半导体器件的制作方法

本公开的实施例涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件凭借其小型化、多功能化和/或低制造成本等特性，已成为电子工业的关键组件。随着电子工业的不断发展，对半导体器件高集成度的要求也日益提高。

2、为了满足高集成度的需求，半导体器件可包括再分布层（rdl）图案。再分布层图案可电连接到芯片焊盘，并可从设置芯片焊盘的区域延伸到其他区域。

技术实现思路

1、本公开实施例的目的不限于本文中提到的目的，并且本领域技术人员基于以下描述将清楚地理解未提及的其他目的。

2、本公开的实施例可提供一种能够防止因工艺缺陷而导致的器件特性下降的半导体器件。

3、本公开的实施例可提供一种半导体器件，包括：衬底，包括芯片区域和设置在芯片区域外部的划道区域；设置在衬底上的绝缘结构；多个沟槽段，设置为穿透划道区域中的绝缘结构，并沿平行于芯片区域与划道区域之间的第一边界的第一方向排列在第一区域中；以及导电层，在第一区域之间的第二区域中至少部分地与绝缘结构重叠。

4、本公开的实施例可提供一种半导体器件，包括：衬底，包括芯片区域和设置在芯片区域外部的划道区域；设置在衬底上的绝缘结构；多个沟槽段，设置在划道区域中与绝缘结构处于同一水平并且沿平行于芯片区域与划道区域之间的第一边界的第一方向排列在第一区域中；以及设置在划道区域中的绝缘结构上的导电层。导电层可包括：第一部分和第二部分，第一部分设置在第一边界与第二边界之间，并且在与第一方向相交的第二方向上与第二边界间隔开，第一部分沿与第一方向平行的方向延伸，第二边界在划道区域中在第二方向上与第一边界分开设置；第二部分在第一区域之间的第二区域中至少部分地与绝缘结构重叠。

5、根据本公开的实施例，可防止由于工艺缺陷而导致的半导体器件的器件特性的劣化。

6、本公开实施例的效果不限于上述效果，本领域技术人员将基于所附权利要求清楚地理解未提及的附加效果。

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

7.根据权利要求3所述的半导体器件，

8.根据权利要求2所述的半导体器件，

9.根据权利要求2所述的半导体器件，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

11.一种半导体器件，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

14.根据权利要求13所述的半导体器件，

15.根据权利要求14所述的半导体器件，

16.根据权利要求15所述的半导体器件，

17.根据权利要求13所述的半导体器件，

18.根据权利要求12所述的半导体器件，

19.根据权利要求12所述的半导体器件，

20.根据权利要求11所述的半导体器件，