晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备与流程

1.本发明涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备。


背景技术：

2.随着电子信息技术的蓬勃发展，半导体芯片在社会生产生活中的重要性显著提升，半导体芯片一般由单晶硅组成，单晶硅材料具有硬度高、脆性大等特点，加工难度较大，传统的加工方法一般采用机械的微加工，然而，随着半导体芯片集成度越来越高，体积越来越轻便，传统的加工方法已经很难适用于大尺寸、低厚度的芯片中，随着超快激光技术的发展，将皮秒激光器用于晶圆表面加工中，对晶圆表面进行改性的同时不会产生机械应力和高温环境，实现微米级的表面聚焦，这可以解决传统方法的因激光热烧蚀带来的硬度降低和机械加工带来的易于断裂的问题。这种“冷加工”的方式（即激光冷裂技术）为实现大尺寸晶圆的表面加工提供了新的解决方案。
3.在超快激光加工晶圆表面的过程中，由于各种外界因素的影响和加工条件的限制，会不可避免地出现误差，进而导致激光改制的孔径深度不均，影响晶圆的后续处理。进一步地，激光改制的过程对位移台的移动速度要求较高，同时又要求位移台受惯性力产生的形变较低，并且及时调整位移台的回转方向，这就需要对位移台的刚度等特性进行分析，以提高加工效率。而目前在激光改制的工艺中，并没有形成相关的国家标准和行业标准，这就导致市场上激光冷裂后得到的表面一致性参差不齐。
4.由于激光改制的误差来源较多，涉及的因素较为复杂，目前尚无现有技术对激光改制时的晶圆改制深度进行误差分析和测量不确定度评定，导致无法对激光改制过程中晶圆改制深度进行精确控制。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备，以至于克服现有技术中晶圆改制深度控制不精确的技术问题。
6.根据本技术实施例的一方面，提供了一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法，该方法包括：根据晶圆激光改制装置及相关系统，确定需计算的晶圆改制深度测量不确定度的分量，包括静态不确定度分量和动态不确定度分量；计算所述静态不确定度分量和所述动态不确定度分量；利用所述静态不确定度分量和动态不确定度分量确定合成标准不确定度。
7.可选地，在确定合成标准不确定度之后，还包括：利用如下方式确定扩展不确定度：，其中，为扩展不确定度，为合成标准不确定度，为包含因子，取值为正数。
8.可选地，所述晶圆激光改制装置包括激光器、位移台和导轨副，所述导轨副包括重叠放置的横向移动导轨副和纵向移动导轨副，所述横向移动导轨副和纵向移动导轨副分别设置有两个导轨，任意导轨上设置有两个滑块，所述位移台设置有位移传感器；所述位移台通过所述滑块与所述横向移动导轨副或所述纵向移动导轨副中的一个导轨副相连，所述横向移动导轨副与所述纵向移动导轨副之间通过所述滑块连接，通过所述滑块在导轨副上进行滑动；所述激光器用于发出激光对晶圆进行改制，所述位移台用于承载晶圆，所述导轨副用于移动晶圆，所述位移传感器用于测量晶圆改制深度。
9.可选地，计算所述静态不确定度分量，进一步包括：计算所述位移传感器测量引起的不确定度、所述激光器输出引起的不确定度和所述晶圆、位移台与导轨的形位误差引起的不确定度中的至少一种；利用、、中的至少一种计算。
10.可选地，计算所述位移传感器测量引起的不确定度，进一步包括：计算所述位移传感器重复性测量晶圆表面引起的不确定度和所述位移传感器重复性测量晶圆改制槽深度引起的不确定度、分辨力引起的不确定度、垂直度误差引起的不确定度、温度漂移引起的不确定度、零点漂移引起的不确定度、灵敏度漂移引起的不确定度、电磁兼容引起的不确定度、回程误差引起的不确定度中的至少一种；利用、、中的至少一种计算。
