显示装置的制作方法

1.本发明的实施方式涉及一种显示装置。


背景技术：

2.最近，对信息显示的兴趣正在增加。因此，不断地进行了对显示装置的研究和开发。


技术实现要素：

3.技术问题
4.本发明的实施方式提供一种能够降低外部光的反射率并且还确保像素的发光效率的显示装置。
5.技术方案
6.根据本发明的实施方式的显示装置包括：第一像素，包括彼此间隔开的第一子发射区域和第二子发射区域，并且包括在第一子发射区域和第二子发射区域中的第一发光元件，第一发光元件配置成发射具有第一颜色的光；光阻挡图案，设置在第一像素上以覆盖第一子发射区域和第二子发射区域之间的区域，并且包括分别与第一子发射区域和第二子发射区域对应的多个开口；以及第一滤色器，包括设置在第一子发射区域和第二子发射区域上的多个第一滤色器图案。
7.在实施方式中，第一滤色器图案可以彼此分离，且光阻挡图案插置在它们之间。
8.在实施方式中，第一发光元件中的在第一子发射区域中的至少一个与第一发光元件中的在第二子发射区域中的至少一个可以串联连接。
9.在实施方式中，第一像素可以包括：第一电极和第二电极，设置在第一子发射区域中；第一发光元件中的至少一个，设置在第一子发射区域中并且连接在第一电极和第二电极之间；第三电极和第四电极，设置在第二子发射区域中；第一发光元件中的至少一个，在第二子发射区域中并且连接在第三电极和第四电极之间；以及至少一个接触电极，配置成将第一电极和第二电极中的任何一个与第三电极和第四电极中的任何一个连接。
10.在实施方式中，显示装置还可以包括堤，堤围绕第一像素的包括第一子发射区域和第二子发射区域的发射区域。
11.在实施方式中，堤的至少一部分也可以位于第一子发射区域和第二子发射区域之间，并且可以包括暴露第一子发射区域和第二子发射区域之间的区域的开口。
12.在实施方式中，堤可以包括与包括第一子发射区域和第二子发射区域以及在第一子发射区域和第二子发射区域之间的非发射区域的区域对应的开口。
13.在实施方式中，第一滤色器可以是与第一颜色对应的滤色器。
14.在实施方式中，显示装置还可以包括：第二像素，与第一像素相邻，并且包括彼此间隔开的第一子发射区域和第二子发射区域并且包括设置在第一子发射区域和第二子发射区域中并且配置成发射相同颜色的光的第二发光元件；以及第三像素，与第二像素相邻，
并且包括彼此间隔开的第一子发射区域和第二子发射区域，并且包括设置在第一子发射区域和第二子发射区域中并且配置成发射相同颜色的光的第三发光元件。
15.在实施方式中，显示装置还可以包括：第二滤色器，包括与第二颜色对应的第二滤色器图案，第二滤色器图案在第二像素的第一子发射区域和第二子发射区域上，并且彼此间隔开且光阻挡图案插置在它们之间；以及第三滤色器，包括与第三颜色对应的第三滤色器图案，第三滤色器图案在第三像素的第一子发射区域和第二子发射区域上，并且彼此间隔开且光阻挡图案插置在它们之间。
16.在实施方式中，光阻挡图案可以设置在第一像素至第三像素上，并且与第一像素至第三像素的第一子发射区域和第二子发射区域之间的非发射区域重叠。光阻挡图案可以包括与第一像素的第一子发射区域和第二子发射区域对应的多个第一开口、与第二像素的第一子发射区域和第二子发射区域对应的多个第二开口、以及与第三像素的第一子发射区域和第二子发射区域对应的多个第三开口。
17.在实施方式中，第一开口中的每个的尺寸可以小于第二开口和第三开口中的每个的尺寸。
18.在实施方式中，第二发光元件可以是第二颜色发光元件，以及第三发光元件可以是第三颜色发光元件。
19.在实施方式中，第二发光元件和第三发光元件可以是第一颜色发光元件。显示装置还可以包括：第一颜色转换层，设置在第二像素上，以将从第二发光元件发射的具有第一颜色的光转换成具有第二颜色的光；以及第二颜色转换层，设置在第三像素上，以将从第三发光元件发射的第一颜色的光转换成具有第三颜色的光。
20.在实施方式中，第一颜色转换层可以设置在第二发光元件和第二滤色器之间，以及第二颜色转换层可以在第三发光元件和第三滤色器之间。
21.在实施方式中，第一颜色转换层和第二颜色转换层可以在衬底的其上定位有第一滤色器至第三滤色器的一个表面上。
22.在实施方式中，第一颜色转换层和第二颜色转换层可以在基础层的其上定位有第一发光元件至第三发光元件的一个表面上，以及第一滤色器至第三滤色器可以设置在衬底的一个表面上，以便面对基础层的一个表面。
23.在实施方式中，第一颜色转换层和第二颜色转换层以及第一滤色器至第三滤色器可以顺序地形成在基础层的其上定位有第一发光元件至第三发光元件的一个表面上。显示装置还可以包括封装层，所述封装层配置成覆盖基础层的其上定位有第一滤色器至第三滤色器的一个表面。
24.在实施方式中，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件可以是蓝色发光元件，第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器分别可以是蓝色滤色器、绿色滤色器和红色滤色器，以及第一颜色转换层和第二颜色转换层分别可以包括绿色量子点和红色量子点。
25.在实施方式中，第一滤色器的至少一部分也可以位于第一像素、第二像素和第三像素中的每个的第一子发射区域和第二子发射区域之间，以便与光阻挡图案重叠。
26.有益效果
27.依照根据本发明的各种实施方式的显示装置，光阻挡图案根据每个像素的发射区域有效地开口，从而减小外部光的反射率，并且也确保像素的发光效率。因此，可以改善显
示装置的图像质量
附图说明
28.图1a是示出根据本发明的实施方式的发光元件的立体图。
29.图1b至图1d是示出图1a的发光元件的配置的不同实施方式的剖视图。
30.图2a是示出根据本发明的实施方式的发光元件的立体图。
31.图2b是示出图2a的发光元件的剖视图。
32.图3是示出根据本发明的实施方式的显示装置的平面图。
33.图4是示出根据本发明的实施方式的像素的电路图。
34.图5和图6是各自示出根据本发明的实施方式的显示装置的显示区域的平面图。
35.图7是示出根据本发明的实施方式的像素的平面图。
36.图8是图7的区域ar1的放大图。
37.图9a和图9b是各自示出根据本发明的实施方式的像素pxl的剖视图。
38.图10是示出根据本发明的实施方式的显示装置的光阻挡图案和滤色器的平面图。
39.图11至图15是各自示出根据本发明的实施方式的显示装置的剖视图。
40.图16a和图16b是示出根据本发明的实施方式的显示装置的光阻挡图案和滤色器的平面图。
具体实施方式
41.本发明可以在各种实施方式中被不同地修改，并且将对特定实施方式进行描述并且将其示出在附图中。在以下描述中，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
42.另一方面，本发明不限于所公开的以下实施方式，并且可以以各种形式修改和实施。此外，以下实施方式中的每个可以单独实施或可以与至少另一个实施方式组合实施。
43.在附图中，为了清楚地示出本发明，可以省略与本发明的特征不直接相关的一些部件。此外，附图中的一些部件可以以夸大的尺寸、比例等示出。在附图中，相同或类似的部件尽可能地由相同的附图标记和符号表示，即使其示出在不同的附图中，并且将省略对它们的冗余描述。
44.图1a是示出根据本发明的实施方式的发光元件ld的立体图。图1b至图1d是示出图1a的发光元件ld的配置的不同实施方式的剖视图。在图1a至图1d中示出了具有圆形柱形状的杆形的发光元件ld，但是根据本发明的发光元件ld的类型和/或形状不限于此。
45.参考图1a至图1d，发光元件ld包括第一半导体层11、第二半导体层13、以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。作为示例，发光元件ld可以包括在其长度l的方向上顺序地堆叠的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。
46.发光元件ld可以设置成在一个方向上延伸的杆状形状。当假设发光元件ld的延伸方向是长度l的方向时，发光元件ld可以在长度l的方向上具有第一端部ep1和第二端部ep2。
47.第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件ld的第一端部ep1处。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的第二端部
ep2处。例如，第二半导体层13可以设置在发光元件ld的第一端部ep1处，并且第一半导体层11可以设置在发光元件ld的第二端部ep2处。
48.根据实施方式，发光元件ld可以是通过蚀刻方法或诸如此类制造成杆状形状的杆形发光元件(也称为“杆形发光二极管”)。在本说明书中，术语“杆状形状”包括杆状形状和棒状形状中的全部，诸如圆形柱和多边形柱，其在长度l的方向上是长的(即，具有大于1的纵横比)。杆状形状的剖面的形状没有特别限制。例如，发光元件ld的长度l可以大于其直径d(或剖面的宽度)。
49.发光元件ld可以具有范围从纳米级到微米级的小尺寸。作为示例，发光元件ld可以具有范围从纳米级到微米级的直径d(或宽度)和/或长度l。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。例如，发光元件ld的尺寸可以根据各种装置(例如，使用包括发光元件ld在内的发光装置作为光源的显示装置)的设计条件而不同地改变。
50.第一半导体层11可以是第一导电类型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。作为示例，第一半导体层11可以包括这样的n型半导体层，其包含选自inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何一种半导体材料，并且掺杂有第一导电类型的掺杂剂，诸如硅(si)、锗(ge)、锡(sn)或诸如此类。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种材料制成。
51.有源层12可以设置在第一半导体层11上，并且可以形成为具有单量子阱或多量子阱结构。有源层12的位置可以根据发光元件ld的类型而不同地改变。有源层12可以发射具有400nm至900nm的波长的光，并且可以具有双异质结构。
52.可以在有源层12上和/或下方形成掺杂有导电掺杂剂的包覆层。作为示例，包覆层可以形成为algan层或inalgan层。根据实施方式，诸如algan或alingan的材料可以用于形成有源层12。此外，有源层12可以由各种材料制成。
53.第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11不同类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。作为示例，第二半导体层13可以包括这样的p型半导体层，其包含选自inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何一种半导体材料，并且掺杂有第二导电类型的掺杂剂，诸如镁(mg)。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种材料制成。
54.作为示例，第一半导体层11和第二半导体层13可以在发光元件ld的长度l的方向上具有不同的长度(或厚度)。作为示例，第一半导体层11可以具有在发光元件ld的长度l的方向上比第二半导体层13的长度(或厚度)相对更大的长度(或厚度)。因此，发光元件ld的有源层12可以定位成比第二端部ep2更靠近第一端部ep1。
55.当大于等于阈值电压的电压被施加到发光元件ld的两个端部时，电子和空穴在有源层12中彼此结合，并且因此发光元件ld发射光。通过使用这种原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作包括显示装置的像素在内的各种发光装置的光源。
56.在实施方式中，除了第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或围绕第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13(例如，围绕其外周边表面)的绝缘膜inf之外，发光元件ld还可以包括另外的部件。例如，发光元件ld可以另外包括设置在第一半导体层11、有源层12和/或第二半导体层13的一个端侧的至少一个荧光层、有源层、半导体层和/或电极层。
57.例如，如图1c中所示，发光元件ld还可以包括设置在第二半导体层13的一个端侧的电极层14。在这种情况下，电极层14可以定位在发光元件ld的第一端部ep1处。
