一种FDSOI器件的制作方法与流程

本发明属于半导体，涉及一种fdsoi器件的制作方法。

背景技术：

1、在现有的fdsoi(fully depleted silicon on insulator)制造工艺中，在pmos区域源极和漏极的接触孔与栅极的距离较小，通常需要增加侧墙厚度从而避免源极或漏极和栅极桥接短路。若通过增加侧墙厚度以增加源漏接触孔到栅极的距离，为了不影响nmos区域源极和漏极的接触孔与栅极的距离，则需要减少nmos区域的侧墙厚度，工艺流程复杂；并且，在现有的工艺基础下，减小nmos区域的侧墙厚度会导致pmos区域的sige外延层上生长sip，影响器件性能。

2、因此，如何提供一种fdsoi器件的制作方法，以增加pmos区域源漏接触孔到栅极的距离，避免源漏极和栅极短接，提升产品良率和可靠性，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种fdsoi器件的制作方法，用于解决现有技术中fdsoi器件的工艺复杂、器件可靠性差的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种fdsoi器件的制作方法，包括以下步骤：

3、提供半导体结构，所述半导体结构包括nmos区域和pmos区域，所述nmos区域形成有nmos栅极结构，所述pmos区域形成有pmos栅极结构；

4、于所述半导体结构上形成覆盖所述nmos栅极结构及所述pmos栅极结构的侧墙层，所述侧墙层包括层叠的第一侧墙层和第二侧墙层；

5、将位于所述pmos区域表面的所述第一侧墙层和所述第二侧墙层去除，保留位于所述pmos栅极结构侧壁的所述第一侧墙层和所述第二侧墙层；

6、于所述pmos区域表面形成第一掺杂外延层，所述第一掺杂外延层分离设置于所述pmos栅极结构的两侧；

7、去除所述第二侧墙层，并于所述第一掺杂外延层的表面形成保护层；

8、去除位于所述nmos区域表面的所述第一侧墙层，保留位于所述nmos栅极结构侧壁的所述第一侧墙层；

9、于所述nmos区域表面形成第二掺杂外延层，所述第二掺杂外延层分离设置于所述nmos栅极结构的两侧。

10、可选地，所述第一侧墙层为siocn层，所述第二侧墙层为sicn层。

11、可选地，所述保护层为siocn层。

12、可选地，所述第一掺杂外延层为硼掺杂硅锗层。

13、可选地，所述第二掺杂外延层为磷掺杂硅层。

14、可选地，所述半导体结构包括底部衬底层、中部绝缘埋层和顶部半导体层。

15、可选地，在所述nmos区域，所述顶部半导体层为硅层，在所述pmos区域，所述顶部半导体层为硅锗层。

16、可选地，形成所述第一掺杂外延层的方法包括选择性外延生长法，形成所述第二掺杂外延层的方法包括选择性外延生长法。

17、可选地，形成所述第一掺杂外延层后，采用湿法刻蚀法去除所述第二侧墙层。

18、可选地，所述nmos区域和所述pmos区域之间形成有隔离结构。

19、如上所述，本发明的fdsoi器件的制作方法中，形成第一掺杂外延层时，pmos栅极结构的侧壁为第一侧墙层和第二侧墙层，通过设置两层侧墙，增加第一掺杂外延层和pmos栅极结构的距离，即能够增加源极及漏极的接触孔与pmos栅极结构的距离，避免源极及漏极的接触孔与栅极桥接短路，保证产品的良率和可靠性，且形成第二掺杂外延层之前，去除第二侧墙层，不额外增加第二掺杂外延层和nmos栅极结构之间的距离；另外，形成第二掺杂外延层之前，形成保护层覆盖第一掺杂外延层，能够避免在第一掺杂外延层上形成第二掺杂外延层，进一步保证产品的良率和可靠性。

1.一种fdsoi器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：所述第一侧墙层为siocn层，所述第二侧墙层为sicn层。

3.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：所述保护层为siocn层。

4.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：所述第一掺杂外延层为硼掺杂硅锗层。

5.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：所述第二掺杂外延层为磷掺杂硅层。

6.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：所述半导体结构包括底部衬底层、中部绝缘埋层和顶部半导体层。

7.根据权利要求6所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：在所述nmos区域，所述顶部半导体层为硅层，在所述pmos区域，所述顶部半导体层为硅锗层。

8.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：形成所述第一掺杂外延层的方法包括选择性外延生长法，形成所述第二掺杂外延层的方法包括选择性外延生长法。

9.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：形成所述第一掺杂外延层后，采用湿法刻蚀法去除所述第二侧墙层。

10.根据权利要求1所述的fdsoi器件的制作方法，其特征在于：所述nmos区域和所述pmos区域之间形成有隔离结构。