11.可选地，计算所述位移传感器测量引起的不确定度，进一步包括：计算所述位移传感器重复性测量晶圆表面引起的不确定度和所述位移传感器重复性测量晶圆改制槽深度引起的不确定度、分辨力引起的不确定度、垂直度误差引起的不确定度、温度漂移引起的不确定度、零点漂移引起的不确定度、灵敏度漂移引起的不确定度、电磁兼容引起的不确定度、回程误差引起的不确定度中的至少一种；利用、、、、、、、和中的至少一种计算。
12.可选地，计算所述激光器输出引起的不确定度，进一步包括：计算所述激光器聚焦深度引起的不确定度和聚焦像差引起的不确定度中的至少一种；利用和中的至少一种计算。
13.可选地，计算所述晶圆、位移台与导轨的形位误差引起的不确定度，进一步包括：利用所述晶圆表面均匀性引起的不确定度、基台表面平面度引起的不确定度、温度引起的位移台和导轨的不确定度、导轨直线度误差引起的不确定度中的至少一种；
计算、、和中的至少一种计算。
14.可选地，计算所述动态不确定度分量，进一步包括：计算振动引起的不确定度、横向导轨的滑块形变量引起的位移不确定度和导轨弯曲变形导致的测量不确定度中的至少一种；利用、和中的至少一种计算。
15.可选地，利用如下方式确定合成标准不确定度：,其中，为合成标准不确定度，为静态不确定度
16.根据本技术实施例的另一方面，还提供了一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定设备，包括：处理器以及与所述处理器连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述处理器执行的指令，所述指令被所述处理器执行，以使所述处理器执行上述晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法。
17.根据本发明提供的不确定度的确定方法及设备，通过对晶圆激光改制的结构进行分解，计算相关的不确定度分量，形成了较为完善的不确定度来源分析，由此综合全部的不确定度分量得到合成标准不确定度，通过对上述不确定度分量进行评估和分析，可以获取影响不确定度的主要分量，进而对其主要分量进行控制，本方案适应激光改制装置这一特殊结构，计算结果准确，从而可以用于对晶圆改制深度进行精确控制。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本发明实施例中的晶圆激光改制装置的一种状态示意图；图2为本发明实施例中的晶圆激光改制装置的另一状态示意图；图3为本发明实施例提供的晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法的流程示意图；图4为激光改制晶圆改制深度溯源体系的架构图。
具体实施方式
20.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
21.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
22.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
23.此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
24.如图1所示，本发明实施例提供了一种晶圆激光改制装置，该装置包括激光器1、位移台3和导轨副4，导轨副4包括重叠放置的横向移动导轨副5和纵向移动导轨副6，横向移动导轨副和纵向移动导轨副分别设置有两个导轨，任意导轨上设置有两个滑块。位移台3通过滑块与横向移动导轨副5或纵向移动导轨副6中的一个导轨副相连，横向移动导轨副5与纵向移动导轨副6之间通过滑块连接，通过滑块在导轨副上进行滑动。
25.位移台3用于承载晶圆2，激光器1用于发出激光对晶圆2进行改制，导轨副4用于移动晶圆2。位移台3设置有位移传感器，位移传感器用于测量晶圆2的改制深度。
