微型LED发光结构及其制备方法、显示装置与流程

技术特征：
1.一种微型led发光结构，其特征在于，包括衬底和外延生长于所述衬底上的发光单元；所述发光单元包括垂直设置于所述衬底上的两个以上的发光二极管和设置于相邻所述发光二极管之间的绝缘层，各所述发光二极管包括沿所述衬底向上方向依次层叠设置的n型层、有源量子肼层和p型层，所述发光单元包括的各所述发光二极管的所述有源量子肼层分别发出不同颜色的光线；所述发光单元还具有从所述发光单元的最顶层分别凹陷至各所述发光二极管的所述n型层的n极台阶和从所述发光单元的最顶层分别凹陷至各所述发光二极管的所述p型层的p极台阶；所述发光单元还包括分别设置于各所述n极台阶上的n电极、分别设置于各所述p极台阶和最上层所述p型层上的p电极以及与各所述p电极和各所述n电极同层设置的钝化层，所述钝化层位于所述发光单元的顶面和侧壁；所述发光单元还包括电极连接桥，所述电极连接桥设置于各所述p电极或各所述n电极上方，所述电极连接桥用于使各所述p电极或各所述n电极共电极。2.根据权利要求1所述的微型led发光结构，其特征在于，所述发光二极管的数量为3个，各所述发光二极管的所述有源量子肼层分别发出红、绿、蓝色光线。3.根据权利要求1或2所述的微型led发光结构，其特征在于，各所述有源量子肼层为无机材料。4.根据权利要求3所述的微型led发光结构，其特征在于，各所述n型层的材料相同，各所述p型层的材料相同。5.根据权利要求4所述的微型led发光结构，其特征在于，包括下列技术特征a～f中的至少一个：a：所述n型层的材料选自氮化镓材料或铟氮化镓材料；b：所述p型层的材料选自氮化镓材料或铟氮化镓材料；c：所述绝缘层的材料选自氧化硅、氮化硅或光刻胶；d：所述衬底的材料选自蓝宝石、氮化镓材料或铟氮化镓材料；e：所述钝化层的材料选自氧化硅或氮化硅。6.根据权利要求5所述的微型led发光结构，其特征在于，各所述n型层和各所述p型层均为相同材料。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的微型led发光结构，其特征在于，还包括设置于所述发光单元的背离所述衬底一侧的有源驱动基板，所述有源驱动基板分别与所述电极连接桥和各所述n电极电连接，或者所述有源驱动基板分别与所述电极连接桥和各所述p电极电连接。8.根据权利要求7所述的微型led发光结构，其特征在于，所述有源驱动基板为驱动芯片。9.一种微型led发光结构的制备方法，其特征在于，包括以下过程：在衬底上外延生长各发光二极管的n型层、有源量子肼层和p型层以及位于相邻所述发光二极管之间的绝缘层，形成外延片；其中，所述发光二极管的数量为两个以上，各所述发光二极管垂直设置；从所述外延片的最上层开始刻蚀，分别形成刻蚀至各所述发光二极管的所述n型层的n
极台阶以及刻蚀至各所述发光二极管的所述p型层的p极台阶，得到刻蚀后的外延片；在所述刻蚀后的外延片顶面和侧壁形成钝化层；在各所述n极台阶和各所述p极台阶的对应位置处刻蚀所述钝化层形成通孔；填充所述通孔形成各p电极和各n电极；在各所述p电极或各所述n电极上方形成电极连接桥，所述电极连接桥用于使各所述p电极或各所述n电极共电极。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～8中任意一项所述的微型led发光结构，或包括如权利要求9所述的制备方法制得的微型led发光结构。

技术总结
本发明公开了一种微型LED发光结构及其制备方法、显示装置，微型LED发光结构包括衬底和外延生长于衬底上的发光单元；发光单元包括垂直设置于衬底上的两个以上的发光二极管和设置于相邻发光二极管之间的绝缘层，各发光二极管分别发出不同颜色的光线；发光单元还具有从发光单元的最顶层分别凹陷至各发光二极管的N型层的N极台阶和分别凹陷至各发光二极管的P型层的P极台阶；以及还包括分别设置于各N极台阶上的N电极、分别设置于各P极台阶和最上层P型层上的P电极以及与各P电极和各N电极同层设置的钝化层；发光单元还包括设置于各P电极或各N电极上方的电极连接桥。本发明不仅提高像素密度，而且避免巨量转移。而且避免巨量转移。而且避免巨量转移。


技术研发人员：钟舒婷 刘弈镈
受保护的技术使用者：深圳市思坦科技有限公司
技术研发日：2023.04.13
技术公布日：2023/9/13