多层导电结构的两侧边缘逐渐向内缩,呈阶梯状;多层导电结构的最下层与基板中的放电驱动电路电连接,最顶层的上表面高于阳极的上表面;

4、有机发光层,覆盖阳极和多层导电结构;

5、在放电驱动电路通电状态下,多层导电结构构建环形梯度聚焦电场,以切断覆盖多层导电结构的有机发光层。

6、本发明还提供一种显示面板的制造方法,包括:

7、s1、在基板的一侧制造阵列排布的子像素,以及在子像素的周围制造第一绝缘结构,使得相邻第一绝缘结构之间形成沟槽,并露出基板中用于电连接放电驱动电路的通孔;

8、s2、在沟槽内制造多层导电结构,使得沿远离基板的方向,多层导电结构的两侧边缘逐渐向内缩,呈阶梯状,且使得最顶层的导电结构的上表面与第一绝缘结构的上表面齐平;

9、s3、在沟槽内和第一绝缘结构上制造第二绝缘结构,刻蚀第二绝缘结构和第一绝缘结构,使得露出阳极的上表面,并露出多层导电结构的最顶层的表面;

10、s4、在阳极和多层导电结构远离基板的一侧制造有机发光层,使得有机发光层覆盖多层导电结构的最顶层的表面。

11、根据上述技术方案,本发明的显示面板通过内置的、可电控的3d梯度电场聚焦尖端放电结构,实现了对有机发光层的纳米级精准可控破坏。这从根本上解决了传统pdl结构带来的出光面积损失、串扰和结构可靠性问题,同时也克服了激光和等离子体方案精度差、易损伤的缺陷。

12、本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列排布的子像素和围绕设置于所述子像素外周的多层导电结构;所述子像素包括设置于基板一侧的阳极;

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多层导电结构的最顶层的表面设有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述最顶层的底面高于所述阳极。

4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述多层导电结构的每一层分别设置为不同材料,沿着远离所基板的方向,每层材料的电阻率逐渐减小。

5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述多种材料的刻蚀比不同。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述多层导电结构包括三层,沿着远离所基板的方向分别为第一导电层、第二导电层和第三导电层。

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述多层导电结构的靠近所述基板的最底层直径为600-800nm;

8.根据权利要求1-5中任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述多层导电结构包括四层,沿着远离所基板的方向分别为第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层。

9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层可选crn、zrn、nbn、tan、mon、vn 中的至少一种;

10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述放电驱动电路提供的电压为5-20v。

11.一种权利要求1-10中任意一项所述显示面板的制造方法,其特征在于,包括:

12.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,在步骤s3结束后,且在步骤s4开始前,包括:

13.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,在步骤s2中,所述在所述沟槽内制造多层导电结构包括:

14.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,步骤s2中,所述多层导电结构的最顶层的底部与所述阳极同高。