半导体管芯单体化特征及其方法与流程

本公开大体上涉及半导体装置封装，且更具体来说涉及半导体管芯单体化特征及其形成方法。

背景技术：

1、如今，日常使用的产品和系统中包括精密半导体装置的趋势越来越明显。这些精密半导体装置由半导体晶片上的多个集成电路形成。随着这些集成电路的复杂性增加，可以在晶片上形成的集成电路变少。因此，在适应复杂集成电路同时使缺陷最小化并使可由晶片形成的个别装置的数目最大化方面存在重大挑战。

技术实现思路

1、总体上，提供一种方法，所述方法包括：在半导体晶片的有源侧处的单体化通道区内形成单体化特征，所述单体化特征的基底部分的宽度大于所述单体化特征的顶部部分的宽度；沿着单体化通道区在半导体晶片的背侧处形成切口，所述切口的底部部分延伸到所述单体化特征的基底部分；将半导体晶片安装到分割带上；以及拉伸分割带以将半导体晶片单体化成多个个别半导体管芯。单体化特征可嵌入在半导体晶片的后段制程(beol)部分中。单体化特征可另外包括从半导体晶片的beol部分延伸并进入半导体晶片的体部分的沟槽。单体化特征可形成为大体上环绕半导体晶片的每个管芯位点的中空充气结构。单体化特征可包括具有大体上泪珠形状的横截面。单体化特征可被配置成在拉伸分割带期间引导裂纹蔓延至半导体晶片的上覆于单体化特征的顶部部分上的部分以将半导体晶片单体化成所述多个个别半导体管芯。个别半导体管芯中的每一个可以包括侧壁，所述侧壁具有有源侧的悬于背侧之上的一部分。在半导体晶片的背侧处形成切口可以包括借助于机械锯或激光器设备形成切口。半导体晶片的有源侧处的单体化通道区可具有等于30微米或更小的宽度尺寸。

2、在另一实施例中，提供一种半导体晶片，其包括形成在所述半导体晶片上的多个管芯位点，所述多个管芯位点中的每个管芯位点被单体化通道区环绕；以及单体化特征，其嵌入在所述半导体晶片的有源侧处的所述单体化通道区内，所述单体化特征的基底部分的宽度大于所述单体化特征的顶部部分的宽度。单体化特征可以嵌入在与半导体晶片的后段制程(beol)部分相关联的介电层内。半导体晶片可另外包括从半导体晶片的beol部分延伸并进入半导体晶片的体部分中的沟槽，所述单体化特征的基底部分形成在所述沟槽正上方。单体化特征可形成为大体上环绕半导体晶片的每个管芯位点的中空充气结构。单体化特征可包括具有大体上泪珠形状的横截面。单体化特征可被配置成在单体化程序期间引导裂纹蔓延至半导体晶片的上覆于单体化特征的顶部部分上的部分。

3、在又一实施例中，提供一种方法，所述方法包括：在半导体晶片的有源侧处的单体化通道区的介电层内形成单体化特征，所述单体化特征具有顶部部分和基底部分，所述基底部分形成在所述半导体晶片中的沟槽上方；将所述半导体晶片安装到分割带上；沿着单体化通道区在所述半导体晶片的背侧处形成切口，所述切口从所述背侧延伸到所述沟槽的底部；以及拉伸分割带以将半导体晶片单体化成多个个别半导体管芯。单体化特征可以嵌入在与半导体晶片的后段制程(beol)部分相关联的介电层内。沟槽可以从半导体晶片的beol部分延伸到半导体晶片的体部分中。单体化特征可形成为大体上环绕半导体晶片的每个管芯位点的中空充气结构。单体化特征可包括具有大体上泪珠形状的横截面。

4、至此，应理解，已经提供了一种具有嵌入式单体化特征的半导体晶片单体化方法。半导体晶片包括被单体化通道环绕的多个管芯位点。半导体晶片的单体化通道包括大体上环绕每个管芯位点的有源侧处的嵌入式单体化特征。在半导体晶片的后段制程部分的形成期间，单体化特征形成为嵌入在介电层内的中空结构。在横截面图中，单体化特征具有泪珠状形状。举例来说，单体化特征在半导体晶片的顶表面附近具有非常窄的顶部部分，并且在较远离半导体晶片的顶表面处具有逐渐变宽形状。沿着单体化通道从半导体晶片的背面形成切口。所述切口与单体化特征竖直地对准并且从晶片的底表面延伸到单体化特征。在半导体晶片粘合在分割带上的情况下，分割带被扩展以将半导体晶片单体化成多个半导体管芯。单体化特征被配置成在晶片单体化程序期间随着分割带被拉伸而引导裂纹蔓延至半导体晶片的上覆于单体化特征的顶部部分正上方的部分。通过以此方式将半导体晶片单体化成所述多个个别半导体管芯，每个半导体管芯在有源侧几乎无通常与常规单体化方法相关联的表面损坏。此外，每个半导体管芯具有所得到的侧壁构形，其允许有源区域最大化并且单体化通道区的宽度最小化，从而能够实现每个晶片更多可能的管芯。

1.一种方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单体化特征嵌入在所述半导体晶片的后段制程beol部分中。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单体化特征另外包括沟槽，所述沟槽从所述半导体晶片的所述beol部分延伸并进入所述半导体晶片的体部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单体化特征形成为大体上环绕所述半导体晶片的每个管芯位点的中空充气结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单体化特征包括具有大体上泪珠形状的横截面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单体化特征被配置成在所述拉伸所述分割带期间引导裂纹蔓延至所述半导体晶片的上覆于所述单体化特征的所述顶部部分上的部分，以将所述半导体晶片单体化成所述多个个别半导体管芯。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述个别半导体管芯中的每一个包括侧壁，所述侧壁具有所述有源侧的悬于所述背侧之上的一部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体晶片的所述背侧处形成所述切口包括借助于机械锯或激光器设备形成所述切口。

9.一种半导体晶片，其特征在于，包括：

10.一种方法，其特征在于，包括：