胶带片及使用该胶带片制造半导体器件的方法与流程

本公开涉及胶带片以及使用该胶带片制造半导体器件的方法。

背景技术：

1、随着电子设备被设计为具有减小的重量和高性能，一直在不断进行设计为小型化并具有高性能和高可靠性的半导体器件的研究和开发。为了满足上述需求，也在不断进行可以实现精确处理半导体芯片的胶带片的研究和开发。

技术实现思路

1、本公开的一些示例实施方式在于提供一种具有触变特性的胶带片以及一种使用该胶带片制造半导体器件的方法。

2、根据本公开的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：在晶片上形成多个半导体芯片；通过对晶片执行晶片测试，将多个半导体芯片分类为第一半导体芯片和第二半导体芯片，提供第一胶带片和第二胶带片，将第一半导体芯片转移到第一胶带片，并将第二半导体芯片转移到第二胶带片；以及提供第一基底晶片和第二基底晶片，将第一半导体芯片从第一胶带片分离并将第一半导体芯片形成在第一基底晶片上，并且将第二半导体芯片从第二胶带片分离并将第二半导体芯片形成在第二基底晶片上，其中，第一胶带片和第二胶带片中的每一个包括粘合层，其中，粘合层包括相应半导体芯片所粘附于的第一部分以及围绕第一部分并且支撑结构所粘附于的第二部分，其中，第一部分包括含有触变剂的聚合物组合物，并且其中，第二部分的粘合力大于第一部分的粘合力。

3、根据本公开的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：在晶片上形成多个半导体芯片；通过对晶片执行晶片测试，将多个半导体芯片分类为第一半导体芯片组和第二半导体芯片组；提供第一胶带片和第二胶带片，将第一半导体芯片组转移到第一胶带片，并将第二半导体芯片组转移到第二胶带片；以及提供第一基底晶片和第二基底晶片，将第一半导体芯片组中的第一半导体芯片从第一胶带片分离并将第一半导体芯片按顺序堆叠在第一基底晶片上，并且将第二半导体芯片组中的第二半导体芯片从第二胶带片分离并将第二半导体芯片按顺序堆叠在第二基底晶片上，其中，第一胶带片和第二胶带片中的每一个包括粘合层，该粘合层包括含有触变剂的聚合物组合物。

4、根据本公开的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：通过对其上形成有多个半导体芯片的晶片执行晶片测试，将多个半导体芯片分类为多个等级，多个半导体芯片包括第一等级的第一半导体芯片；将每个第一半导体芯片转移到胶带片上；以及将第一半导体芯片从胶带片分离并将第一半导体芯片按顺序堆叠在基底晶片上，其中，胶带片包括触变性粘合层，该触变性粘合层包括含有触变剂的聚合物组合物，并且其中，触变剂相对于聚合物组合物的重量比在约1wt%至约5wt%的范围内。

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片测试包括电气管芯分选eds测试。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片测试包括：基于操作速度、电流消耗或阈值电压范围中的至少一项，将所述多个半导体芯片分类为多个等级。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述触变剂相对于所述聚合物组合物的重量比在1wt%至5wt%的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述触变剂包括油基触变剂或水性触变剂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述油基触变剂是选自由以下项组成的组中的一种或多种：气相二氧化硅、聚酰胺蜡和氢化蓖麻油。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述水性触变剂是选自由以下项组成的组中的一种或多种：合成二氧化硅和纤维素衍生物。

8.根据权利要求1所述的方法，

9.根据权利要求1所述的方法，

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合层的所述第一部分包括：

12.根据权利要求11所述的方法，

13.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述第一半导体芯片组和所述第二半导体芯片组转移到所述第一胶带片和所述第二胶带片是在第一压力下执行的。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述粘合层的粘度在所述第一压力下降低。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述第一半导体芯片组中的所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片组中的所述第二半导体芯片从所述第一胶带片和所述第二胶带片分离是在第一拉力下执行的。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述粘合层的粘度在所述第一拉力下降低。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述粘合层的至少一部分在所述第一拉力下沿竖直方向伸长。

19.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述基底晶片包括多个初步基底芯片，每个初步基底芯片的等级与所述第一等级相同。