存储器件、存储器件的制造方法及存储系统与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种存储器件、存储器件的制造方法及存储系统。

背景技术：

1、相关技术中，采用栅致漏极漏电(gate induced drain leakage，gidl)擦除机制实现存储器件的擦除操作。当源结深度较长时，可获得较高的gidl电流，从而提升擦除效率。然而，源结深度的增加，会导致关态漏电流偏高，使得关态漏电流与擦除效率难以平衡。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种存储器件、存储器件的制造方法及存储系统，用于改善关态漏电流与擦除效率难以平衡的问题。

2、根据本申请的一个方面，提供一种存储器件，包括半导体层、堆叠结构以及沟道结构，堆叠结构包括沿第一方向交替层叠于所述半导体层的多个介质层和多个导电层；沟道结构沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构，所述沟道结构包括沟道层，所述沟道层包括沿所述第一方向相对设置的第一端部和第二端部，以及位于所述第一端部和所述第二端部之间的中间部，所述第一端部延伸至所述半导体层；其中，所述第一端部与所述中间部的交界处具有异质界面。

3、在一些实施例中，所述第一端部和所述第二端部均设有第一掺杂材料，所述第一端部设有与所述第一掺杂材料类型不同的第二掺杂材料。

4、在一些实施例中，所述沟道层的掺杂有所述第二掺杂材料的部分的带隙，低于未掺杂所述第二掺杂材料的部分的带隙。

5、在一些实施例中，所述第一掺杂材料包括n型掺杂剂；所述第二掺杂材料包括锗元素、碳元素、氮元素中的至少一种。

6、在一些实施例中，所述第二掺杂材料的掺杂比例小于或等于50％。

7、在一些实施例中，所述第一端部与所述中间部的朝向所述半导体层的端面接触；所述异质界面位于所述第一端部与所述中间部接触的区域。

8、在一些实施例中，所述沟道结构还包括自所述沟道层向外依次排布的隧穿层、存储层和阻隔层；所述第一端部与所述中间部的朝向所述半导体层的端面接触，且所述第一端部与所述隧穿层的内侧面接触。

9、在一些实施例中，所述沟道结构还包括自所述沟道层向外依次排布的隧穿层、存储层和阻隔层；所述第一端部与所述中间部的朝向所述半导体层的端面、所述隧穿层的朝向所述半导体层的端面、所述存储层的朝向所述半导体层的端面、所述阻隔层的朝向所述半导体层的端面接触，且所述第一端部与所述隧穿层的内侧面接触。

10、在一些实施例中，所述第二端部与所述中间部的交界处也具有所述异质界面。

11、根据本申请的另一个方面，提供一种存储器件的制造方法，包括以下步骤：

12、提供堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向交替层叠的多个介质层和多个导电层；

13、在所述堆叠结构上形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层，所述沟道层包括沿所述第一方向相对设置的第一端部和第二端部，以及位于所述第一端部和所述第二端部之间的中间部，所述第一端部延伸至所述半导体层，其中，所述第一端部与所述中间部的交界处具有异质界面。

14、在一些实施例中，所述在所述堆叠结构上形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的沟道结构包括：

15、在所述堆叠结构上形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的初始沟道结构；

16、去除所述初始沟道结构沿所述第一方向一端的部分材料，形成沟道层的中间部；

17、在所述中间部的一端形成初始第一端部；

18、对所述初始第一端部掺杂第二掺杂材料，形成沟道层的第一端部。

19、根据本申请的另一个方面，提供一种存储系统，包括至少一个如前述的存储器件和控制器，控制器与所述存储器件耦合，并用于控制所述存储器件存储数据。

20、根据本申请至少一个实施方式提供的存储器件、存储器件的制造方法及存储系统，存储器件包括半导体层、堆叠于半导体层的堆叠结构以及沿第一方向贯穿堆叠结构的沟道结构，沟道结构包括沟道层，沟道层包括沿第一方向相对设置的第一端部、第二端部，以及位于第一端部与第二端部之间的中间部，其中第一端部延伸至半导体层，第一端部与中间部的交界处具有异质界面，由此可提高第一端部与中间部的交界处的擦除电流，从而提升擦除效率，平衡关态漏电流与擦除效率。

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一端部和所述第二端部均设有第一掺杂材料，所述第一端部设有与所述第一掺杂材料类型不同的第二掺杂材料。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述沟道层的掺杂有所述第二掺杂材料的部分的带隙，低于未掺杂所述第二掺杂材料的部分的带隙。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述第一掺杂材料包括n型掺杂剂；

5.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述第二掺杂材料的掺杂比例小于或等于50％。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一端部与所述中间部的朝向所述半导体层的端面接触；

7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述沟道结构还包括自所述沟道层向外依次排布的隧穿层、存储层和阻隔层；

8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述沟道结构还包括自所述沟道层向外依次排布的隧穿层、存储层和阻隔层；

9.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第二端部与所述中间部的交界处也具有所述异质界面。

10.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

11.根据权利要求10所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述在所述堆叠结构上形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构的沟道结构包括：

12.一种存储系统，其特征在于，包括：