58.此外，如图1d中所示，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11的一个端侧的另一电极层15。作为示例，电极层14和15可以分别设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处。
59.电极层14和15可以是欧姆接触电极，但不限于此。例如，电极层14和15可以是肖特基接触电极。
60.此外，电极层14和15可以包括金属或金属氧化物。例如，电极层14和15可以由选自铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)、其氧化物或合金、以及氧化铟锡(ito)的至少一种或其混合物制成。包括在电极层14和15中的材料可以相同或不同。
61.电极层14和15可以是基本上透明的或半透明的。因此，在发光元件ld中生成的光可以穿过电极层14和15，并且可以被发射到发光元件ld的外部。在另一个实施方式中，当发光元件ld中生成的光没有穿过电极层14和15并且通过除了发光元件ld的两个端部之外的区域被发射到发光元件ld的外部时，电极层14和15可以包括不透明的金属。
62.在实施方式中，发光元件ld还可以包括设置在其表面(例如，发光元件ld的外周边表面)上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上，以便至少围绕有源层12的外圆周表面，并且也可以围绕第一半导体层11和第二半导体层13的一个区域(例如，外周边表面)。
63.当发光元件ld包括电极层14和15时，绝缘膜inf可以至少部分地覆盖或者可以不覆盖电极层14和15的外圆周表面。即，绝缘膜inf可以选择性地形成在电极层14和15的表面上。
64.绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的在发光元件ld的长度l的方向上的两个端部ep1和ep2。例如，绝缘膜inf可以在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处暴露第一半导体层11和第二半导体层13以及电极层14和15中的至少一个。可选地，在另一个实施方式中，绝缘膜inf可以不设置在发光元件ld中。
65.当绝缘膜inf设置成覆盖发光元件ld的表面，例如有源层12的外圆周表面时，可以防止有源层12与至少一个电极或诸如此类(例如，第一像素电极或第二像素电极)短路。因此，可以确保发光元件ld的电稳定性。在描述本发明的每个实施方式时，术语“连接(或联接)”可以概述性地表示物理和/或电气的连接(或联接)。此外，术语“连接(或联接)”可以概述性地表示直接或间接的连接(或联接)和一体或非一体的连接(或联接)。
66.绝缘膜inf可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜inf可以包括至少一种绝缘材料，所述绝缘材料选自sio2或不确定为sio2的氧化硅(sio
x
)、si3n4或不确定为si3n4的氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、al2o3或不确定为al2o3的氧化铝(al
x
oy)、以及tio2或不确定为tio2的氧化钛(ti
x
oy)，但是本发明不限于此。即，绝缘膜inf的结构性材料不受特别限制，并且绝缘膜inf可以由各种绝缘材料制成。
67.当绝缘膜inf设置在发光元件ld的表面上时，可以减少或最小化发光元件ld的表面缺陷，从而改善发光元件ld的寿命和效率。此外，当在每个发光元件ld上形成绝缘膜inf时，即使在多个发光元件ld紧密设置时，也可以防止相邻发光元件ld之间的不期望的短路。
68.在本发明的实施方式中，发光元件ld可以通过表面处理工艺制造。例如，当将多个
发光元件ld混合在可流动溶液(或溶剂)中并提供给每个发射区域(例如，每个像素的发射区域)时，发光元件ld可以各自进行表面处理以便均匀地分散，而不会在溶液中不均匀地聚集。作为与其相关的非限制性实施方式，绝缘膜inf本身可以使用疏水材料形成为疏水膜，或者可以在绝缘膜inf上另外形成由疏水材料制成的疏水膜。
69.包括发光元件ld的发光装置可以用于需要光源的各种类型的装置(诸如，显示装置)中例如，多个发光元件ld可以设置在显示面板的每个像素中，并且发光元件ld可以用作每个像素的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于以上描述的示例。例如，发光元件ld可以用于需要光源的其它类型的装置(诸如，照明装置)中。
70.图2a是示出根据本发明的实施方式的发光元件ld的立体图。图2b是示出图2a的发光元件ld的剖视图。
71.根据实施方式，图2a和图2b示出了具有与图1a至图1d中所示的发光元件ld的结构不同的结构的发光元件ld'，例如具有核-壳结构的发光元件。即，在本发明中，发光元件ld/ld'的类型、结构和/或形状可以不同地改变。在图2a和图2b的实施方式中，与图1a至图1d的实施方式的部件类似或相同的部件(例如，相应部件)由相同的附图标记表示，并且将省略对其的详细描述。
72.参考图2a和图2b，发光元件ld'可以包括第一半导体层11'、第二半导体层13'、以及插置在第一半导体层11'和第二半导体层13'之间的有源层12'。根据实施方式，第一半导体层11'可以设置在发光元件ld'的中央区域中，并且有源层12'可以设置在第一半导体层11'的表面上，以便覆盖第一半导体层11'的至少一个区域。第二半导体层13'可以设置在有源层12'的表面上，以便围绕有源层12'的至少一个区域。
73.此外，发光元件ld'可以进一步选择性地包括围绕第二半导体层13'的至少一个区域(例如，外周边表面)的电极层14'和/或设置在发光元件ld'的最外表面上的绝缘膜inf'。例如，发光元件ld'还可以包括设置在第二半导体层13'的表面上以便围绕第二半导体层13'的至少一个区域的电极层14'以及设置在电极层14'的表面(例如，外周边表面)上以便围绕电极层14'的至少一个区域的绝缘膜inf'。
74.根据实施方式，绝缘膜inf'可以设置在发光元件ld'的表面上，以覆盖第一半导体层11'的外圆周表面和电极层14'的外圆周表面的一部分。在实施方式中，在首先形成绝缘膜inf'以覆盖包括在发光元件ld'中的电极层14'的整个外圆周表面之后，可以部分地去除绝缘膜inf'以暴露电极层14'的一个区域，以便使电极层14'电连接到电极(例如，第一像素电极)。绝缘膜inf'可以包括透明绝缘材料。
75.根据以上描述的实施方式的发光元件ld'可以是通过生长方法或诸如此类制造的、具有核-壳结构的发光元件(也称为“核-壳发光二极管”)。例如，发光元件ld'可以具有包括从其中央向外顺序地设置的第一半导体层11'、有源层12'、第二半导体层13'、电极层14'和绝缘膜inf'的核-壳结构。根据实施方式，发光元件ld'可以不包括电极层14'和绝缘膜inf'中的至少一个。
76.在实施方式中，发光元件ld'可以具有在任何一个方向上延伸的多边形锥体形状。作为示例，发光元件ld'的至少一个区段可以具有六边形锥体形状。然而，发光元件ld'的形状可以根据实施方式不同地改变。
77.当假设发光元件ld'的延伸方向是长度l'的方向时，发光元件ld'可以在长度l'的
方向上具有第一端部ep1'和第二端部ep2'。第一半导体层11'和第二半导体层13'中的一个(或围绕第一半导体层11'和第二半导体层13'中的一个的电极层)可以设置在发光元件ld'的第一端部ep1'处，并且第一半导体层11'和第二半导体层13'中的另一个(或围绕第一半导体层11'和第二半导体层13'中的另一个的电极层)可以设置在发光元件ld'的第二端部ep2'处。
78.在实施方式中，发光元件ld'可以是具有微尺寸并且具有第一端部ep1'以多边形锥体形状(例如，六边形锥体形状)突出的核-壳结构的发光二极管。作为示例，发光元件ld'可以具有六边形锥体和六边形柱体组合的形状，并且可以具有范围从纳米级到微米级的小尺寸，例如在纳米级到微米级的范围中的宽度w'和/或长度l'。发光元件ld'的尺寸、形状等可以根据各种装置(例如，使用发光元件ld'作为光源的显示装置)的设计条件而不同地改变。
79.在实施方式中，第一半导体层11'的两个端部可以具有在发光元件ld'的长度l'的方向上突出的形状。第一半导体层11'的两个端部的突出形状可以不同。作为示例，在第一半导体层11'的两个端部之中，设置在上侧的一个端部可以具有收敛到一个顶点的锥形状(例如，六边形锥体形状)，同时其宽度朝向其上部分逐渐减小。此外，在第一半导体层11'的两个端部中，设置在下侧的另一端部可以具有具备一宽度的多边形柱形状(例如，六边形柱形状)，但本发明不限于此。例如，在本发明的另一个实施方式中，第一半导体层11'可以具有具备其宽度朝向其下部分逐渐减小的多边形形状或台阶形状的剖面。第一半导体层11'的两个端部的形状可以根据实施方式不同地改变。
80.第一半导体层11'可以定位在发光元件ld'的核(即，中央(或中央区域))处。此外，发光元件ld'可以设置成与第一半导体层11'的形状对应的形状。作为示例，当第一半导体层11'在上侧的一个端部处具有六边形锥体形状时，发光元件ld'可以在上侧的一个端部(例如，第一端部ep1')处具有六边形锥体形状。
81.有源层12'可以设置和/或形成为围绕第一半导体层11'的外圆周表面。例如，有源层12'可以设置和/或形成为围绕除了第一半导体层11'的在发光元件ld'的长度l'的方向上的一个端部(例如，下侧的一个端部)之外的剩余区域的形式。
82.第二半导体层13'可以设置和/或形成为围绕有源层12'的外圆周表面，并且可以包括与第一半导体层11'不同类型的半导体层。作为示例，当第一半导体层11'包括n型半导体层时，第二半导体层13'可以包括p型半导体层。
83.在实施方式中，发光元件ld'还可以包括围绕第二半导体层13'的外圆周表面的电极层14'。电极层14'可以是电连接到第二半导体层13'的欧姆接触电极或肖特基接触电极，但不限于此。
84.如上所述，发光元件ld'可以形成为其两个端部具有突出的形状的核-壳结构，并且可以包括设置在其中央处的第一半导体层11'、围绕第一半导体层11'的有源层12'、以及围绕有源层12'的第二半导体层13'。此外，发光元件ld'可以选择性地包括围绕第二半导体层13'的电极层14'。电极层14'的一个端部可以设置在发光元件ld'的第一端部ep1'处，并且第一半导体层11'的一个端部可以设置在发光元件ld'的第二端部ep2'处。
85.发光元件ld/ld'可以用于需要光源的各种类型的装置(诸如，显示装置)中。例如，一个或多个发光元件ld/ld'可以设置在显示面板的每个像素区域中，并且用作光源。
86.在实施方式中，每个像素可以包括一个或多个杆形的发光元件ld、具有核-壳结构的一个或多个发光元件ld'、或者杆形的发光元件ld和具有核-壳结构的发光元件ld'的组合。在另一个实施方式中，每个像素可以包括具有与杆形的发光元件ld或具有核-壳结构的发光元件ld'不同的类型和/或形状的其它发光元件。
87.为了方便，在描述本发明的一些实施方式时，发光元件可以被称为“发光元件(ld)”。然而，在每个实施方式中描述的“发光元件ld”也可以是在图2a和图2b中描述的“发光元件ld'”。例如，下面描述的实施方式的发光元件ld是根据图1a至图1d的实施方式中的至少一个的发光元件ld，或者是根据图2a和图2b的实施方式的发光元件ld'。
88.图3是示出根据本发明的实施方式的显示装置的平面图。作为可使用图1a至图2b的实施方式中所描述的发光元件ld/ld'作为光源的电子装置的示例，图3中示出了显示装置(例如，包括在显示装置中的显示面板pnl)。作为示例，显示面板pnl的每个像素单元pxu和构成其的每个像素可以包括一个或多个发光元件ld/ld'。
89.为了方便，在图3中基于显示区域da简要地示出了显示面板pnl的结构。然而，根据实施方式，至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)、线和焊盘可以进一步设置在显示面板pnl中。
90.参考图3，根据本发明的实施方式的显示面板pnl可以包括基础层bsl和设置在基础层bsl上的像素。像素可以包括第一像素pxl1、第二像素pxl2和/或第三像素pxl3。在描述本发明的实施方式中，当任意地描述第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的至少一个像素时，至少一个像素被称为“像素pxl”，或者当笼统地描述其至少两个像素时，至少两个像素被称为“多个像素pxl”。
91.显示面板pnl和用于形成显示面板pnl的基础层bsl可以包括用于显示图像的显示区域da和除了显示区域da之外的非显示区域nda。像素pxl可以在基础层bsl上设置在显示区域da中。
