背接触异质结太阳电池及光伏组件的制作方法

本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种背接触异质结太阳电池及光伏组件。

背景技术：

1、背接触异质结太阳电池是一种结合背接触技术和异质结技术的太阳电池。虽然背接触异质结太阳电池作为高效的晶体硅基单结太阳能电池，具有广阔的市场应用前景，但是目前的背接触异质结太阳电池组件存在热斑效应问题，影响背接触异质结太阳电池组件的可靠性。因此亟需对背接触异质结太阳电池的结构进行改进，以改善背接触异质结太阳电池组件的热斑效应问题。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本申请公开了一种背接触异质结太阳电池及光伏组件，通过对背接触异质结太阳电池结构的改进，改善背接触异质结太阳电池组件的热斑效应问题。

2、第一个方面，本申请提供了一种背接触异质结太阳电池，包括：

3、硅衬底，所述硅衬底的背面包括交替排列的n型区域和p型区域；

4、沿第一方向，至少部分所述n型区域设置有延伸至所述p型区域的导电延伸结构；

5、所述导电延伸结构包括相连的第一导电部和第二导电部，所述第二导电部位于所述n型区域和所述第一导电部之间；

6、所述第一导电部背离所述硅衬底的一面覆盖有第一透明导电氧化物层，所述第一导电部通过所述第一透明导电氧化物层与所述p型区域导电连接。

7、沿第一方向，所述n型区域的至少一侧设置有伸至所述p型区域的导电延伸结构；

8、所述导电延伸结构包括相连的第一导电部和第二导电部，所述第二导电部位于所述n型区域和所述第一导电部之间，且所述第二导电部的位置对应于所述透明导电氧化物隔离槽；

9、所述第一导电部背离所述硅衬底的一面覆盖有第一透明导电氧化物层，所述第一导电部通过所述第一透明导电氧化物层与所述p型区域导电连接。

10、在本申请的一些实施方案中，沿第二方向，所述第一导电部的尺寸为w1，所述第二导电部与所述n型区域相接处的尺寸为w2，满足：w2≥w1；

11、所述第二方向为所述背接触异质结太阳电池的细栅长度延伸方向，且所述第一方向与所述第二方向相交。

12、在本申请的一些实施方案中，5μm≤w1≤500μm。

13、在本申请的一些实施方案中，所述第一导电部在所述第一方向上凸出的尺寸为l1，4μm≤l1≤280μm。

14、在本申请的一些实施方案中，沿所述第一方向，所述导电延伸结构的尺寸为l0，5μm≤l0≤300μm。

15、在本申请的一些实施方案中，对于设置有所述导电延伸结构的n型区域，所述n型区域中的所述导电延伸结构的数量为n个，1≤n≤100。

16、在本申请的一些实施方案中，对于设置有所述导电延伸结构的n型区域，所述n型区域的两侧均设置有所述导电延伸结构，且所述导电延伸结构在所述第二方向上等间距设置。

17、在本申请的一些实施方案中，位于所述n型区域两侧的所述导电延伸结构之间对称设置。

18、在本申请的一些实施方案中，位于所述n型区域两侧的所述导电延伸结构之间交错设置。

19、在本申请的一些实施方案中，所述n型区域设置有第二透明导电氧化物层，所述p型区域设置有第三透明导电氧化物层，其中：

20、沿所述第一方向，所述第一透明导电氧化物层与所述第二透明导电氧化物层之间的距离为d1，所述第三透明导电氧化物层与所述第二透明导电氧化物层之间的距离为d2，满足：d1=d2。

21、在本申请的一些实施方案中，所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层之间存在隔离槽。

22、在本申请的一些实施方案中，所述第一导电部包括层叠设置的n型掺杂多晶硅层、第二界面钝化层、p型掺杂非晶硅层和所述第一透明导电氧化物层。

23、在本申请的一些实施方案中，所述第二导电部包括层叠设置的n型掺杂多晶硅层、第二界面钝化层和p型掺杂非晶硅层。

24、在本申请的一些实施方案中，所述导电延伸结构的形状包括矩形、梯形和圆弧形中的至少一种。

25、第二个方面，本申请提供一种光伏组件，所述光伏组件包括如第一个方面所述的背接触异质结太阳电池。

26、与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：

27、本申请提供了一种背接触异质结太阳电池及光伏组件，其中背接触异质结太阳电池中，沿第一方向，至少部分n型区域设置有延伸至p型区域的导电延伸结构，导电延伸结构包括相连的第一导电部和第二导电部，第二导电部位于n型区域和第一导电部之间；第一导电部背离硅衬底的一面覆盖有第一透明导电氧化物层，第一导电部通过第一透明导电氧化物层与p型区域导电连接。本申请的导电延伸结构形成了n型区域和p型区域之间的漏电通道，在背接触异质结太阳电池组件中的部分区域被遮挡时，能够通过导电延伸结构提供另一条导通回路，分散其它电池片向该电池片输入的反向电流，从而减轻背接触异质结太阳电池组件的热斑效应，防止背接触异质结太阳电池组件电池工作温度过高，提高背接触异质结太阳电池组件的工作稳定性。

1.一种背接触异质结太阳电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，沿第二方向，所述第一导电部的尺寸为w1，所述第二导电部与所述n型区域相接处的尺寸为w2，满足：w2≥w1；

3.根据权利要求2所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，5μm≤w1≤500μm。

4.根据权利要求2所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述第一导电部在所述第一方向上凸出的尺寸为l1，4μm≤l1≤280μm。

5.根据权利要求2所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，沿所述第一方向，所述导电延伸结构的尺寸为l0，5μm≤l0≤300μm。

6.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，对于设置有所述导电延伸结构的n型区域，所述n型区域中的所述导电延伸结构的数量为n个，1≤n≤100。

7.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，对于设置有所述导电延伸结构的n型区域，所述n型区域的两侧均设置有所述导电延伸结构，且所述导电延伸结构在第二方向上等间距设置。

8.根据权利要求7所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，位于所述n型区域两侧的所述导电延伸结构之间对称设置。

9.根据权利要求7所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，位于所述n型区域两侧的所述导电延伸结构之间交错设置。

10.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述n型区域设置有第二透明导电氧化物层，所述p型区域设置有第三透明导电氧化物层，其中：

11.根据权利要求10所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层之间存在隔离槽。

12.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述第一导电部包括层叠设置的n型掺杂多晶硅层、第二界面钝化层、p型掺杂非晶硅层和所述第一透明导电氧化物层。

13.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述第二导电部包括层叠设置的n型掺杂多晶硅层、第二界面钝化层和p型掺杂非晶硅层。

14.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述导电延伸结构的形状包括矩形、梯形和圆弧形中的至少一种。

15.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括权利要求1~14任一项所述的背接触异质结太阳电池。