具有升高的源极/漏极区的半导体器件及其制造方法与流程

本公开的实施例涉及一种具有升高的源极/漏极区的半导体器件和制造该半导体器件的方法。

背景技术：

1、基于半导体器件的诸如小型化、多功能性和/或低制造成本的特性，半导体器件已成为电子行业的关键组件。为了提高半导体器件的晶体管的驱动性能，已经提出了包括具有升高的源极/漏极区的晶体管结构的半导体器件。

技术实现思路

1、本公开的一个实施例提供了一种具有升高的源极/漏极区的晶体管结构。

2、本公开的一个实施例提供了一种具有晶体管结构的半导体器件。

3、本公开的实施例提供了一种形成晶体管结构的方法和一种制造半导体器件的方法。

4、根据本公开的一个实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底之上形成限定有源区的隔离区；在所述有源区之上形成初步沟道层；在所述初步沟道层之上形成栅极堆叠；在所述栅极堆叠的侧表面和上表面之上形成间隔件层，其中，所述间隔件层被形成为留下所述初步沟道层的暴露部分；通过去除所述初步沟道层的暴露部分来形成沟道层，其中，所述沟道层被形成为留下所述有源区的暴露部分；以及在所述有源区的暴露部分之上形成升高的源极/漏极区。

5、根据本公开的一个实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在有源区之上形成晶体硅锗层；在所述晶体硅锗层之上形成栅极堆叠；在所述栅极堆叠的侧表面和上表面之上形成间隔件层，以留下所述晶体硅锗层的暴露部分；去除所述晶体硅锗层的暴露部分，以留下所述有源区的暴露部分；以及在所述有源区的暴露部分之上形成升高的源极/漏极区。所述晶体硅锗层的暴露部分具有第一横向宽度。所述有源区的暴露部分具有第二横向宽度。所述第二横向宽度大于所述第一横向宽度。

6、根据本公开的一个实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在有源区之上形成晶体硅锗层；在所述晶体硅锗层之上形成栅极堆叠；在所述栅极堆叠的侧表面和上表面之上形成间隔件层，以留下所述晶体硅锗层的暴露部分；去除晶体硅锗层的一部分，留下所述有源区的暴露部分；以及在所述有源区的暴露部分之上形成升高的源极/漏极区。所述升高的源极/漏极区包括：顶部，其具有与所述间隔件层接触的侧表面，所述顶部具有第一横向宽度；以及底部，其具有与所述晶体硅锗层接触的侧表面，所述底部具有第二横向宽度。所述第二横向宽度大于所述第一横向宽度。

7、根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括：隔离区，其限定有源区，设置在衬底中；沟道层，其设置在所述有源区之上；栅极堆叠，其设置在所述沟道层之上；间隔件层，其设置在所述栅极堆叠的侧表面和上表面之上；以及升高的源极/漏极区，其设置在所述有源区之上。所述升高的源极/漏极区包括顶部和底部，所述顶部具有与所述间隔件层接触的侧表面，所述底部具有与所述沟道层接触的侧表面。所述顶部具有第一横向宽度。所述底部具有第二横向宽度。所述第二横向宽度大于所述第一横向宽度。

8、根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括：硅锗层，其有源区之上；栅极堆叠，其在所述硅锗层之上；间隔件层，其在所述栅极堆叠的侧表面和上表面之上；以及升高的源极/漏极区，其在所述有源区之上。所述升高的源极/漏极区包括顶部和底部，所述顶部具有与所述间隔件层接触的侧表面，所述底部具有与所述硅锗层接触的侧表面。所述顶部具有第一横向宽度。所述底部具有第二横向宽度。所述第二横向宽度大于所述第一横向宽度。

9、根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括：有源区，其包括单晶硅层；硅锗层，其设置在所述有源区之上；栅极堆叠，其设置在所述硅锗层之上；间隔件层，其设置在所述栅极堆叠的侧表面和上表面之上，以留下所述硅锗层的暴露部分；升高的源极/漏极区，其设置在所述有源区的暴露部分之上；绝缘内衬层，其共形地设置在所述间隔件层和所述升高的源极/漏极区之上；层间绝缘层，其设置在所述绝缘内衬层之上；以及接触插塞，其连接到所述升高的源极/漏极区，垂直穿过所述层间绝缘层和所述绝缘内衬层。所述升高的源极/漏极区包括顶部和底部，所述顶部具有与所述间隔件层接触的侧表面，所述底部具有与所述硅锗层接触的侧表面。所述顶部具有第一横向宽度。所述底部具有第二横向宽度。所述第二横向宽度大于所述第一横向宽度。

10、通过结合附图的以下详细描述，本公开的实施例的这些和其他特征和优点对本领域技术人员来说将变得显而易见。

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述初步沟道层包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极堆叠包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述栅电介质层包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述下栅电极层包括：

6.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述上栅电极层包括：

7.据权利要求1所述的方法，其中，形成所述间隔件层包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述内间隔件层包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述中间间隔件层包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述外间隔件层包括：

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，共形地形成所述内衬层包括：在所述升高的源极/漏极区的表面之上共形地形成所述内衬层。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

14.根据权利要求1所述的方法，

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

17.根据权利要求16所述的方法，其中：

18.一种制造半导体器件的方法，包括：

19.根据权利要求18所述的方法，

20.一种制造半导体器件的方法，包括：

21.一种半导体器件，包括：

22.根据权利要求21所述的半导体器件，其中，所述沟道层包括晶体硅锗层。

23.根据权利要求21所述的半导体器件，其中，所述栅极堆叠包括：

24.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述栅电介质层包括：

25.根据权利要求24所述的半导体器件，其中，所述下栅电极层包括：

26.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述上栅电极层包括：

27.根据权利要求21所述的半导体器件，其中，所述间隔件层包括：

28.根据权利要求27所述的半导体器件，其中：

29.根据权利要求27所述的半导体器件，

30.根据权利要求29所述的半导体器件，

31.根据权利要求29所述的半导体器件，

32.根据权利要求21所述的半导体器件，还包括：

33.根据权利要求32所述的半导体器件，

34.根据权利要求32所述的半导体器件，还包括：

35.一种半导体器件，包括：

36.根据权利要求35所述的半导体器件，其中：

37.根据权利要求35所述的半导体器件，还包括：

38.根据权利要求37所述的半导体器件，还包括：

39.根据权利要求35所述的半导体器件，其中，所述间隔件层包括：

40.一种半导体器件，包括：