26.结合图1和图2所示，工作方式具体包括：控制激光器1发出激光，激光聚焦至晶圆的表面，同时位移传感器读取激光器光源位置到晶圆表面距离为，然后调整激光器1聚焦深度到预设深度，同时固定在导轨的滑块上的位移台3带动晶圆2按照既定的蛇形路线进行轴向移动，在匀速移动过程中激光不断对晶圆2进行改制，从而获得多个具有预设深度的改制槽7。此时，通过位移传感器再次读取激光器1光源位置到改制槽7最深处的距离为，由此，计算得到改制槽深度值d，。
27.如图3所示，本发明的一个实施例，提供了一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法，本方法可以由计算机或服务器等电子设备执行，具体包括如下操作：s110，根据晶圆激光改制装置及相关系统，确定需计算的晶圆改制深度测量不确定度的分量，包括静态不确定度分量和动态不确定度分量。
28.对于图1中的晶圆激光改制装置，相关系统包括晶圆导轨系统、晶圆位移台系统、激光器系统和位移传感器系统。对于其它改制装置，可根据实际的构成部分选择相应的系统。因此，需计算的晶圆改制槽深度的不确定度分量应根据改制装置的结构和测量传递链条来确定。
29.以图1所示的改制装置为例，根据几何量的传递链条特征，该几何量传递共分为以下几个部分：晶圆导轨系统、晶圆位移台系统、激光器系统和位移传感器系统，而上述不确定度来源有以下几个方面：位移传感器测量引起的不确定度、激光器输出引起的不确定度、晶圆、位移台和导轨的形位误差引起的不确定度、位移台振动引起的不确定度和位移台摆动过程中惯性力引起的不确定度，其中，位移传感器测量引起的不确定度、激光器输出引起的不确定度、晶圆、位移台和导轨的形位误差引起的不确定度统称为静态不确定度分量，位移台振动引起的不确定度和位移台摆动过程中惯性力引起的不确定度统称为动态不确定分量。
30.进一步地，还可以确定每个传递环节是否具有耦合关联，通过相关性分析确定各环节是否存在互相关，相关联的分量确立其相关系数，不相关的分量按照独立变量进行处理。根据数学模型和不确定度来源分析可知，各个不确定度分量之间相互独立，其相关系数
可忽略。
31.s120，计算静态不确定度分量和动态不确定度分量。根据各环节中对改制深度的大小的影响机理，对影响改制深度的因素进行分类，具体可以分为两类，一类为能够用统计的方法得到不确定度分量，另一类为不能用统计的方法得到不确定度分量。对于这两种类型的不确定度分量可采用不同的计算方法。
32.s130，利用静态不确定度分量和动态不确定度分量确定合成标准不确定度。静态不确定度分量包括位移传感器测量引起的不确定度、所述激光器输出引起的不确定度和所述晶圆、位移台与导轨的形位误差引起的不确定度，则根据、、这三个分量计算出一个总的静态不确定度分量；动态不确定度分量包括振动引起的不确定度、横向导轨的滑块形变量引起的位移不确定度和导轨弯曲变形导致的测量不确定度，则根据、和这三个分量计算出一个总的动态不确定度分量，并根据静态不确定度分量和动态不确定度分量计算出总的合成标准不确定度，并且如前所述，在计算过程中还可以针对各种分量引入相关系数进行计算。
33.需要说明的是，对于其它改制装置，比如包括更多的相关子系统的改制装置，可计算出更多的不确定度分量，进而计算出合成标准不确定度。
34.在可选实施例中，确定合成标准不确定度之后，还可以进一步计算扩展不确定度。
35.具体地，扩展不确定度，为扩展不确定度，为合成标准不确定度，为包含因子，取值为正数。包含因子的取值与置信概率相关，通过设置合适的包含因子可以提高置信概率。
36.另外，为便于计算，本方案中的不确定度可以是相对不确定度，最终不确定度计算结果以百分数形式表示。
37.下面通过若干实施例对图1所示晶圆激光改制装置的静态不确定度分量和动态不确定度分量进行介绍。
