存储器件、存储器件的制作方法及存储系统与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种存储器件、存储器件的制作方法及存储系统。

背景技术：

1、存储器件是电子系统中重要的部件之一。随着半导体技术的飞速发展，如何优化存储器件的综合性能是行业内的重要研究方向之一。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种存储器件、存储器件的制作方法及存储系统，用于优化存储器件的综合性能。

2、根据本申请的一个方面，提供一种存储器件，包括阵列排布的多个半导体主体、多个存储结构、多条字线，所述半导体主体包括第一主体和第二主体，所述第一主体包括沿第一方向相对的第一端部和第二端部，所述第二主体包括沿所述第一方向相对的第三端部和第四端部，所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向两两相交；多个存储结构与多个所述半导体主体对应设置，一个所述存储结构与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接；多条字线沿第三方向依次排布，所述字线沿第二方向延伸并与同一行的各所述半导体主体耦接，所述字线位于同一所述半导体主体的所述第一主体和所述第二主体之间。

3、在一些实施例中，所述字线沿所述第三方向的相对两侧分别与所述第一主体、所述第二主体耦接。

4、在一些实施例中，所述存储器件还包括栅氧结构，所述栅氧结构位于所述字线与所述第一主体之间。

5、在一些实施例中，所述存储器件还包括栅氧结构，所述栅氧结构位于所述字线与所述第二主体之间。

6、在一些实施例中，所述第一主体朝向所述存储结构一端的端面、所述第二主体朝向所述存储结构一端的端面及所述栅氧结构朝向所述存储结构一端的端面齐平。

7、在一些实施例中，所述存储器件还包括位线，所述位线与所述半导体主体的所述第二端部和所述第四端部耦接。

8、在一些实施例中，所述存储器件包括多条所述位线，多条所述位线沿所述第二方向间隔排布；所述位线沿所述第三方向延伸，且与同一列的所述半导体主体的所述第二端部、所述第四端部耦接。

9、在一些实施例中，所述存储器件还包括屏蔽结构，所述屏蔽结构包括沿所述第三方向间隔排布的多个屏蔽部；所述屏蔽部位于相邻的两行所述半导体主体之间。

10、在一些实施例中，沿所述第三方向，所述屏蔽部与所述字线交替排布。

11、在一些实施例中，所述存储器件还包括与多个所述半导体主体对应设置的多个存储节点接触部，所述存储节点接触部沿所述第一方向的一端与所述存储结构耦接，另一端与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接。

12、在一些实施例中，所述存储结构包括电容器，所述电容器与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接。

13、根据本申请的另一个方面，提供一种存储器件的制作方法，包括以下步骤：

14、形成阵列排布的多个半导体主体，所述半导体主体包括第一主体和第二主体，所述第一主体包括沿第一方向相对的第一端部和第二端部，所述第二主体包括沿所述第一方向相对的第三端部和第四端部，所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向两两相交；

15、形成多条沿第三方向依次排布的字线，所述字线沿第二方向延伸并与同一行的各所述半导体主体耦接，所述字线位于同一所述半导体主体的所述第一主体和所述第二主体之间；

16、提供多个存储结构，并将多个所述存储结构与多个所述半导体主体对应设置，其中，一个所述存储结构与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接。

17、在一些实施例中，还包括：

18、提供半导体层；

19、在所述半导体层上设置多个间隔排布的凹槽，形成多个阵列排布的半导体柱，多个所述半导体柱包括多个所述第一主体和多个所述第二主体，沿所述第三方向，一个所述第一主体和与之相邻的一个所述第二主体组成所述半导体主体；

20、在同一所述半导体主体的所述第一主体和所述第二主体之间设置第一导电材料，形成所述字线。

21、在一些实施例中，还包括：

22、在沿所述第三方向相邻的两个所述半导体主体之间设置第二导电材料，形成位于相邻两行所述半导体主体之间的屏蔽部。

23、在一些实施例中，还包括：

24、形成多个存储节点接触部，所述存储节点接触部沿所述第一方向的一端与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接；

25、在所述存储节点接触部沿所述第一方向的另一端耦接所述存储结构。

26、根据本申请的另一个方面，提供一种存储系统，包括：

27、如前述的存储器件，所述存储器件被配置为存储数据；

28、控制器，所述控制器与所述存储器件耦合，并且被配置为控制所述存储器件。

29、本申请实施例的存储器件，通过将字线、半导体主体、存储结构的相对位置进行调整，将一个半导体主体的两个部分与同一个存储结构耦接，即第一主体和第二主体与同一个存储结构耦接，并将字线设置在同一个半导体主体的第一主体与第二主体之间，使得相邻两条字线被间隔开，从而能够改善相邻两条字线短路的问题，进而优化存储器件的综合性能。

1.一种存储器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述字线沿所述第三方向的相对两侧分别与所述第一主体、所述第二主体耦接。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括栅氧结构，所述栅氧结构位于所述字线与所述第一主体之间。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括栅氧结构，所述栅氧结构位于所述字线与所述第二主体之间。

5.根据权利要求3或4所述的存储器件，其特征在于，所述第一主体朝向所述存储结构一端的端面、所述第二主体朝向所述存储结构一端的端面及所述栅氧结构朝向所述存储结构一端的端面齐平。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括位线，所述位线与所述半导体主体的所述第二端部和所述第四端部耦接。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件包括多条所述位线，多条所述位线沿所述第二方向间隔排布；

8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括屏蔽结构，所述屏蔽结构包括沿所述第三方向间隔排布的多个屏蔽部；

9.根据权利要求8所述的存储器件，其特征在于，沿所述第三方向，所述屏蔽部与所述字线交替排布。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件还包括与多个所述半导体主体对应设置的多个存储节点接触部，所述存储节点接触部沿所述第一方向的一端与所述存储结构耦接，另一端与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储结构包括电容器，所述电容器与同一所述半导体主体的所述第一端部和所述第三端部耦接。

12.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的存储器件的制作方法，其特征在于，还包括：

14.根据权利要求13所述的存储器件的制作方法，其特征在于，还包括：

15.根据权利要求12所述的存储器件的制作方法，其特征在于，还包括：

16.一种存储系统，其特征在于，包括：