衬底处理装置及衬底处理方法与流程

本发明涉及一种对衬底进行蚀刻的技术。

背景技术：

1、以往，在半导体衬底(以下，简称为“衬底”)的制程中，会对衬底实施各种处理。例如，在衬底的制程中，会进行湿式蚀刻，即，对衬底供给蚀刻液，以将衬底上的膜去除。已知，该湿式蚀刻中，设置在衬底上的沟槽及孔穴等微细凹部内的膜的蚀刻速率低下。

2、因此，在日本专利特开2020-155614号公报(文献1)中，提出了如下技术：将具有导电性的蚀刻液供给到衬底上，并向附着于衬底的蚀刻液与衬底之间施加固定大小的直流电流，由此，使处理液的导电成分迅速进入微细结构物的间隙内。另外，在国际公开第2021/192502号(文献2)中，提出了如下技术：对之间隔着与蚀刻液呈相接状态的衬底而配置的一对电极施加0.1 khz或1 khz频率的交流电压，由此，使蚀刻速率增大。

3、但是，在衬底的蚀刻工序中，要求蚀刻速率进一步增大。尤其是关于在通常的蚀刻方法中蚀刻速率大幅降低的微细凹部内的膜的蚀刻，要求蚀刻速率进一步增大。

技术实现思路

1、本发明是面向对衬底进行蚀刻的衬底处理装置，目的在于使蚀刻速率增大。

2、本发明的形态1是一种衬底处理装置，对衬底进行蚀刻，具备：衬底保持部，将上表面具有被处理膜的衬底以水平状态保持；衬底旋转机构，使所述衬底保持部以朝向上下方向的中心轴为中心而旋转；喷嘴，从所述衬底的上方朝所述衬底的所述上表面供给用于蚀刻的处理液，并使之与所述被处理膜接触；喷嘴移动机构，使所述喷嘴于旋转中的所述衬底的上方，在所述衬底的中央部与所述衬底的周缘部之间水平摆动；第1电极，电连接于所述衬底；第2电极，电连接于从所述喷嘴喷出的所述处理液；电源部，向所述第1电极与所述第2电极之间进行施加电压的施加；以及控制部，控制所述衬底旋转机构、所述喷嘴及所述电源部。通过所述控制部的控制，在持续从所述喷嘴向所述衬底的所述上表面供给所述处理液，并且向所述第1电极与所述第2电极之间施加电压的状态下，所述衬底的转速以规定的转速切换周期在互不相同的第1转速与第2转速之间反复切换，其中所述喷嘴在旋转中的所述衬底的上方摆动。

3、根据本发明，能够使蚀刻速率增大。

4、本发明的形态2是形态1的衬底处理装置，其中通过所述控制部的控制，与所述衬底的转速的切换并行地，所述施加电压以规定的电压切换周期在互不相同的第1电压与第2电压之间反复切换，由此，形成所述衬底上的图案的凹部的侧壁表面的电位在第1电位与小于所述第1电位的第2电位之间反复切换。所述第1电位为0 v以上。所述第2电位为0 v以下。

5、本发明的形态3是形态2的衬底处理装置，其中所述电压切换周期为0.05秒以上。

6、本发明的形态4是形态2(也可以是形态2或3)的衬底处理装置，其中所述转速切换周期是所述电压切换周期的整数倍。

7、本发明的形态5是形态4的衬底处理装置，其中所述转速切换周期是所述电压切换周期的偶数倍。

8、本发明的形态6是形态2至5中任一形态的衬底处理装置，其中通过所述控制部的控制，所述衬底的转速的切换与所述施加电压的切换同时进行。

9、本发明的形态7是一种衬底处理方法，对衬底进行蚀刻，包含如下工序：a)将上表面具有被处理膜的衬底以水平状态保持；b)持续从喷嘴向所述衬底的所述上表面供给用于蚀刻的处理液，其中所述喷嘴于以朝向上下方向的中心轴为中心而旋转中的所述衬底的上方，在所述衬底的中央部与所述衬底的周缘部之间水平摆动；c)与所述b)工序并行地，使所述衬底的转速以规定的转速切换周期在互不相同的第1转速与第2转速之间反复切换；以及d)与所述c)工序并行地，向所述衬底与从所述喷嘴喷出的所述处理液之间进行施加电压的施加，并使所述施加电压以规定的电压切换周期在互不相同的第1电压与第2电压之间反复切换，由此，使形成所述衬底上的图案的凹部的侧壁表面的电位在第1电位与小于所述第1电位的第2电位之间反复切换。所述第1电位为0 v以上。所述第2电位为0 v以下。

10、本发明的所述目的及其它目的、特征、形态以及优点通过下文中参照所附图式对本发明进行的详细说明而阐明。

1.一种衬底处理装置，对衬底进行蚀刻，具备：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中

6.根据权利要求2至5中任一项所述的衬底处理装置，其中

7.一种衬底处理方法，对衬底进行蚀刻，包含如下工序：