封装架构及其制造方法与流程

摘要: 本发明涉及一种封装架构及其制造方法,特别涉及一种提高芯片散热效能的封装架构。背景技术:1、随着半导体产业的进展,芯片的运作速度愈来愈快,所发出的热也愈来愈多。但...
封装架构及其制造方法与流程

本发明涉及一种封装架构及其制造方法,特别涉及一种提高芯片散热效能的封装架构。

背景技术:

1、随着半导体产业的进展,芯片的运作速度愈来愈快,所发出的热也愈来愈多。但随着温度升高,芯片的运作表现亦会变差。

2、因此,半导体产业需要芯片散热效能提高的封装架构。通过此种封装架构,将芯片所产生的热快速导出,以维持芯片运作。

技术实现思路

1、本发明的一目的是提出一种封装架构,能够提高芯片散热效能。

2、本发明的一实施例提出一种封装架构,包含一第一基板、一第一芯片、至少一第一导热元件(heat spreader)、一第一模封材料及一散热件。第一芯片设置于第一基板之上。第一导热元件设置于第一基板之上并相邻于第一芯片。第一模封材料设置于第一基板之上并包覆第一芯片的侧表面及第一导热元件的侧表面。散热件设置于第一基板、第一芯片、第一导热元件及第一模封材料之上。

3、本发明的另一实施例提出一种封装架构的制造方法,包含准备一第一封装,以及于第一封装之上设置一散热件。准备第一封装包含以下步骤。在一第一基板之上设置一第一芯片。在第一基板之上设置至少一第一导热元件,至少一第一导热元件设置成相邻于第一芯片。在第一基板之上设置一第一模封材料,第一模封材料包覆第一芯片的侧表面及至少一第一导热元件的侧表面。

4、根据本发明的一实施例的封装架构,第一芯片所产生的热可经由第一导热元件传导至第一基板,还可经由第一导热元件及传导至散热件。第一基板及散热件可进一步将热逸散至大气中,由此将第一芯片所产生的热快速导出,以维持第一芯片运作。

5、以上的关于本 技术实现要素: 的说明及以下的实施方式的说明是用以示范与解释本发明的精神与原理,并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。

1.一种封装架构,其包括:

2.如权利要求1所述的封装架构,其中该至少一第一导热元件的数量为多个,该些第一导热元件为多个同轴导电通孔,该些同轴导电通孔排列成相邻于该第一芯片并分别贯穿该第一模封材料。

3.如权利要求1所述的封装架构,其中该至少一第一导热元件的数量为多个,该些第一导热元件为多个墙体,该些墙体排列成相邻于该第一芯片并分别贯穿该第一模封材料,各该墙体沿实质上垂直于该第一芯片的侧表面的方向延伸。

4.如权利要求1所述的封装架构,其还包括电路板,该电路板设置于该第一基板并电连接于该第一基板,该第一基板位于该第一芯片与该电路板之间。

5.如权利要求1所述的封装架构,其还包括第二导热元件,设置于该第一芯片及该第一模封材料之上并位于该散热件与该第一芯片之间,该第二导热元件与该第一导热元件热接触,该第一芯片位于该第二导热元件与该第一基板之间。

6.如权利要求5所述的封装架构,其还包括导热膏,设置于该散热件与该第一模封材料之间及该散热件与该第二导热元件之间。

7.如权利要求5所述的封装架构,其还包括:

8.如权利要求7所述的封装架构,其中该至少一第三导热元件的数量为多个,该些第三导热元件为多个同轴导电通孔,该些同轴导电通孔排列成相邻于该第二芯片并分别贯穿该第二模封材料。

9.如权利要求7所述的封装架构,其中该至少一第三导热元件的数量为多个,该些第三导热元件为多个墙体,该些墙体排列成相邻于该第二芯片并分别贯穿该第二模封材料,各该墙体沿实质上垂直于该第二芯片的侧表面的方向延伸。

10.如权利要求7所述的封装架构,其还包括导热膏,设置于该散热件与该第二模封材料之间及该散热件与该第四导热元件之间。

11.如权利要求7所述的封装架构,其还包括电路板,该电路板设置于该第一基板并电连接于该第一基板,该第一基板位于该第一芯片与该电路板之间。

12.如权利要求7所述的封装架构,其还包括金属烧结环氧树脂层,设置于该第二基板与该至少一第一导热元件之间及该第二导热元件与该第一芯片之间。

13.如权利要求1所述的封装架构,其还包括天线层,设置于该第一基板,该第一基板位于该天线层与该第一芯片之间,该第一芯片位于该第一基板与该散热件之间。

14.如权利要求13所述的封装架构,其还包括电路板,设置于该第一芯片与该散热件之间并连接于该至少一第一导热元件。

15.如权利要求14所述的封装架构,其还包括导热膏,设置于该第一模封材料与该电路板之间及该电路板与该散热件之间。

16.一种封装架构的制造方法,其包括:

17.如权利要求16所述的封装架构的制造方法,其中在该第一基板之上设置该至少一第一导热元件的步骤包括:

18.如权利要求16所述的封装架构的制造方法,其还包括:

19.如权利要求18所述的封装架构的制造方法,其中在该第二基板的该上表面之上设置该至少一第三导热元件的步骤包括:

20.如权利要求18所述的封装架构的制造方法,其还包括: