一种防晶圆吸附的增粘热板及涂胶机的制作方法

本技术属于半导体，涉及一种防晶圆吸附的增粘热板及涂胶机。

背景技术：

1、在半导体领域中，在对晶圆进行涂胶工艺前，往往需要先在增粘热板（ad）单元中完成增粘工艺，然后再将晶圆送至涂胶腔中进行涂胶。

2、晶圆经过薄膜工艺或键合工艺后通常会发生翘曲形变，特别是晶圆翘曲形变为碗状时，进行增粘工艺过程中晶圆边缘会与热板（hot plate）贴合形成密闭区域，此区域由于底部排气的作用形成负压，同时晶圆上表面在氮气吹淋（n2 purge）和上盖打开后的大气压作用下会形成正压，在晶圆上下表面压力差的作用下，晶圆会因为向下的压力吸附在热板上，在增粘工艺完成后，晶圆与热板分离时容易发生碎片。

3、因此，如何提供一种防晶圆吸附的增粘热板及涂胶机，以防止晶圆吸附在热板上，避免晶圆与热板分离时发生碎片，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种防晶圆吸附的增粘热板及涂胶机，用于解决现有技术中晶圆吸附在热板上，晶圆与热板分离时容易碎片的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种防晶圆吸附的增粘热板，包括：

3、热板本体；

4、限位环，位于所述热板本体的上表面，所述限位环的内侧面为斜面，所述限位环的预设位置设有断口；

5、当晶圆放置于所述热板本体的上表面时，所述限位环对所述晶圆进行限位，其中，所述断口使所述晶圆和所述热板本体之间的区域与外界连通。

6、可选地，所述限位环的内侧面与所述热板本体的上表面之间的夹角为8°~10°。

7、可选地，所述断口的数量为多个。

8、可选地，所述限位环为圆环，所述限位环的最小内侧直径为a，所述晶圆无翘曲时的直径为b，其中，a小于b。

9、可选地，还包括多个缓冲点，所述缓冲点位于所述热板本体上表面，且所述缓冲点位于所述限位环围成的区域内，所述缓冲点的顶部低于所述限位环的顶部。

10、可选地，所述缓冲点凸出于所述热板本体上表面的高度为0.2mm~0.3mm。

11、可选地，还包括顶针，其中，所述热板本体中设有顶针通道，所述顶针能够于所述顶针通道中垂向运动。

12、可选地，还包括上盖，所述上盖位于所述热板本体上方。

13、可选地，所述限位环为聚醚醚酮限位环或聚酰亚胺限位环。

14、本实用新型还提供一种涂胶机，所述涂胶机包括上述任一项所述的防晶圆吸附的增粘热板。

15、如上所述，本实用新型的防晶圆吸附的增粘热板及涂胶机中，热板本体上表面设有限位环，限位环的内侧面为斜面，且限位环在预设位置设有断口，当晶圆放置于热板本体上表面时，限位环可以对晶圆进行支撑和限位，断口可以使晶圆与热板本体之间的区域与外界连通，以避免在增粘工艺处理中晶圆与热板本体之间形成密闭区域，进而避免晶圆吸附在热板本体的上表面导致晶圆与热板本体分离时发生碎片，提高良率。

1.一种防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于：所述限位环的内侧面与所述热板本体的上表面之间的夹角为8°~10°。

3.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于：所述断口的数量为多个。

4.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于：所述限位环为圆环，所述限位环的最小内侧直径为a，所述晶圆无翘曲时的直径为b，其中，a小于b。

5.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于，还包括多个缓冲点，所述缓冲点位于所述热板本体上表面，且所述缓冲点位于所述限位环围成的区域内，所述缓冲点的顶部低于所述限位环的顶部。

6.根据权利要求5所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于：所述缓冲点凸出于所述热板本体上表面的高度为0.2mm~0.3mm。

7.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于，还包括顶针，其中，所述热板本体中设有顶针通道，所述顶针能够于所述顶针通道中垂向运动。

8.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于，还包括上盖，所述上盖位于所述热板本体上方。

9.根据权利要求1所述的防晶圆吸附的增粘热板，其特征在于：所述限位环为聚醚醚酮限位环或聚酰亚胺限位环。

10.一种涂胶机，其特征在于，所述涂胶机包括权利要求1-9中任一项所述的防晶圆吸附的增粘热板。