半导体装置的制作方法

本发明涉及一种半导体装置，特别涉及一种包含一或多个延伸部的半导体装置。

背景技术：

1、微型发光二极管(micro led)因其高亮度、高能效及微型化特性，在显示技术领域具有极高的应用潜力。然而，微型发光二极管晶粒（裸片）尺寸极小，为达成大规模制造，需要高效率的巨量转移技术。目前主要的巨量转移技术包括激光转移(laser transfer)、转印转移(stamp transfer)及单晶接合(monolithic bonding)。

2、目前市场主流技术如(例如，激光转移)虽具有精准性，但其设备成本较高且容易对微型发光二极管晶粒造成损伤。单晶接合整合性较高，但并非适用于所有应用场景。转印转移技术则因其成本效益与适用性，成为一种值得发展的转移技术。

技术实现思路

1、本发明的一些实施例为一种半导体装置。半导体装置包含基板及支撑层，支撑层设置于基板上。在一剖面中，支撑层具有彼此分离的第一支撑柱及第二支撑柱。半导体装置也包含一或多个半导体元件，半导体元件包含半导体叠层及绝缘结构，绝缘结构设置于半导体叠层上。绝缘结构具有主体部及彼此分离的第一延伸部与第二延伸部，主体部覆盖半导体叠层，第一延伸部与第二延伸部分别自主体部朝外延伸至第一支撑柱与第二支撑柱。第一延伸部的厚度小于主体部的厚度。

1.一种半导体装置，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该主体部及该第一延伸部具有不同的组成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该覆盖层包括至少两层第一子层及设置于该些第一子层之间的至少一第二子层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该些第一子层的厚度不同。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其中该些第一子层包括al2o3，而该第二子层包括sio2或tio2。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一支撑柱具有粗化侧壁，该粗化侧壁朝向该半导体叠层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该支撑层具有第一表面及第二表面，该第一表面位于该半导体元件之下，该第二表面上方不被该半导体元件覆盖，且该第一表面高于该第二表面。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一延伸部具有空洞。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中在俯视图中，该第一延伸部与该第二延伸部分别位于该半导体元件的两侧或两个角落。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中在俯视图中，该第一延伸部的宽度从该半导体元件至该第一支撑柱逐渐变宽。