92.显示区域da可以设置在显示面板pnl的中央区域中，并且非显示区域nda可以设置在显示面板pnl的边缘区域中以便围绕显示区域da。然而，显示区域da和非显示区域nda的位置不限于此，并且可以改变。显示区域da可以构成在其上显示图像的屏幕，并且非显示区域nda可以是除了显示区域da之外的区域。
93.基础层bsl可以构成显示面板pnl的基础构件，并且可以是刚性或柔性的衬底或膜。作为示例，基础层bsl可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性衬底、由塑料或金属制成的柔性衬底(或薄膜)、或至少一层绝缘膜。基础层bsl的材料和/或物理性质没有特别限制。
94.在实施方式中，基础层bsl可以是基本上透明的。这里，术语“基本上透明的”可以意指光可以以适当的透射率(例如，预定的透射率)或更大透射率透射。在另一个实施方式中，基础层bsl可以是半透明的或不透明的。此外，根据实施方式，基础层bsl可以包括反射材料。
95.基础层bsl的一个区域可以限定为显示区域da，并且因此，像素pxl被设置在其中。基础层bsl的剩余区域可以限定为非显示区域nda。作为示例，基础层bsl可以包括：显示区域da，其包括在其中形成像素pxl的多个像素区域；以及非显示区域nda，其设置在显示区域da外部。例如，非显示区域nda可以沿着显示区域da的边缘或周边围绕。连接到显示区域da的像素pxl的各种线、焊盘和/或嵌入式电路单元可以设置在非显示区域nda中。
96.像素pxl可以布置在显示区域da中。作为示例，像素pxl可以根据条纹或布置结构规则地布置在显示区域da中。然而，像素pxl的布置结构不限于此，并且像素pxl可以以各种结构和/或方式布置在显示区域da中。
97.根据实施方式，可以在显示区域da中设置发射具有不同颜色的光的两种或更多种类型的像素pxl。作为示例，可以在显示区域da中布置发射第一颜色光的第一像素pxl1、发射第二颜色光的第二像素pxl2以及发射第三颜色光的第三像素pxl3。彼此相邻设置的至少一个第一像素pxl1、至少一个第二像素pxl2和至少一个第三像素pxl3可以构成能够发射具有各种颜色的光的一个像素单元pxu。例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以是各自发射具有预定颜色的光的子像素。根据实施方式，第一像素pxl1可以是发射蓝光的蓝色像素，第二像素pxl2可以是发射绿光的绿色像素，并且第三像素pxl3可以是发射红光的红色像素，但是本发明不限于此。
98.在实施方式中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以分别包括第一颜色发光元件、第二颜色发光元件和第三颜色发光元件作为光源，以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。在另一个实施方式中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括发射相同颜色光的发光元件。此外，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括设置在发光元件上的具有不同颜色的颜色转换层和/或滤色器，从而分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。
99.然而，构成每个像素单元pxu的像素pxl的颜色、类型和/或数量没有特别限制。作为示例，由每个像素pxl发射的光的颜色可以不同地改变。
100.像素pxl可以包括由控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。在实施方式中，光源可以包括根据图1a至图1d的多个实施方式中的实施方式的一个或多个发光元件ld(例如，具有范围从纳米级至微米级的小尺寸的一个或多个微型杆形的发光元件ld)、和/或根据图2a和图2b的实施方式的一个或多个发光元件ld'(例如，具有范围从纳米级至微米级的小尺寸的一个或多个微型的核-壳结构的发光元件ld')。此外，可以使用各种类型的发光元件ld/ld'作为像素pxl的光源。
101.此外，每个像素pxl可以具有根据将在下面描述的各种实施方式中的至少一个的结构。例如，每个像素pxl可以具有图4至图9b中所示的多个实施方式中的任一实施方式的结构，或者可以具有多个实施方式中的至少两个结合的结构。
102.在实施方式中，每个像素pxl可以形成为有源像素。然而，可应用于本发明的显示装置的像素pxl的类型、结构和/或驱动方法没有特别限制。例如，每个像素pxl可以形成为具有各种结构和/或驱动方法的无源或有源发光显示装置的像素。
103.图4是示出根据本发明的实施方式的像素pxl的电路图。例如，图4示出了可应用于有源显示装置的像素pxl的实施方式。然而，本发明的实施方式适用的像素pxl和显示装置的类型不限于此。
104.根据实施方式，图4中所示的像素pxl可以是设置在图3的显示面板pnl中的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的任何一个。此外，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以具有基本上相同或类似的结构。
105.参考图4，像素pxl可以包括用于生成具有与数据信号对应的亮度的光的发光单元
emu。像素pxl还可以包括用于驱动发光单元emu的像素电路pxc。
106.发光单元emu可以包括连接在第一电源vdd和第二电源vss之间的一个或多个发光元件ld(例如，多个发光元件ld)。发光元件ld的第一端部(例如，p型端部)可以通过像素电路pxc、第一电力线pl1等电连接到第一电源vdd，和/或发光元件ld的第二端部(例如，n型端部)可以通过第二电力线pl2等电连接到第二电源vss。
107.根据实施方式，发光元件ld可以通过第一电源vdd和第二电源vss之间的各种连接结构彼此电连接。作为示例，发光元件ld可以仅并联或仅串联连接。因此，发光元件ld可以以串联-并联组合结构连接。
108.例如，如图4中所示，发光元件ld可以划分成四个串联级，并且串联和并联地连接。在这种情况下，每个串联级可以包括一对电极(例如，两个电极)和电连接在一对电极之间的一个或多个发光元件ld。这里，构成串联级的发光元件ld的数量可以相同或不同，并且发光元件ld的数量没有特别限制。
109.例如，第一串联级可以包括第一电极elt1、第二电极elt2、以及连接在第一电极elt1和第二电极elt2之间的一个或多个发光元件lds1，并且第二串联级可以包括第三电极elt3、第四电极elt4、以及连接在第三电极elt3和第四电极elt4之间的一个或多个发光元件lds2。类似地，第三串联级可以包括第五电极elt5、第六电极elt6、以及连接在第五电极elt5和第六电极elt6之间的一个或多个第三发光元件lds3，并且第四串联级可以包括第七电极elt7、第八电极elt8、以及连接在第七电极elt7和第八电极elt8之间的一个或多个发光元件lds4。
110.发光单元emu的第一个电极(例如，第一电极elt1)可以是发光单元emu的第一像素电极(或阳极)。发光单元emu的最后一个电极(例如，第八电极elt8)可以是发光单元emu的第二像素电极(或阴极)。
111.发光单元emu的剩余电极(例如，第二电极elt2至第七电极elt7)可以各自构成中间电极。例如，第二电极elt2和第三电极elt3可以一体地或非一体地彼此连接以形成第一中间电极iet1。类似地，第四电极elt4和第五电极elt5可以一体地或非一体地彼此连接以形成第二中间电极iet2，并且第六电极elt6和第七电极elt7可以一体地或非一体地彼此连接以形成第三中间电极iet3。在这种情况下，第二电极elt2和第三电极elt3可以成一体以被视作一个第一中间电极iet1，第四电极elt4和第五电极elt5可以成一体以被视作一个第二中间电极iet2，并且第六电极elt6和第七电极elt7可以成一体以被视作一个第三中间电极iet3。
112.图4示出了发光元件ld以四级串联-并联组合结构连接的实施方式，但是本发明不限于此。例如，在另一个实施方式中，至少两个发光元件ld可以以两级串联或串联-并联组合结构连接，或者四个或更多发光元件ld可以以具有四级或更多级的串联或串联-并联组合结构连接。
113.假设使用相同条件(例如，相同尺寸和/或数量)下的发光元件ld作为有效光源形成发光单元emu，则当发光元件ld以串联或串联-并联组合结构连接时，可以改善电力效率。例如，与发光元件ld仅并联连接的发光单元相比，在发光元件ld以串联或串联-并联连接的发光单元emu中，可以以相同的电流呈现出更高的亮度。此外，与发光元件ld并联连接的发光单元相比，在发光元件ld以串联或串联-并联连接的发光单元emu中，可以以更低的驱动
电流来呈现出(或实现)相同的亮度。
114.此外，在发光元件ld以串联或串联-并联组合结构连接的像素pxl中，即使当在一些串联级中出现短路缺陷时，也可以通过剩余串联级的发光元件ld呈现出特定程度的亮度，从而降低像素pxl的暗点缺陷的可能性。
115.图4示出了发光元件ld以串联-并联组合结构连接的实施方式，但是本发明不限于此。例如，在另一个实施方式中，构成每个像素pxl的发光单元emu的发光元件ld可以仅串联连接或仅并联连接。
116.发光元件ld中的每个可以包括通过第一像素电极(例如，第一电极elt1)、像素电路pxc、第一电力线pl1和/或诸如此类连接到第一电源vdd的第一端部(例如，p型端部)以及通过第二像素电极(例如，第八电极elt8)、第二电力线pl2等连接到第二电源vss的第二端部(例如，n型端部)。即，发光元件ld可以以正向方向连接在第一电源vdd和第二电源vss之间。如上所述，以正向方向连接在第一电源vdd和第二电源vss之间的发光元件ld中的每个可以构成每个有效光源。有效光源可以被群聚在一起以构成像素pxl的发光单元emu。
117.第一电源vdd和第二电源vss可以具有不同的电势，使得发光元件ld发射光。作为示例，第一电源vdd可以设定为高电势电源，并且第二电源vss可以设定为低电势电源。在这种情况下，第一电源vdd和第二电源vss可以具有电势差，使得发光元件ld在像素pxl的发射周期期间发射光。
118.当通过相应像素电路pxc提供驱动电流时，发光元件ld可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路pxc可以向发光单元emu提供与在相应帧中呈现的灰度值对应的驱动电流。因此，当发光元件ld发射具有与驱动电流对应的亮度的光时，发光单元emu可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
119.在实施方式中，除了各自构成有效光源的发光元件ld之外，发光单元emu还可以包括至少一个无效光源。作为示例，至少一个无效发光元件(其以相反方向布置或者其至少一个端部被使能)可以进一步连接到至少一个串联级。即使当在第一像素电极和第二像素电极之间施加驱动电压(例如，正向驱动电压)时，无效发光元件也可以保持状态，并且因此基本上保持非发射状态。
120.像素电路pxc可以连接在第一电源vdd和发光单元emu之间。像素电路pxc可以连接到相应像素pxl的扫描线sl和数据线dl。此外，像素电路pxc可以进一步选择性地连接到感测信号线ssl和感测线senl。
121.像素电路pxc可以包括第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3和存储电容器cst。
122.第一晶体管m1连接在第一电源vdd和发光单元emu的第一电极elt1之间。第一晶体管m1的栅电极连接到第一节点n1。第一晶体管m1响应于第一节点n1的电压控制提供给发光单元emu的驱动电流。即，第一晶体管m1可以是控制像素pxl的驱动电流的驱动晶体管。
123.此外，第一晶体管m1可以进一步选择性地包括连接到第一电极elt1的背栅电极bge(或底部金属层bml)。背栅电极bge可以设置成与栅电极重叠，且绝缘层插置在它们之间。
124.第二晶体管m2连接在数据线dl和第一节点n1之间。第二晶体管m2的栅电极连接到扫描线sl。当从扫描线sl提供具有栅极导通电压(例如，高电平电压)的扫描信号时，第二晶
体管m2导通以电连接数据线dl和第一节点n1。
125.在每个帧周期期间，相应帧的数据信号被提供给数据线dl，并且数据信号通过在提供具有栅极导通电压的扫描信号的周期期间导通的第二晶体管m2被传输到第一节点n1。即，第二晶体管m2可以是用于将每个数据信号传输到像素pxl中的开关晶体管。
126.存储电容器cst的一个电极连接到第一节点n1，并且其另一电极连接到发光单元emu的第一电极elt1(或第一晶体管m1的第二电极)。在每个帧周期期间，以与提供给第一节点n1的数据信号对应的电压对存储电容器cst进行充电。