38.关于静态不确定度分量中的位移传感器测量引起的不确定度，进一步包括：s1211a，计算位移传感器重复性测量晶圆表面引起的不确定度和所述位移传感器重复性测量晶圆改制槽深度引起的不确定度、分辨力引起的不确定度、垂直度误差引起的不确定度、温度漂移引起的不确定度、零点漂移引起的不确定度、灵敏度漂移引起的不确定度、电磁兼容引起的不确定度、回程误差引起的不确定度中的至少一种。
39.具体地，通过位移传感器分别对激光器到晶圆表面和各个改制槽最深处位置进行重复性测量，测量次数均为n，均值分别为和，标准差分别为和，则其重复性测量引起的不确定度和分别为，
，分辨力是指在仪器的测量范围内，能产生可观测的输出量变化的最小输入量变化值。该传感器最小分度值为，满量程为fs，该不确定度均为矩形分布，因此，由分辨力误差引起的不确定度为，在通过传感器测量晶圆表面以及改制槽的过程中，需要保证位移传感器测头与晶圆表面处于严格垂直状态，即需要满足阿贝原则，然而，由于人眼分辨力的限制和机械振动的影响，测量时传感器测头与晶圆表面不总是处于完全垂直的状态，因此，设测量过程中产生的角度偏差为，服从均匀分布，则由于垂直度误差引起的不确定度为：，位移传感器满量程为fs，环境温度为t℃，温漂系数为α（单位是fs/℃），则由温度漂移引起的不确定度为：，由位移传感器零点漂移引起的不确定度为：，其中，为温度的相对变化量，为零点输出在温度变化时的最大变化率。
40.由位移传感器灵敏度漂移引起的不确定度为：，其中，为温度的相对变化量，为灵敏度对温度的变化率。
41.由位移传感器的电磁兼容引起的不确定度为:，其中，为emc改变后的示值变化，为当前示值。该不确定度可通过emc电磁检测标准en61000-6-3和emc电磁扰检测标准为en61000-6-2获取。
42.回程误差，是指在进程和回程的过程中，针对同一位置，出现不一样坐标值的情形，因此，由位移传感器的回程误差引起的不确定度为：，其中，为去程和回程之间当前同一位置的坐标差值，为该位置的坐标
值。
43.s1212a，利用、、、、、、、和中的至少一种计算。在此以采用全部分量为例，可以采用如下计算方式：，在本实施例中将、、、、、、、和视为相互独立的分量，所以上述计算式中未引入相关系数。对于视为相关联的不确定度分量，可以在上述计算式中加入相关系数。
44.需要说明的是，此计算方式只是为了说明如何综合位移传感器的多种不确定度分量计算出一个总的分量，并不意味着实际应用时必须引入上述全部分量。本领域技术人员可根据实际情况选用对测量结果有影响的分量，对于不同的位移传感器，可能存在不同的误差，要根据实际情况选择和计算。
45.关于静态不确定度分量中的激光器输出引起的不确定度，进一步包括：s1211b，计算激光器聚焦深度引起的不确定度和聚焦像差引起的不确定度中的至少一种。
46.具体地，激光器的聚焦深度（即焦深）和激光波长、聚焦镜焦距和激光光束入射到聚焦透镜表面上的光斑半径d有关，上述参量的偏差直接影响着聚焦深度的精确程度，其关系式如下：，对上述公式进行全微分，由于波长、焦距和光斑半径均为相互独立的分量，其相关性可视为0，则激光器聚焦深度引起的不确定度为：，其中为激光波长引起的不确定度、为聚焦镜焦距引起的不确定度、为光斑半径引起的不确定度。
47.在激光表面改制过程中，像差的存在会使得聚焦光场的强度分布和目标光场强度分布产生偏差，从而影响加工时光场的三维分布，降低加工精度。由于像差引起的改制槽深度偏差为，服从均匀分布，则由于聚焦像差引起的不确定度为：，s1212b，利用和中的至少一种计算。在此以采用全部分量为例，可以采用如下计算方式：
，在本实施例中将和视为相互独立的分量，所以上述计算式中未引入相关系数。对于视为相关联的不确定度分量，可以在上述计算式中加入相关系数。
