等离子体处理装置、电源系统及控制方法与流程

本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理装置、电源系统及控制方法。

背景技术：

1、等离子体处理装置被用于对基片进行等离子体处理。在等离子体处理装置中，为了将离子从在腔室内生成的等离子体引入到基片，使用偏置高频电力。下述专利文献1公开了一种对偏置高频电力的功率电平及频率进行调制的等离子体处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009－246091号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开提供抑制为了生成等离子体而使用的源高频电力的反射的技术。

3、用于解决课题的手段

4、在一个示例性实施方式中，公开了一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、腔室内的基片支承部、高频电源、偏置电源、及电源控制部。高频电源被构成为：为了从腔室内的气体生成等离子体而供给源高频电力。偏置电源被构成为：为了将离子从等离子体引入到基片支承部上的基片而向基片支承部供给电偏置。电源控制部被构成为控制高频电源。电源控制部被构成为：根据电偏置的波形周期中的源高频电力的反射的程度或分割波形周期的多个相位期间各自中的反射的程度，决定用于多个相位期间各自的源高频电力的源频率即调整后的源频率以在之后的电偏置的波形周期中降低反射的程度。电源控制部被构成为：阶段性地改变在多个相位期间之中的被选择的第一相位期间中从高频电源输出的源高频电力的源频率，以使其从用于第一相位期间的调整后的源频率向用于第一相位期间之后接续的第二相位期间的调整后的源频率接近。

5、发明效果

6、根据一个示例性实施方式，能够抑制为了生成等离子体而使用的源高频电力的反射。

1.一种等离子体处理装置，具备：

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，

5.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，

6.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，进一步具备：

7.一种电源系统，具备：

8.如权利要求7所述的电源系统，

9.如权利要求7所述的电源系统，

10.如权利要求7～9中任一项所述的电源系统，

11.如权利要求7～9中任一项所述的电源系统，

12.如权利要求7～9中任一项所述的电源系统，进一步具备：

13.一种控制方法，包括：