127.第三晶体管m3连接在发光单元emu的第一电极elt1和感测线senl之间。第三晶体管m3的栅电极连接到感测信号线ssl。第三晶体管m3可以根据在感测周期期间提供给感测信号线ssl的感测信号，将施加到发光单元emu的第一电极elt1的电压值(或施加到发光元件ld的阳极的电压值)传输到感测线senl。通过感测线senl传输的电压值可以被提供给外部电路(例如，时序控制器)，并且外部电路可以基于所提供的电压值提取每个像素pxl的特征信息(例如，第一晶体管m1的阈值电压等)。所提取的特征信息可以用于转换图像数据，以便补偿像素pxl之间的特征偏差。
128.虽然在图4中，包括在像素电路pxc中的晶体管(例如，所有的第一晶体管m1、第二晶体管m2和第三晶体管m3)被示出为n型晶体管，但是本发明不限于此。即，第一晶体管m1至第三晶体管m3中的至少一个可以改变为p型晶体管。在另一个实施方式中，像素电路pxc可以组合地包括p型和n型晶体管。例如，包括在像素电路pxc中的晶体管中的一些可以是p型晶体管，并且其它晶体管可以是n型晶体管。在这种情况下，用于驱动每个晶体管的控制信号(例如，扫描信号、数据信号和/或感测信号)的电压电平可以根据晶体管的类型来调整。
129.此外，像素pxl的结构和驱动方法可以根据实施方式不同地改变。例如，像素电路pxc可以设置为具有除了图4中所示的实施方式之外的各种结构和/或驱动方法的像素电路。
130.作为示例，像素电路pxc可以不包括第三晶体管m3。此外，像素电路pxc还可以包括其它电路元件，诸如用于补偿第一晶体管m1的阈值电压的晶体管、用于初始化发光单元emu的第一节点n1或第一电极elt1的电压的晶体管、用于控制向发光单元emu提供驱动电流的周期的晶体管、和/或用于升高第一节点n1的电压的升压电容器。
131.在另一个实施方式中，当在无源发光显示装置或诸如此类中设置像素pxl时，可以省略像素电路pxc。发光单元emu的第一像素电极和第二像素电极中的每个可以直接连接到扫描线sl、数据线dl、第一电力线pl1、第二电力线pl2或者其它信号线或电力线。
132.图5和图6是各自示出根据本发明的实施方式的显示装置的显示区域da的平面图。作为示例，图5基于第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3并且基于光阻挡图案lbp和滤色器cf示出了显示区域da的结构，其中，第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3在显示区域da中定位成彼此相邻，并且构成图3的像素单元pxu的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3设置在第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3中，光阻挡图案lbp和滤色器cf设置在第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3上。此外，图5基于显示层示出了第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的结构，在所述显示层上设置第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的每个的发光单元emu。图6针对堤bnk示出了图5的实施方式的修改实施方式。
133.参考图3至图6，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以各自包括分别在第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3中彼此间隔开的多个子发射区域。例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以各自包括第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2。
134.在下文中，当任意地描述第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2中的至少一个子发射区域时，至少一个子发射区域被称为“子发射区域sea”，或者当笼统地描述第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2时，第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2被称为“多个子发射区域sea”。此外，当任意地描述第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3的至少一个像素区域时，至少一个像素区域被称为“像素区域pxa”，或者当笼统地描述第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3时，第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3被称为“多个像素区域pxa”。
135.第一像素pxl1可以包括在第一像素区域pxa1中在第一方向dr1上彼此间隔开的第一子发射区域sea1[1]和第二子发射区域sea2[1]，并且包括被划分并设置在第一子发射区域sea1[1]和第二子发射区域sea2[1]中的第一发光元件ld1。第一发光元件ld1可以是发射相同颜色的光的发光元件。例如，第一发光元件ld1可以是各自发射第一颜色光(例如，蓝光)的第一颜色发光元件。
[0136]
第二像素pxl2可以设置成与第一像素pxl1相邻。第二像素pxl2可以包括在第二像素区域pxa2中在第一方向dr1上彼此间隔开的第一子发射区域sea1[2]和第二子发射区域sea2[2]，并且包括被划分并设置在第一子发射区域sea1[2]和第二子发射区域sea2[2]中的第二发光元件ld2。第二发光元件ld2可以是发射相同颜色的光的发光元件。
[0137]
在实施方式中，第二发光元件ld2可以是发射与第一发光元件ld1相同颜色的光的发光元件。例如，第二发光元件ld2可以是第一颜色发光元件，其各自像第一发光元件ld1那样发射第一颜色光(例如，蓝光)。
[0138]
在另一个实施方式中，第二发光元件ld2可以是发射具有与第一发光元件ld1的光的颜色不同的颜色的光的发光元件。例如，第二发光元件ld2可以是发射与第一颜色光不同的第二颜色光(例如，绿光)的第二颜色发光元件。
[0139]
第三像素pxl3可以设置成与第一像素pxl1和/或第二像素pxl2相邻。第三像素pxl3可以包括在第三像素区域pxa3中在第一方向dr1上彼此间隔开的第一子发射区域sea1[3]和第二子发射区域sea2[3]，并且包括被划分并设置在第一子发射区域sea1[3]和第二子发射区域sea2[3]中的第三发光元件ld3。第三发光元件ld3可以是发射相同颜色光的发光元件。
[0140]
在实施方式中，第三发光元件ld3可以是发射与第一发光元件ld1和/或第二发光元件ld2相同颜色的光的发光元件。例如，第三发光元件ld3可以是各自像第一发光元件ld1那样发射第一颜色光(例如，蓝光)的第一颜色发光元件。
[0141]
在实施方式中，第三发光元件ld3可以是发射具有与第一发光元件ld1和/或第二发光元件ld2的光的颜色不同的颜色的光的发光元件。例如，第三发光元件ld3可以是发射与第一颜色光和第二颜色光不同的第三颜色光(例如，红光)的第三颜色发光元件。
[0142]
每个像素pxl的子发射区域sea中的每个可以包括一个或多个发光元件和连接到
其的电极(例如，第一电极elt1至第八电极elt8中的至少两个像素电极和/或第一接触电极cne1至第五接触电极cne5中的至少一个接触电极)。例如，第一像素pxl1的第一子发射区域sea1[1]和第二子发射区域sea2[1]可以各自包括一个或多个第一发光元件ld1和连接到其的电极。类似地，第二像素pxl2的第一子发射区域sea1[2]和第二子发射区域sea2[2]可以各自包括一个或多个第二发光元件ld2和连接到其的电极，并且第三像素pxl3的第一子发射区域sea1[3]和第二子发射区域sea2[3]可以各自包括一个或多个第三发光元件ld3和连接到其的电极。
[0143]
在下文中，当任意地描述第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的至少一个发光元件时，至少一个发光元件被称为“发光元件ld”，或者当笼统地描述其至少两个发光元件时，至少两个发光元件被称为“多个发光元件ld”。此外，当任意地描述包括第一电极elt1至第八电极elt8在内的像素电极中的至少一个像素电极时，至少一个像素电极被称为“像素电极elt”或“多个像素电极elt”，并且当任意地描述包括第一接触电极cne1至第五接触电极cne5在内的接触电极中的至少一个接触电极时，至少一个接触电极被称为“接触电极cne”或“多个接触电极cne”。
[0144]
在实施方式中，当每个像素pxl包括如图4中所示的实施方式中那样划分并设置在多个串联级处的多个发光元件ld时，第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2中的每个可以包括设置在至少一个串联级中的发光元件ld以及连接到其的电极。例如，每个像素pxl的第一子发射区域sea1可以包括设置在相应像素pxl的第一串联级处的多个发光元件ld以及连接到其的多个电极，并且每个像素pxl的第二子发射区域sea2可以包括设置在相应像素pxl的第二串联级处的多个发光元件ld以及连接到其的多个电极。
[0145]
在这种情况下，设置在每个像素pxl的第一子发射区域sea1中的至少一个发光元件ld和设置在相应像素pxl的第二子发射区域sea2中的至少一个发光元件ld可以串联连接。作为示例，设置在第一像素pxl1的第一子发射区域sea1[1]中的至少一个第一发光元件ld1和设置在第一像素pxl1的第二子发射区域sea2[1]中的至少一个第一发光元件ld1可以使用至少一个接触电极cne串联连接。
[0146]
此外，当假设每个像素pxl包括比每个像素pxl的子发射区域sea的数量更多数量的串联级时，至少一个子发射区域sea可以包括设置在两个或更多串联级处的发光元件ld以及连接到其的电极。例如，每个像素pxl的第一子发射区域sea1可以包括设置在发光单元emu的第一串联级和第四串联级处的发光元件ld和电极，并且每个像素pxl的第二子发射区域sea2可以包括设置在发光单元emu的第二串联级和第三串联级处的发光元件ld和电极。
[0147]
下面将参考图7至图9b更详细地描述每个像素pxl的结构。
[0148]
各自包括发光元件ld的子发射区域sea可以构成相应像素pxl的发射区域ea。除了子发射区域sea之外的剩余像素区域(和/或像素pxl之间的区域)可以构成每个像素pxl的非发射区域nea(和/或相邻的像素pxl之间的非发射区域nea)。堤bnk可以设置在非发射区域nea中。
[0149]
堤bnk可以设置在非发射区域nea中，以围绕包括每个像素pxl的包括第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2在内的发射区域ea。堤bnk可以是限定每个像素pxl的发射区域ea的结构，并且可以是例如像素限定膜。例如，堤bnk可以设置于在其中设置像素pxl的每个像素区域pxa的周边区域中，和/或可以设置在相邻的像素区域pxa之间的边界区域中
以围绕每个像素pxl的发射区域ea。
[0150]
堤bnk可以形成为限定在将发光元件ld提供给每个像素pxl的工艺中将向其提供发光元件ld的每个发射区域ea和/或子发射区域sea的坝结构。例如，每个发射区域ea和/或子发射区域sea可以由堤bnk划分，从而向发射区域ea和/或子发射区域sea提供期望类型和/或数量的发光元件墨水。
[0151]
此外，堤bnk可以包括至少一种光阻挡和/或反射材料，以防止相邻的发射区域ea之间和/或相邻的子发射区域sea之间的光泄漏。例如，堤bnk可以包括选自各种类型的黑色矩阵材料中的至少一种黑色矩阵材料(例如，当前已知的至少一种光阻挡材料)和/或特定颜色的滤色器材料。作为示例，堤bnk可以形成为能够阻挡光的透射的黑色不透明图案。在实施方式中，可以在堤bnk的表面(例如，侧壁)上形成反射膜，以便提高每个像素pxl的发光效率。
[0152]
在实施方式中，除了暴露每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2的第一开口opnb1之外，堤bnk还可以包括暴露非发射区域nea的一部分的开口。例如，堤bnk还可以包括与每个像素区域pxa的上方区域和/或下方区域对应的第二开口opnb2。