48.需要说明的是，此计算方式只是为了说明如何综合激光器的多种不确定度分量计算出一个总的分量，并不意味着实际应用时必须引入上述全部分量。本领域技术人员可根据实际情况选用对测量结果有影响的分量，对于不同的激光器，可能存在不同的误差，但由此可能存在其它误差问题，所以要根据实际情况选择和计算。
49.关于静态不确定度分量中的晶圆、位移台与导轨的形位误差引起的不确定度，进一步包括：s1211c，计算晶圆表面均匀性引起的不确定度、基台表面平面度引起的不确定度、温度引起的位移台和导轨的不确定度、导轨直线度误差引起的不确定度中的至少一种。
50.具体地，晶圆和位移台的形位误差包括晶圆的总厚度偏差、导轨的直线度误差以及位移台和导轨受温度膨胀变形产生的误差。
51.由于加工工艺的限制，晶圆表面很难达到绝对地平整和光滑，当待磨削的晶圆表面不均匀时，就会导致激光聚焦位置出现偏差，进而导致激光改制的深度偏差，一般通过ttv表征晶圆表面的平整度情况：ttv(total thickness variation)，表征晶圆表面的总厚度偏差，指的是晶圆在夹紧紧贴情况下，距离参考平面厚度的最大值和最小值的差值。
52.晶圆表面总厚度偏差为，服从均匀分布，则晶圆表面均匀性引起的不确定度为：，平面度误差属于形位误差，基台表面平面度引起的不确定度可通过最小包容区域法、对角线平面法、最小二乘法等方法计算。 平面度误差计算参照gb/t 11337-2004，位移台表面平面度引起的不确定度计算为：，当温度发生变化时，位移台和导轨会受温度影响发生线性膨胀，进而产生三维方向上的形变，这就导致改制槽的深度出现偏差，由于本发明所测量的对象为改制槽深度，其主要和z方向的线性膨胀息息相关。位移台和正交导轨在z方向的线性膨胀系数分别为β和γ，标准温度为t，高度分别为h和h，当前温度与标准温度偏差为，服从均匀分布，则由温度引起的位移台和导轨的不确定度为：，导轨直线度误差可通过水平仪和自准直仪获取，通过获取导轨上各个点相对0点
位置的高度偏差，并通过最小二乘拟合、端点连线等方法即可获得正交导轨中水平和垂直方向的导轨直线度误差分别为和，该误差服从均匀分布，因此导轨直线度误差引起的不确定度为：。
53.s1212c，利用、、和中的至少一种计算。在此以采用全部分量为例，可以采用如下计算方式：，在本实施例中将、和视为相互独立的分量，所以上述计算式中未引入相关系数。对于视为相关联的不确定度分量，可以在上述计算式中加入相关系数。
54.需要说明的是，此计算方式只是为了说明如何综合激光器的多种不确定度分量计算出一个总的分量，并不意味着实际应用时必须引入上述全部分量。本领域技术人员可根据实际情况选用对测量结果有影响的分量，对于不同的位移台导轨，可能存在不同的误差，但由此可能存在其它误差问题，所以要根据实际情况选择和计算。
55.进一步地，利用、、中的至少一种计算。在此以采用全部分量为例，可以采用如下计算方式：，关于动态不确定度分量中的振动引起的不确定度，进一步包括：s1221a，计算振动引起的不确定度。
56.具体地，位移台、导轨和待测晶圆的振动主要和加速度、振幅位移和频率三个参量有关，而影响其测量不确定度主要为振幅，振幅可通过加速度传感器和动态信号分析仪获取，该不确定度评述为b类不确定度，一般振动的波形可分解为基波、二次谐波和高次谐波，基波的最大合成振幅为，该误差分布服从反正弦分布，则基于振动引起的不确定度为：，s1221b，计算横向导轨的滑块形变量引起的位移不确定度。
57.具体地，该晶圆激光改制装置所用导轨为滚动导轨，导轨行程为400mm，最大速度为1m/s，加速度为1.25m/s2。在水平方向运动的过程中，当高速移动的位移台与导轨的边缘接触时，由于惯性力和重力的作用，导轨和位移台均会产生弯曲变形，从而影响激光改制过程中的精度和深度的均匀性。
58.在此，可将位移台视为悬臂梁，将导轨视为悬臂梁的约束，惯性力集中在悬臂梁中点位置。根据材料力学中关于挠曲变形的计算可知，当位移台受到惯性力f=ma作用时，位移台产生的z方向的挠度和转角分别为：
