制造半导体装置的方法与流程

本公开的实施方式总体上涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术：

1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定。近来，随着用于在基板上在单层中形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。

技术实现思路

1、在本公开的实施方式中，一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成包括交替层叠的第一绝缘层和第一牺牲层的第一层叠件，所述第一牺牲层中的每一个第一牺牲层具有第一蚀刻速率；在所述第一层叠件上形成第二层叠件，所述第二层叠件包括交替层叠的第二绝缘层和第二牺牲层，所述第二牺牲层中的每一个第二牺牲层具有比所述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率；形成延伸穿过所述第一层叠件和所述第二层叠件的第一开口；通过借助所述第一开口蚀刻所述第一牺牲层来形成第二开口，所述第二开口连接到所述第一开口；在所述第一开口中形成第一屏障图案，所述第一屏障图案覆盖所述第二层叠件；在所述第二开口中形成第二屏障图案，所述第二屏障图案覆盖所述第一牺牲层；以及使用所述第一屏障图案和所述第二屏障图案作为蚀刻屏障来蚀刻所述第一绝缘层。

2、在本公开的实施方式中，一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成包括交替层叠的第一绝缘层和第一牺牲层的第一层叠件；在所述第一层叠件上形成第二层叠件，所述第二层叠件包括交替层叠的第二绝缘层和第二牺牲层；形成延伸穿过所述第一层叠件和所述第二层叠件的第一开口；通过借助所述第一开口蚀刻所述第一牺牲层来形成第二开口，所述第二开口连接到所述第一开口；沿着所述第一层叠件的通过所述第一开口和所述第二开口暴露的表面和所述第二层叠件的通过所述第一开口和所述第二开口暴露的表面形成屏障层，所述屏障层在所述第一绝缘层上具有第一厚度并且在所述第二绝缘层上具有第二厚度，其中，所述第二厚度比所述第一厚度更大（更厚）；通过蚀刻所述屏障层来形成第一屏障图案，所述第一屏障图案覆盖所述第二层叠件；通过蚀刻所述屏障层而在所述第二开口中形成第二屏障图案；以及使用所述第一屏障图案和所述第二屏障图案作为蚀刻屏障来蚀刻所述第一绝缘层。

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：通过借助所述第一开口蚀刻所述第二牺牲层来形成第三开口，所述第三开口连接到所述第一开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，当形成所述第二开口时，形成所述第三开口。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二开口中的每一个第二开口的宽度大于所述第三开口中的每一个第三开口的宽度。

5.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三牺牲层和所述第四牺牲层通过选择性沉积方法形成。

7.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在暴露在所述第四牺牲层之间的所述第二绝缘层上形成第三屏障图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第三屏障图案的步骤包括：

9.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述第三屏障图案之后去除所述第三牺牲层和所述第四牺牲层。

10.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述第一开口和所述第二开口中沿着所述第一层叠件的表面、所述第二层叠件的表面和所述第三屏障图案的表面形成第二屏障层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一屏障图案和所述第二屏障图案通过蚀刻所述第二屏障层而形成。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

13.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述第二开口时，所述第一牺牲层的蚀刻速率高于所述第二牺牲层的蚀刻速率。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述屏障层的步骤包括：

16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：通过借助所述第一开口蚀刻所述第二牺牲层来形成第三开口，所述第三开口连接到所述第一开口。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第三屏障图案的步骤包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第三牺牲层和所述第四牺牲层通过选择性沉积方法形成。

19.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述第三屏障图案之后去除所述第三牺牲层和所述第四牺牲层。

20.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括以下步骤：