[0153]
此外，如图5中所示，堤bnk也可以设置在每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea中，并且还可以包括部分地暴露每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的区域的第三开口opnb3。
[0154]
如上所述，当堤bnk也设置在每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea中时，可以增加每个发射区域ea和发光元件ld的提供区域之间的匹配率，从而改善材料效率。例如，在通过喷墨方法或诸如此类向每个像素pxl提供发光元件ld的操作中，可以防止将发光元件ld提供给不必要的区域(例如，第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea)，并且可以将发光元件ld有效地提供给每个子发射区域sea。因此，可以防止发光元件ld不必要地浪费，并降低显示装置的制造成本。
[0155]
在实施方式中，像素电极elt中的至少一些可以在其中形成堤bnk的第二开口opnb2和第三开口opnb3的区域中断开。例如，为了在整个显示区域da中将发光元件ld对准在每个子发射区域sea中，像素电极elt可以被划分成多个组，并且每个组的像素电极elt可以形成为一体的对准线以施加对准信号(例如，预定的对准信号)。在完成发光元件ld的对准之后，至少一条对准线在像素pxl之间断开，从而以能够被单独驱动的形式将每个像素pxl隔离开。此外，构成对准线的像素电极elt中的至少一些可以在每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2(例如，其中形成堤bnk的第二开口opnb2和第三开口opnb3的区域)之间断开和分离，从而将像素电极elt分离成每个串联端子的像素电极elt。
[0156]
当设置在每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2中的发光元件ld将串联和/或并联连接时，可以形成接触电极cne以连接形成在子发射区域sea1和sea2中的每个中的像素电极elt(例如，预定的像素电极elt)。因此，每个像素pxl的发光元件ld可以以期望的形状串联、并联和/或串联/并联连接。
[0157]
因此，用于在发光元件ld对准之后将对准线分离成多个像素电极elt和/或用于通过至少一个接触电极cne连接像素电极elt的非发射区域nea可以设置在第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间。在对准发光元件ld的操作中接收不同对准信号的对准线
之间的距离(例如，在第二方向dr2上的距离)可以形成为在非发射区域nea中相对宽，从而防止发光元件ld被设置和/或对准在非发射区域nea中。
[0158]
堤bnk的形状和/或布置结构可以根据实施方式不同地改变。例如，如图6中所示，在每个像素pxl中，堤bnk可以包括第一开口opnb1，所述第一开口opnb1围绕包括第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2以及在第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea的整个区域。
[0159]
滤色器cf和包括与滤色器cf对应的开口的光阻挡图案lbp设置在像素pxl上。例如，光阻挡图案lbp可以设置在像素pxl上，以覆盖第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2的周边区域，所述周边区域包括每个像素pxl的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea。
[0160]
光阻挡图案lbp可以包括在第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2上单独开口的多个开口。例如，光阻挡图案lbp可以是包括与子发射区域sea对应的单独开口的黑色矩阵图案，并且被设置成覆盖非发射区域nea。
[0161]
具有与将从像素pxl发射的光的颜色对应的颜色的滤色器cf可以设置在每个像素pxl的第一子发射区域sea和第二子发射区域sea上。在实施方式中，可以在与光阻挡图案lbp的开口对应的第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2上设置具有一颜色的单独的滤色器图案。例如，多个滤色器图案可以设置在每个像素pxl的第一子发射区域sea和第二子发射区域sea上，所述多个滤色器图案彼此分离开且光阻挡图案lbp插置在它们之间。
[0162]
与滤色器cf和/或光阻挡图案lbp相关的另外的配置将在稍后参考图10至图16b进行描述。
[0163]
图7是示出根据本发明的实施方式的像素pxl的平面图。作为示例，图7示出了在其上设置像素pxl的发光元件ld的显示层。根据实施方式，图7中所示的像素pxl可以是图5中所示的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的任何一个，并且第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以具有基本上相同或类似的结构。此外，图7示出了每个像素pxl包括如图4至图6中所示的设置在四个串联级处的发光元件ld的实施方式。然而，根据实施方式，设置在每个像素pxl的发射区域ea和/或每个子发射区域sea中的串联级的数量可以不同地改变。
[0164]
图8是图7的区域ar1的放大图。区域ar1可以是其中设置有第一串联级的发光元件lds1的区域，并且可以具有与分别在其中设置有第二串联级、第三串联级和第四串联级的发光元件lds2、lds3和lds4的区域ar2、ar3和ar4基本上相同或类似的结构。然而，设置在串联级处的发光元件ld的数量可以相同或不同。
[0165]
参考图3至图8，像素pxl可以包括设置在第一子发射区域sea1中的第一电极elt1、第二电极elt2及连接在第一电极elt1和第二电极elt2之间一个或多个发光元件lds1、以及设置在第二子发射区域sea2中的第三电极elt3、第四电极elt4及连接在第三电极elt3和第四电极elt4之间的一个或多个发光元件lds2。作为示例，第一像素pxl1可以包括多个第一发光元件ld1，所述多个第一发光元件ld1中的一个或多个第一发光元件ld1设置在第一子发射区域sea1[1]和第二子发射区域sea2[1]中的每个中。类似地，第二像素pxl2可以包括多个第二发光元件ld2，所述多个第二发光元件ld2中的一个或多个第二发光元件ld2设置在第一子发射区域sea1[2]和第二子发射区域sea2[2]中的每个中，并且第三像素pxl3可以
包括多个第三发光元件ld3，所述多个第三发光元件ld3中的一个或多个第三发光元件ld3设置在第一子发射区域sea1[3]和第二子发射区域sea2[3]中的每个中。
[0166]
像素pxl还可以包括设置在第二子发射区域sea2(或第一子发射区域sea1)中的第五电极elt5、第六电极elt6及连接在第五电极elt5和第六电极elt6之间的一个或多个发光元件lds3、和/或设置在第一子发射区域sea1(或第二子发射区域sea2)中的第七电极elt7、第八电极elt8及连接在第七电极elt7和第八电极elt8之间的一个或多个发光元件lds4。
[0167]
在每个子发射区域sea中，第一电极elt1至第八电极elt8可以各自设置成在第一方向dr1上延伸并且在第二方向dr2上彼此间隔开，但是本发明不限于此。此外，在每个像素区域pxa中，第一电极elt1至第八电极elt8可以具有均匀的宽度或非均匀的宽度，并且可以包括或可以不包括弯曲部分。即，第一电极elt1至第八电极elt8中的每个的形状和/或相互布置结构可以根据实施方式不同地改变。
[0168]
第一电极elt1至第八电极elt8可以构成每个像素pxl的像素电极elt。第一电极elt1至第八电极elt8中的一些可以首先形成为一条对准线，并且然后可以被断开并且被分离成相邻的像素pxl之间和/或每个像素pxl的子发射区域sea之间的像素电极elt。
[0169]
构成每个串联级的一对像素电极elt可以在其中布置发光元件ld(或将布置发光元件ld)的区域(例如，区域ar1、区域ar2、区域ar3和区域ar4)中设置成彼此更靠近，并且可以设置成在剩余区域中彼此间隔相对长的距离。因此，发光元件ld可以布置在期望的区域中。
[0170]
像素电极elt中的一个(例如，第一电极elt1)可以通过第一接触部分cnt1连接到像素电路pxc和/或第一电力线pl1。像素电极elt中的另一个(例如，第八电极elt8)可以通过第二接触部分cnt2连接到第二电力线pl2。
[0171]
在实施方式中，可以在第一电极elt1至第八电极elt8中的每个的区域下方设置堤图案bnp。在这种情况下，第一电极elt1至第八电极elt8中的每个的一个区域可以由于堤图案bnp向上突出，从而可以在发光元件ld周围形成反射分隔壁。因此，可以改善像素pxl的发光效率。每个堤图案bnp可以被形成为与一个像素电极elt重叠，或者可以被形成为与多个像素电极elt重叠。
[0172]
根据实施方式，第一电极elt1至第八电极elt8可以直接接触并连接到每个串联级的发光元件ld，或者可以通过单独的接触电极cne或诸如此类连接到发光元件ld。例如，第一电极elt1至第八电极elt8可以通过接触电极cne连接到相邻的发光元件ld的第一端部ep1或第二端部ep2。
[0173]
此外，设置在第一子发射区域sea1中的任何一个电极(例如，第一电极elt1、第二电极elt2、第七电极elt7和第八电极elt8中的一个)可以通过至少一个接触电极cne连接到设置在第二子发射区域sea2中的任何一个电极(例如，第三电极elt3至第六电极elt6中的一个)。为此，每个像素pxl可以包括至少一个接触电极cne，其用于连接定位在第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2中的电极(例如，预定电极)。作为示例，像素pxl还可以包括第一接触电极cne1至第五接触电极cne5。
[0174]
第一接触电极cne1可以设置在第一串联级的发光元件lds1(例如，第一端部ep1)和第一电极elt1上，以将第一串联级的发光元件lds1的第一端部ep1连接到第一电极elt1。
[0175]
第二接触电极cne2可以设置在第一串联级的发光元件lds1(例如，第二端部ep2)
和第二电极elt2上，以将第一串联级的发光元件lds1的第二端部ep2连接到第二电极elt2。此外，第二接触电极cne2可以设置在第二串联级的发光元件lds2(例如，第一端部ep1)和第三电极elt3上，以将第二串联级的发光元件lds2的第一端部ep1连接到第三电极elt3。为此，第二接触电极cne2可以从第一子发射区域sea1穿过第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea延伸到第二子发射区域sea2。然而，在另一个实施方式中，第二接触电极cne2可以设置为设置在子发射区域sea中的多个单独的电极，并且所述单独的电极可以通过桥接图案或诸如此类彼此连接。
[0176]
第三接触电极cne3可以设置在第二串联级的发光元件lds2(例如，第二端部ep2)和第四电极elt4上，以将第二串联级的发光元件lds2的第二端部ep2连接到第四电极elt4。此外，第三接触电极cne3可以设置在第三串联级的发光元件lds3(例如，第一端部ep1)和第五电极elt5上，以将第三串联级的发光元件lds3的第一端部ep1连接到第五电极elt5。为此，第三接触电极cne3可以从区域ar2延伸到区域ar3。然而，在另一个实施方式中，第三接触电极cne3可以被设置为设置在区域ar2和区域ar3中的多个单独的电极，并且所述单独的电极可以通过桥接图案或诸如此类彼此连接。
[0177]
第四接触电极cne4可以设置在第三串联级的发光元件lds3(例如，第二端部ep2)和第六电极elt6上，以将第三串联级的发光元件lds3的第二端部ep2连接到第六电极elt6。此外，第四接触电极cne4可以设置在第四串联级的发光元件lds4(例如，第一端部ep1)和第七电极elt7上，以将第四串联级的发光元件lds4的第一端部ep1连接到第七电极elt7。为此，第四接触电极cne4可以从第二子发射区域sea2穿过第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间的非发射区域nea延伸到第一子发射区域sea1。然而，在另一个实施方式中，第四接触电极cne4可以设置为设置在子发射区域sea中的多个单独的电极，并且所述单独的电极可以通过桥接图案或诸如此类彼此连接。