，，其中，e为位移台的杨氏模量，为位移台的转动惯量，h为位移台高度，该参数可通过相关手册获取。
59.该误差服从均匀分布，因此该不确定度为，位移台与导轨之间通过滑块相连，由于惯性力和位移台重力的影响，每个导轨上的两个滑块受力不均，分别受到向上和向下的作用力，这就导致滑块受到轴向的压缩作用产生弹性形变。
60.根据材料力学原理可知，滑块的刚度为k，则滑块1和滑块2所受的应力为：，，其中f1方向竖直向下，f2方向竖直向上。b为滑块1和滑块2的间距，v为加速运动过程中的最大速度，t为加速运动过程中的时间。取b=0.4m，v=1m/s，t=0.8s, a=1.25m/s2, g=10 m/s2，代入上式：，，由此可知，滑块1和滑块2所受力产生的轴向形变分别为：，，由此带来的角度偏差为：，由于水平方向导轨的滑块形变量引起的位移不确定度为：，s1221c，计算导轨弯曲变形导致的测量不确定度。
61.具体地，由于滑块的受力不均，进一步会导致导轨受力不均，由于导轨和滑块直接接触，因此滑块与晶圆位移台之间的作用力全部集中在滑块上。将滑块设为两个质点，滑块对导轨的作用力分别为f3和f4，其中f3 = 0.25mg f1，f4 =0.25mg-f2。
62.导轨总长度为2b，在导轨往复运动的过程中，其所受的最大弯曲应力集中在导轨中心位置x处：
，则由于导轨弯曲变形导致的测量不确定度为：，进一步地，利用、和中的至少一种计算。在此以采用全部分量为例，可以采用如下计算方式：，在步骤s130中，要综合静态不确定度分量和动态不确定度分量计算出合成标准不确定度，可以采用如下方式：，其中，为合成标准不确定度，为静态不确定度。
63.在此基础上进一步地，计算扩展不确定度时，k取值为2。
64.因此，通过对上述不确定度分量进行评估和分析，可以获取影响不确定度的主要分量，进而对其主要分量进行控制，降低加工过程中的误差，提高加工精度、加工效率和表面一致性。
65.在量值传递和溯源体系中，其量值传递自上而下分别是：计量基准，计量标准和工作计量器具。其中计量基准又分为国际基准和国家基准。
66.为保障改制装置的合成标准不确定度评估过程中的不确定度分量能够逐一溯源，可建立如图4所示的量值溯源体系。
67.根据该体系，激光改制过程中改制深度一致性控制的各个环节，分别对应国家计量系统相应的计量标准：构成晶圆承载部分的基台系统的物理量可溯源至国家长度标准和角度标准；构成驱动基台运动的导轨系统的物理量可溯源至国家长度标准、角度标准和时间标准；构成晶圆加工部分的激光器系统的物理量可溯源至国家长度标准；构成晶圆加工深度的晶圆系统的物理量可溯源至国家长度标准；构成晶圆参数输出的传感器系统的物理量可溯源至国家长度标准和角度标准；贯穿于整个测量系统的环境温度的物理量可溯源至国家温度标准。
68.上述国家标准通过量传溯源至国家基准，根据国际计量系统对基本单位的物理常数重新定义，本激光改制过程中改制深度一致性控制系统下晶圆改制深度最终将溯源至基本物理常数。
69.本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
70.本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流
程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
71.这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
72.这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
73.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。