半导体装置的制作方法

本公开涉及半导体装置。

背景技术：

1、以往公知有一种半导体装置，其具备mosfet（metal oxide semiconductor fieldeffect transistor；金属氧化物半导体场效应晶体管）、igbt（insulated gate bipolartransistor；绝缘栅双极型晶体管）等功率用半导体元件。对于这种半导体装置而言，为了实现大容量化、高输出化，有时将多个半导体元件彼此并联地连接使用（例如专利文献1）。专利文献1所述的半导体装置具备：两个半导体元件、第一端子和第二端子、第一连接导体和第二连接导体、以及引线。在专利文献1种，两个半导体元件分别为igbt。两个半导体元件分别搭载于第一连接导体，且两个半导体元件各自的集电极电极与第一连接导体导通。第一连接导体与第一端子连接。第一端子例如是集电极端子。在两个半导体元件各自的发射极电极接合有引线，并且经由该引线分别与第二连接导体导通。第二连接导体与第二端子连接。第二端子例如是发射极端子。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1 : 日本特开2009－148077号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、在专利文献1所述的半导体装置种，例如在从第一端子到各半导体元件的电流路径上存在距离差。由于该距离差而可能使在各半导体元件中流动的电流的大小产生不均。该不均是导致一方的半导体元件的负荷增大且与另一方的半导体元件相比寿命缩短的重要因素。

3、针对上述情况，本公开的一个课题是提供一种半导体装置，其能够抑制在并联连接的多个半导体元件中流通的电流的不均。

4、用于解决课题的方案

5、本公开的半导体装置具备：彼此并联地电连接的多个第一半导体元件，其各自具有在厚度方向上分离的第一元件主面和第一元件背面；焊垫部，其与所述多个第一半导体元件导通；以及第一端子部，其与所述焊垫部导通。在所述厚度方向上观察，所述多个第一半导体元件沿着与所述厚度方向正交的第一方向排列。所述焊垫部形成为包含由三个线段围成的封闭区域，该三个线段是将不在同一直线上的第一顶点、第二顶点和第三顶点每两个连结而成的。在所述厚度方向上观察，所述第一顶点与所述多个第一半导体元件中的在所述第一方向的一侧处于最外侧的第一半导体元件重叠。在所述厚度方向上观察，所述第二顶点与所述多个第一半导体元件中的在所述第一方向的另一侧处于最外侧的第一半导体元件重叠。在所述厚度方向上观察，所述第三顶点位于将所述第一顶点与所述第二顶点连结的线段的垂直等分线上。

6、发明的效果

7、根据本公开的半导体装置，能够抑制在并联连接的多个半导体元件中流动的电流的偏差。

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

12.一种半导体装置，其特征在于，具备：

13.一种半导体装置，其特征在于，具备：

14.一种半导体装置，其特征在于，具备：

15.一种半导体装置，其特征在于，具备：