[0178]
第五接触电极cne5可以设置在第四串联级的发光元件lds4(例如，第二端部ep2)和第八电极elt8上，以将第四串联级的发光元件lds4的第二端部ep2连接到第八电极elt8。
[0179]
在实施方式中，在每个接触电极cne和像素电极elt之间可以插置有至少一层绝缘膜，并且每个接触电极cne和与其对应的像素电极elt可以通过形成在绝缘膜中的接触孔ch彼此连接。然而，接触电极cne和像素电极elt之间的连接结构可以根据实施方式不同地改变。
[0180]
根据以上描述的实施方式，像素电极elt可以使用接触电极cne以期望的形状连接。作为示例，设置在第一子发射区域sea1的区域ar1中的发光元件lds1、设置在第二子发射区域sea2的区域ar2中的发光元件lds2、设置在第二子发射区域sea2的区域ar3中的发光元件lds3以及设置在第一子发射区域sea1的区域ar4中的发光元件lds4可以顺序地串联连接。
[0181]
此外，为了增加提供给每个发射区域ea的发光元件ld的利用率，当控制用于对准发光元件ld的对准信号或形成磁场以偏转和对准发光元件ld，使得更多数量(或比率)的发光元件ld在特定方向上对准时，像素电极elt可以根据多个发光元件ld的布置方向使用接触电极cne进行连接。因此，可以改善发光元件ld的利用率并改善像素pxl的发光效率。
[0182]
当每条对准线在第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间被分离成多个像素电极elt，并且像素电极elt使用接触电极cne以期望的形状连接时，可能需要用于分离
对准线并连接所分离的像素电极elt的区域。所述区域可以是发光元件ld在其中未对准的非发射区域nea，并且可以定位在第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2之间。因此，在每个像素区域pxa中，随着发射区域ea的比率(或面积)减小，非发射区域nea的比率(或面积)可以相应地增加。例如，当串联级的数量和/或与其对应的子发射区域sea的数量增加时，可以进一步增加非发射区域nea的比率(或面积)。
[0183]
如上所述，当每个像素pxl包括彼此间隔开且非发射区域nea插入其间的多个子发射区域sea时，以及当光阻挡图案lbp与能够包括每个像素pxl的子发射区域sea的区域对应地开口时，因为光阻挡图案lbp的开口面积可能不必要地增加，导致外部光的反射率增加。此外，为了防止这种情况，当光阻挡图案lbp的开口面积减小时，会限制在每个子发射区域sea上使光阻挡图案lbp以足够的面积进行开口，导致像素pxl的发光效率的降低。
[0184]
因此，在本发明中，如在图5和图6的实施方式中，光阻挡图案lbp根据每个子发射区域sea被有效地开口。因此，可以减小外部光在像素pxl上的反射，并且可以改善像素pxl的发光效率。这将在下面进行详细描述。
[0185]
图9a和图9b是各自示出根据本发明的实施方式的像素pxl的剖视图。作为示例，图9a和图9b示出了沿着图7的线i至i'截取的像素pxl的剖面的不同实施方式。与图9a的实施方式相比，图9b的实施方式还包括设置在第一接触电极cne1上的第三绝缘层ins3。
[0186]
作为可设置在电路层pcl上的电路元件的示例，图9a和图9b示出了任意的晶体管m(例如，通过第一接触部分cnt1和桥接图案brp连接到第一电极elt1的晶体管)。作为可设置在电路层pcl上的线的示例，图9a和图9b示出了通过第二接触部分cnt2连接到第八电极elt8的第二电力线pl2。
[0187]
参考图3至图9b，根据本发明的实施方式的像素pxl和包括其的显示装置可以包括在基础层bsl的一个表面上设置成彼此重叠的电路层pcl和显示层dpl。例如，显示区域da可以包括设置在基础层bsl的一个表面上的电路层pcl和设置在电路层pcl上的显示层dpl。然而，在基础层bsl上的电路层pcl和显示层dpl的相互位置可以根据实施方式而改变。
[0188]
构成相应像素pxl的像素电路pxc的电路元件(例如，晶体管m和存储电容器cst)和连接到其的各种线可以在每个像素区域pxa中设置在电路层pcl中。构成相应像素pxl的发光单元emu的像素电极elt、发光元件ld和/或接触电极cne可以在每个像素区域pxa中设置在显示层dpl中。
[0189]
除了电路元件和线之外，电路层pcl还可以包括多个绝缘层。例如，电路层pcl可以包括在基础层bsl的一个表面上顺序地堆叠的缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2和/或钝化层psv。
[0190]
此外，电路层pcl可以进一步选择性地包括第一导电层，该第一导电层包括设置在晶体管m中的至少一些下方的至少一个光阻挡层或诸如此类(或晶体管m的背栅电极bge)。
[0191]
缓冲层bfl可以设置在基础层bsl的包括第一导电层(例如，晶体管m的背栅电极bge)的一个表面上。缓冲层bfl可以防止杂质扩散到每个电路元件中。
[0192]
半导体层可以设置在缓冲层bfl上。半导体层可以包括每个晶体管m的半导体图案scp。半导体图案scp可以包括在基础层bsl的厚度方向上与栅电极ge重叠的沟道区域、以及设置在沟道区域的两侧的第一导电区域和第二导电区域(例如，源极区域和漏极区域)。
[0193]
半导体图案scp可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或诸如此类制成的半导体
图案。此外，半导体图案scp的沟道区域可以是未掺杂有杂质的半导体图案并且可以是本征半导体，并且半导体图案scp的第一导电区域和第二导电区域可以各自是掺杂有适当的杂质(例如，预定杂质)的半导体图案。
[0194]
在实施方式中，构成每个像素电路pxc的晶体管m的半导体图案scp可以由基本上相同或类似的材料制成。例如，晶体管m的半导体图案scp可以由选自多晶硅、非晶硅和氧化物半导体的相同材料制成。
[0195]
在另一个实施方式中，晶体管m中的一些和剩余的晶体管m可以包括由不同材料制成的半导体图案scp。例如，在晶体管m之中，一些晶体管的半导体图案scp可以由多晶硅或非晶硅制成，并且剩余的晶体管m的半导体图案scp可以由氧化物半导体制成。
[0196]
栅极绝缘层gi可以设置在半导体层上。第二导电层可以设置在栅极绝缘层gi上。
[0197]
第二导电层可以包括每个晶体管m的栅电极ge。第二导电层还可以包括存储电容器cst的一个电极和/或线(例如，预定线)。
[0198]
第一层间绝缘层ild1可以设置在第二导电层上。第三导电层可以设置在第一层间绝缘层ild1上。
[0199]
第三导电层可以包括每个晶体管m的第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2。这里，第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以是晶体管m的源电极se和漏电极de。第三导电层还可以包括存储电容器cst的一个电极和/或预定线。
[0200]
第二层间绝缘层ild2可以设置在第三导电层上。第四导电层可以设置在第二层间绝缘层ild2上。
[0201]
缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2中的每个可以形成为单层或多层，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2中的每个可以包括各种类型的有机/无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)。
[0202]
第四导电层可以包括用于将电路层pcl与显示层dpl和/或特定线(例如，第一电力线pl1和/或第二电力线pl2)连接的桥接图案brp。桥接图案brp可以通过形成在第一接触部分cnt1中的第一接触孔ch1连接到每个发光单元emu的第一像素电极(例如，第一电极elt1)。第二电力线pl2可以通过形成在第二接触部分cnt2中的第二接触孔ch2连接到每个发光单元emu的最后一个像素电极(例如，第八电极elt8)。
[0203]
构成第一导电层至第四导电层的导电图案、电极和/或线中的每个可以包括至少一种导电材料以具有导电性，并且其结构性材料没有特别限制。作为示例，构成第一导电层至第四导电层的导电图案、电极和/或线中的每个可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)的至少一种金属，但本发明不限于此。
[0204]
钝化层psv可以设置在第四导电层上。根据实施方式，钝化层psv可以至少包括有机绝缘层，并且可以基本上平坦化电路层pcl的表面。
[0205]
钝化层psv可以设置为单层或多层，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，钝化层psv可以包括至少一个有机绝缘膜，并且可以基本上平坦化电路层pcl的表面。在实施方式中，有机绝缘膜可以包括选自基于丙烯酸的树脂(基于聚丙烯酸酯的树脂)、基于环氧的树脂、酚醛树脂、基于聚酰胺的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于不
饱和聚酯的树脂、基于聚亚苯基醚的树脂、基于聚苯硫醚的树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种，但是本发明不限于此。
[0206]
显示层dpl可以设置在钝化层psv上。
[0207]
显示层dpl可以包括每个像素pxl的发光单元emu。例如，显示层dpl可以包括设置在每个像素pxl的子发射区域sea中的多个像素电极elt(例如，第一电极elt1至第八电极elt8)、在像素电极elt之间串联、并联或串联-并联连接的多个发光元件ld、以及连接像素电极elt和发光元件ld的多个接触电极cne。
[0208]
同时，在图9a和图9b中的每个中，示出了一个发光元件ld，但是如在图4至图8的实施方式中，每个像素pxl可以包括在第一像素电极和最后一个像素电极(例如，第一电极elt1和第八电极elt8)之间在正向方向上连接的多个发光元件ld。因此，在描述图9a和图9b的实施方式和将在下面描述的其它实施方式时，下面将假设像素pxl包括多个发光元件ld对每个实施方式进行描述。
[0209]
此外，显示层dpl可以包括用于使像素电极elt中的每个的一个区域在向上方向(例如，基础层bsl的厚度方向)上突出的分离的或一体的堤图案bnp、和/或用于围绕发射区域ea中的每个(或子发射区域sea中的每个)的堤bnk。此外，显示层dpl还可以包括至少一个导电层和/或至少一个绝缘层。
[0210]
例如，显示层dpl可以包括在电路层pcl上顺序地设置和/或形成的堤图案bnp、像素电极elt、第一绝缘层ins1、发光元件ld、第二绝缘层ins2、接触电极cne和第四绝缘层ins4。在实施方式中，如图9a中所示，彼此面对(或相对)且其间插置有发光元件ld的两个接触电极cne(例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2)可以设置成彼此共面。在另一个实施方式中，如图9b中所示，彼此面对(或相对)且其间插置有发光元件ld的两个接触电极cne(例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2)可以分离开并设置在不同的层上。在这种情况下，显示层dpl还可以包括插置在接触电极cne之间的第三绝缘层ins3。作为示例，第三绝缘层ins3可以覆盖第一接触电极cne1，并且第三绝缘层ins3的一个端部可以插置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2之间。
[0211]
堤bnk的位置可以根据实施方式不同地改变。在实施方式中，堤bnk可以形成在第一绝缘层ins1上，但是本公开不限于此。例如，在另一个实施方式中，堤bnk可以设置成与堤图案bnp共面。此外，堤bnk可以与堤图案bnp重叠，或者可以不与堤图案bnp重叠。
[0212]
堤图案bnp可以设置在基础层bsl的其上选择性地形成电路层pcl的一个表面上。堤图案bnp可以用于形成在发光元件ld周围的壁结构，并且可以形成为分离的或一体的图案。堤图案bnp可以在其高度方向(例如，基础层bsl的厚度方向)上从基础层bsl的一个表面突出。因此，像素电极elt的设置在每个堤图案bnp上的一个区域可以向上突出。
[0213]
堤图案bnp可以包括绝缘材料，其包括至少一种无机材料和/或有机材料。作为示例，堤图案bnp可以包括至少一层无机膜，其包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)的各种无机绝缘材料。可选地，堤图案bnp可以包括包含各种类型的有机绝缘材料的至少一层有机膜，或者可以设置为形成为组合地包括有机/无机材料的单层或多层的绝缘体。
[0214]
由于堤图案bnp和设置在其上的像素电极elt，可以在发光元件ld周围形成反射分隔壁。作为示例，当像素电极elt至少包括反射电极层时，从发光元件ld的两个端部发射的
光可以从反射电极层反射以在每个像素pxl的向上方向上发射。
[0215]
堤图案bnp可以具有各种形状。在实施方式中，如图9a和图9b中所示，堤图案bnp可以形成为具有相对于基础层bsl以适当范围(例如，预定范围)中的角度倾斜的倾斜表面。在另一个实施方式中，堤图案bnp可以具有曲形表面，或者具有具备台阶形状的侧壁。作为示例，堤图案bnp可以具有具备半圆形或半椭圆形形状的剖面。
[0216]
设置在堤图案bnp上的电极和/或绝缘层可以具有与堤图案bnp对应的形状。作为示例，每个像素电极elt可以包括具有与在发光元件ld周围的堤图案bnp的形状对应的形状的倾斜表面或曲形表面。然而，根据实施方式，像素pxl可以不包括堤图案bnp。
[0217]
每个像素pxl的像素电极elt可以设置在堤图案bnp上。例如，可以设置像素电极elt以便在每个子发射区域sea中彼此间隔开。
[0218]
根据实施方式，每个像素电极elt可以具有针对每个像素pxl分离开的图案或公共地连接到多个像素pxl的图案。例如，第一电极elt1至第八电极elt8中的每个可以具有独立的图案，其中其两端在相应像素区域pxa的周边区域中和/或在相邻的像素区域pxa之间断开。在另一个实施方式中，至少一个像素电极(例如，第一电极elt1)可以具有在相应像素区域pxa的周边区域中和/或在相邻的像素区域pxa之间断开的独立图案。至少另一像素电极(例如，第八电极elt8)可以具有在第一方向dr1或第二方向dr2上延伸的一端，并且在第一方向dr1或第二方向dr2上一体地连接到另一相邻的像素pxl的像素电极(例如，相邻的像素pxl的第八电极elt8)。
[0219]
每个像素电极elt可以包括至少一种导电材料，以具有导电性。作为示例，像素电极elt可以包括选自包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钼(mo)和铜(cu)的各种金属材料中的至少一种金属或包括所述至少一种金属的合金，或可以包括选自导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锌(zno)、铝掺杂的氧化锌(azo)、镓掺杂的氧化锌(gzo)、氧化锌锡(zto)、氧化镓锡(zto)或氟掺杂的氧化锡(fto))和导电聚合物(诸如，聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot))中的至少一种导电材料，但本发明不限于此。例如，像素电极elt可以包括其它导电材料，诸如碳纳米管或石墨烯。即，像素电极elt可以包括选自各种导电材料中的至少一种以具有导电性，并且不特别限制构成像素电极elt的材料。此外，像素电极elt可以包括相同的导电材料或不同的导电材料。
[0220]
每个像素电极elt可以形成为单层或多层。作为示例，像素电极elt可以包括反射电极层，所述反射电极层包括反射导电材料(例如，金属)。此外，像素电极elt可以进一步选择性地包括设置在反射电极层上和/或下方的至少一个透明电极层和覆盖反射电极层和/或透明电极层的上部分的至少一个导电封盖层中的至少之一。
[0221]
第一绝缘层ins1设置在基础层bsl的包括像素电极elt的一个表面上。在实施方式中，如图9a中所示，第一绝缘层ins1可以具有用于将像素电极elt连接到接触电极cne的接触孔ch。在另一个实施方式中，如图9b中所示，第一绝缘层ins1可以在堤图案bnp或诸如此类上更宽地开口，并且在第一绝缘层ins1的开口区域中，像素电极elt可以连接到接触电极cne。在又一个实施方式中，第一绝缘层ins1可以仅部分地设置在像素电极elt和发光元件ld之间的区域中。
[0222]
第一绝缘层ins1可以形成为单层或多层，并且可以包括至少一种无机绝缘材料
和/或有机绝缘材料。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括至少一层无机绝缘膜，其包括选自氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种无机绝缘材料。
[0223]
在实施方式中，可以形成第一绝缘层ins1以初步地且整体地覆盖第一电极elt1和第二电极elt2。在提供发光元件ld并使其在第一绝缘层ins1上对准之后，第一绝缘层ins1可以被部分地开口以暴露像素电极elt的一个区域。由于形成像素电极elt并且然后使其被第一绝缘层ins1或诸如此类覆盖，因此可以防止在随后的工艺中对像素电极elt的损坏。
[0224]
可以在其中形成第一绝缘层ins1等的每个发射区域ea(或每个子发射区域sea)中提供并对准发光元件ld。在实施方式中，在提供发光元件ld之前，可以在显示区域da中形成堤bnk，以围绕每个发射区域ea(或每个子发射区域sea)。此后，可以通过喷墨方法、狭缝涂布方法或其它各种方法将多个发光元件ld提供给每个像素pxl的发射区域ea，并且可以将对准信号(例如，预定的对准信号)(或对准电压)施加到像素电极elt中的每个(在被划分成像素电极elt之前的对准线)，从而将发光元件ld对准在像素电极elt之间。
[0225]
在实施方式中，发光元件ld中的至少一些可以在侧向方向、对角线方向或诸如此类上设置在一对像素电极elt之间，使得在其长度方向上的两个端部(即，第一端部ep1和第二端部ep2)与邻近其的一对像素电极elt重叠或不重叠。此外，发光元件ld的两个端部可以与每个像素电极elt直接接触，或者可以通过每个接触电极cne连接到每个像素电极elt。
[0226]
第二绝缘层ins2可以设置在发光元件ld的一个区段上。第二绝缘层ins2可以设置在发光元件ld中的每个的一个区段上，以便暴露发光元件ld中的每个的第一端部ep1和第二端部ep2。
[0227]
第二绝缘层ins2可以形成为单层或多层，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第二绝缘层ins2可以包括各种类型的有机/无机绝缘材料，诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)和光刻胶(pr)材料。
[0228]
根据实施方式，可以省略第二绝缘层ins2。在这种情况下，接触电极cne中的每个的一端可以直接定位在相邻的发光元件ld的上表面上。
[0229]
当在完成发光元件ld的对准之后在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2时，可以防止发光元件ld与其对准位置分离。
[0230]
发光元件ld的不被第二绝缘层ins2覆盖的两个端部(即，第一端部ep1和第二端部ep2)可以被接触电极cne覆盖，并且可以通过接触电极cne连接到像素电极elt。
[0231]
当接触电极cne如图9a的实施方式中那样形成为彼此共面时，接触电极cne可以在相同的工艺中同时形成或者可以顺序地形成，并且可以省略第三绝缘层ins3。在这种情况下，可以简化像素pxl以及包括像素pxl的显示装置的制造工艺。
[0232]
另一方面，当接触电极cne如图9b的实施方式中那样形成在基础层bsl的一个表面上的不同层上时，可以在接触电极cne之间形成第三绝缘层ins3。
[0233]
第三绝缘层ins3可以设置成覆盖一对接触电极cne(例如，第一接触电极cne1)中的一个。当在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2和/或第三绝缘层ins3时，可以确保发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2之间的电稳定性。例如，一对相邻的接触电极cne可以被第二绝缘层ins2和/或第三绝缘层ins3稳定地间隔开。因此，可以防止在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2之间发生短路缺陷。
[0234]
第三绝缘层ins3可以形成为单层或多层，并且可以包括至少一种无机绝缘材料
第一开口opn2-1和与第二像素pxl2的第二子发射区域sea2[2]对应的第二-第二开口opn2-2。第二-第一开口opn2-1和第二-第二开口opn2-2可以分别与第二-第一滤色器图案cfp2-1和第二-第二滤色器图案cfp2-2重叠。
[0244]
第三开口opn3可以包括与第三像素pxl3的第一子发射区域sea1[3]对应的第三-第一开口opn3-1和与第三像素pxl3的第二子发射区域sea2[3]对应的第三-第二开口opn3-2。第三-第一开口opn3-1和第三-第二开口opn3-2可以分别与第三-第一滤色器图案cfp3-1和第三-第二滤色器图案cfp3-2重叠。
[0245]
在实施方式中，光阻挡图案lbp的开口opn可以具有基本上相同或类似的尺寸(例如，面积)或可以具有不同的尺寸。例如，可以调整第一开口opn1、第二开口opn2和第三开口opn3的尺寸(或比率)，以便根据外部光的反射来改善可见度特性。
[0246]
作为示例，当假设第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3分别是蓝色像素、绿色像素和红色像素，并且蓝色滤色器图案、绿色滤色器图案和红色滤色器图案分别设置在第一开口opn1、第二开口opn2和第三开口opn3中时，第一开口opn1中的每个可以被形成为具有比第二开口opn2和第三开口opn3中的每个的尺寸小的尺寸，以调整第一开口opn1至第三开口opn3(和/或第一滤色器cf1至第三滤色器cf3)的面积比，从而减小或最小化由于外部光的反射而导致的可见性特性的降低。
[0247]
具有与每个像素pxl对应的颜色(例如，预定颜色)的滤色器cf可以设置在光阻挡图案lbp的每个开口opn中。例如，具有第一颜色的第一滤色器cf1可以在第一像素pxl1上设置在第一开口opn1中，具有第二颜色的第二滤色器cf2可以在第二像素pxl2上设置在第二开口opn2中，并且具有第三颜色的第三滤色器cf3可以在第三像素pxl3上设置在第三开口opn3中。
[0248]
例如，包括与第一像素pxl1的第一子发射区域sea1[1]和第二子发射区域sea2[1]对应的多个滤色器图案的第一滤色器cf1可以设置在第一像素pxl1上。光阻挡图案lbp可以设置在滤色器图案之间。
[0249]
作为示例，第一滤色器cf1可以包括设置在第一像素pxl1的第一子发射区域sea1[1]上的第一-第一滤色器图案cfp1-1和设置在第一像素pxl1的第二子发射区域sea2[1]上的第一-第二滤色器图案cfp1-2。第一-第一滤色器图案cfp1-1和第一-第二滤色器图案cfp1-2可以形成为彼此分离的图案。例如，第一-第一滤色器图案cfp1-1和第一-第二滤色器图案cfp1-2可以彼此分离开，且光阻挡图案lbp插置在它们之间。
[0250]
第一滤色器cf1可以是选择性地透射具有与第一像素pxl1对应的颜色的光的滤色器。例如，第一滤色器cf1可以是具有第一颜色的滤色器(例如，蓝色滤色器)。
[0251]
包括与第二像素pxl2的第一子发射区域sea1[2]和第二子发射区域sea2[2]对应的多个滤色器图案的第二滤色器cf2可以设置在第二像素pxl2上。光阻挡图案lbp可以设置在滤色器图案之间。
[0252]
第二滤色器cf2可以包括设置在第二像素pxl2的第一子发射区域sea1[2]上的第二-第一滤色器图案cfp2-1和设置在第二像素pxl2的第二子发射区域sea2[2]上的第二-第二滤色器图案cfp2-2。第二-第一滤色器图案cfp2-1和第二-第二滤色器图案cfp2-2可以形成为彼此分离的图案。例如，第二-第一滤色器图案cfp2-1和第二-第二滤色器图案cfp2-2可以彼此分离开，且光阻挡图案lbp插置在它们之间。
[0253]
第二滤色器cf2可以是选择性地透射具有与第二像素pxl2对应的颜色的光的滤色器。例如，第二滤色器cf2可以是具有第二颜色的滤色器(例如，绿色滤色器)。
[0254]
包括与第三像素pxl3的第一子发射区域sea1[3]和第二子发射区域sea2[3]对应的多个滤色器图案的第三滤色器cf3可以设置在第三像素pxl3上。光阻挡图案lbp可以设置在滤色器图案之间。
[0255]
作为示例，第三滤色器cf3包括设置在第三像素pxl3的第一子发射区域sea1[3]上的第三-第一滤色器图案cfp3-1和在第三像素pxl3的第二子发射区域sea2[3]上的第三-第二滤色器图案cfp3-2。第三-第一滤色器图案cfp3-1和第三-第二滤色器图案cfp3-2可以形成为彼此分离的图案。例如，第三-第一滤色器图案cfp3-1和第三-第二滤色器图案cfp3-2可以彼此分离开，且光阻挡图案lbp插置在它们之间。
[0256]
第三滤色器cf3可以是选择性地透射具有与第三像素pxl3对应的颜色的光的滤色器。例如，第三滤色器cf3可以是具有第三颜色的滤色器(例如，红色滤色器)。
[0257]
在实施方式中，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以包括具有分别与第一开口opn1、第二开口opn2和第三开口opn3的尺寸对应的尺寸的滤色器图案。例如，第一-第一滤色器图案cfp1-1和第一-第二滤色器图案cfp1-2中的每个的面积可以小于第二-第一滤色器图案cfp2-1和第二-第二滤色器图案cfp2-2、第三-第一滤色器图案cfp3-1和第三-第二滤色器图案cfp3-2中的每个的面积。然而，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3的相对尺寸和/或布置结构可以根据实施方式不同地改变。
[0258]
在图5至图10的以上描述的实施方式中，每个像素pxl包括彼此间隔开的多个子发射区域sea。光阻挡图案lbp被分离开并被开口以在每个像素pxl上覆盖子发射区域sea之间的区域。即，光阻挡图案lbp与每个子发射区域sea对应地以尽可能多的必要面积有效地开口，并且被设置成覆盖子发射区域sea之间的非发射区域nea。例如，在本发明中，光阻挡图案lbp的开口位置和/或面积可以根据每个子发射区域sea来优化。此外，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以设置在与相应的子发射区域sea对应的相应的开口opn中。
[0259]
因此，即使每个像素pxl的发射区域ea被划分成多个子发射区域sea，并且因此在像素区域pxa中非发射区域nea的数量增加，也可以通过增加开口opn(和/或滤色器cf的布置区域)与发射区域ea之间的匹配率来减小或最小化光阻挡图案lbp的开口面积。因此，可以在包括每个像素pxl的上部分的整个显示区域da中减小外部光的反射率，并且可以改善显示装置的图像质量。
[0260]
此外，由于减小或最小化光阻挡图案lbp的开口面积的损失，所以光阻挡图案lbp可以在每个子发射区域sea上充分地开口。因此，可以充分地保证和/或改善像素pxl的发光效率。
[0261]
尽管在图5至图10的实施方式中，已经描述了每个像素pxl包括两个子发射区域sea的实施方式，但是子发射区域sea的数量可以根据实施方式不同地改变。例如，在另一个实施方式中，每个像素pxl的发射区域ea可以设置有三个或更多子发射区域sea。即使在这种情况下，如在以上描述的实施方式中，光阻挡图案lbp可以形成为覆盖子发射区域sea之间的非发射区域nea并且也包括与子发射区域sea对应的单独的开口opn，并且可以在光阻挡图案lbp的每个开口opn中设置具有适当颜色(例如，预定颜色)的滤色器cf。因此，即使子
发射区域sea的数量增加，光阻挡图案lbp也与每个子发射区域sea对应地有效地开口，从而减小外部光的反射率并确保像素pxl的发光效率。
[0262]
图11至图15是各自示出根据本发明的实施方式的显示装置的剖视图。例如，图11示出了不包括颜色转换颗粒(例如，红色量子点qdr和绿色量子点qdg)的显示面板pnl的实施方式，并且图12至15示出了包括颜色转换颗粒的显示面板pnl的不同实施方式。即，根据本发明的显示装置可以选择性地包括设置在像素pxl上的颜色转换颗粒。
[0263]
图11至图15基于在其中设置包括彼此相邻的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的一个像素单元pxu的区域示出了显示面板pnl的剖面。由于已经通过以上描述的实施方式详细描述了每个像素pxl的结构，因此在图11和图15中，基于像素电极elt、发光元件ld和接触电极cne示意性地示出了每个像素pxl的结构，并且将省略对其的详细描述。作为示例，图11至图15示意性地示出了其中在第二方向dr2上设置图5中所示的像素单元pxu的显示面板pnl的剖面。在图11至图15的实施方式中，与以上描述的实施方式的部件类似或相同的部件由相同的附图标记表示，并且将省略对其的详细描述。
[0264]
图16a和图16b是示出根据本发明的实施方式的显示装置的光阻挡图案lbp和滤色器cf的平面图。作为示例，图16a示出了设置在图15的显示面板pnl上的光阻挡图案lbp以及第二滤色器cf2和第三滤色器cf3的实施方式，并且图16b示出了设置在图15的显示面板pnl上的光阻挡图案lbp以及第一滤色器cf1的实施方式。第一滤色器cf1包括与第二滤色器cf2和第三滤色器cf3对应的开口opnc。
[0265]
在图11至图16b的实施方式中，与以上描述的实施方式的部件类似或相同的部件由相同的附图标记表示，并且将省略对其的详细描述。
[0266]
首先，参考图3至图11，每个像素pxl的发光单元emu可以设置在基础层bsl和/或电路层pcl上的显示层dpl上。例如，相应像素pxl的发光单元emu可以设置在显示层dpl的每个发射区域ea(或构成发射区域ea的子发射区域sea)中。例如，在每个发射区域ea中，可以设置以上描述的堤图案bnp、像素电极elt、发光元件ld和接触电极cne，并且可以进一步设置一个或多个绝缘层(例如，第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2、第三绝缘层ins3和/或第四绝缘层ins4)。在第四绝缘层ins4上可以进一步选择性地设置外涂层或填充层。发光单元emu的结构可以根据实施方式不同地改变。
[0267]
围绕发射区域ea和/或子发射区域sea中的每个的堤bnk可以设置在相邻的发射区域ea之间和/或相邻的子发射区域sea之间。
[0268]
在实施方式中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括发射具有不同颜色的光的发光元件ld。例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以分别包括第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3。第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。作为示例，第一发光元件ld1可以是发射蓝光的蓝色发光元件ldb，第二发光元件ld2可以是发射绿光的绿色发光元件ldg，并且第三发光元件ld3可以是发射红光的红色发光元件ldr。
[0269]
根据实施方式，上衬底upl可以设置在像素pxl上。例如，封装显示区域da的上衬底upl(也称为“封装衬底”或“滤色器衬底”)可以设置在基础层bsl的在其上设置像素pxl的一个表面上。
[0270]
上衬底upl可以是刚性衬底或柔性衬底(或膜)。在实施方式中，当上衬底upl是刚
性衬底时，上衬底upl可以是玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和晶体玻璃衬底中的一种。在另一个实施方式中，当上衬底upl是柔性衬底时，上衬底upl可以是膜衬底和包括聚合物有机材料的塑料衬底中的一种。此外，上衬底upl可以包括玻璃纤维增强塑料(frp)。
[0271]
上衬底upl可以选择性地包括与像素pxl重叠的光控制层lcp。作为示例，包括滤色器层cfl的光控制层lcp可以设置在上衬底upl的面对像素pxl的一个表面上。
[0272]
滤色器层cfl可以包括与每个像素pxl的颜色对应的滤色器cf。例如，滤色器层cfl可以包括设置在第一像素pxl1上以选择性地透射在第一像素pxl1中生成的光的第一滤色器cf1、设置在第二像素pxl2上以选择性地透射在第二像素pxl2中生成的光的第二滤色器cf2、以及设置在第三像素pxl3上以选择性地透射在第三像素pxl3中生成的光的第三滤色器cf3。在实施方式中，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以分别是蓝色滤色器、绿色滤色器和红色滤色器，但不限于此。
[0273]
第一滤色器cf1可以设置在第一像素pxl1和上衬底upl之间，并且可以包括选择性地透射在第一像素pxl1中生成的第一颜色的光的滤色器材料。例如，在第一像素pxl1是蓝色像素的情况下，第一滤色器cf1可以包括红色滤色器材料。
[0274]
第二滤色器cf2可以设置在第二像素pxl2和上衬底upl之间，并且可以包括选择性地透射在第二像素pxl2中生成的第二颜色的光的滤色器材料。例如，在第二像素pxl2是绿色像素的情况下，第二滤色器cf2可以包括绿色滤色器材料。
[0275]
第三滤色器cf3可以设置在第三像素pxl3和上衬底upl之间，并且可以包括选择性地透射在第三像素pxl3中生成的第三颜色的光的滤色器材料。例如，在第三像素pxl3是红色像素的情况下，第三滤色器cf3可以包括红色滤色器材料。
[0276]
光阻挡图案lbp可以设置在滤色器cf之间。例如，光阻挡图案lbp可以设置在上衬底upl的一个表面上以面对堤bnk，并且可以与第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3中的每个的边缘重叠。光阻挡图案lbp可以在与每个发射区域ea和/或每个子发射区域sea对应的区域中开口。
[0277]
光阻挡图案lbp可以包括选自各种类型的黑色矩阵材料中的至少一种黑色矩阵材料(例如，当前已知的至少一种光阻挡材料)和/或特定颜色的滤色器材料。此外，光阻挡图案lbp可以由与堤bnk相同的材料制成，但是本发明不限于此。即，光阻挡图案lbp和堤bnk可以包括相同的材料或不同的材料。
[0278]
在实施方式中，为了使从发光元件ld发射的光在像素pxl的向上方向上流畅地发射，具有相对低折射率的滤色器(例如，预定的滤色器)可以填充显示面板pnl的下方板(包括基础层bsl和显示层dpl)与显示面板pnl的上方板(包括上衬底upl和光控制层lcp)之间的空间。在另一个实施方式中，显示面板pnl的下方板和上方板之间的空间可以用空气层填充。
[0279]
尽管图11示出了上衬底upl设置在其上设置有像素pxl的基础层bsl上的实施方式，但是本发明不限于此。例如，滤色器cf和光阻挡图案lbp可以形成在基础层bsl的在其上设置像素pxl的一个表面上，并且基础层bsl的一个表面可以使用薄膜封装层或诸如此类密封。
[0280]
参考图12，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括发射具有相同颜色的光的光的发光元件ld。例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以分别
包括第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3。第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以全部发射第一颜色的光。作为示例，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以是以约400nm至500nm的波长发射蓝光的蓝色发光元件ldb。
[0281]
在这种情况下，可以在第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3之中的至少一些像素pxl上设置包括至少一种类型的颜色转换颗粒的颜色转换层ccl。因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以显示全色图像。
[0282]
例如，包括滤色器层cfl和/或颜色转换层ccl的光控制层lcp设置在上衬底upl的一个表面上以面对像素pxl。颜色转换层ccl可以设置在滤色器层cfl和像素pxl之间，并且可以包括颜色转换颗粒。
[0283]
例如，光控制层lcp可以包括设置在第一像素pxl1上的第一光控制层lcp1、设置在第二像素pxl2上的第二光控制层lcp2、以及设置在第三像素pxl3上的第三光控制层lcp3。第一光控制层lcp1、第二光控制层lcp2和第三光控制层lcp3中的每个可以包括与适当的颜色(例如，预定的颜色)对应的颜色转换层ccl和/或滤色器cf。
[0284]
例如，第一光控制层lcp1可以包括光散射层lsl和第一滤色器cf1中的至少一个，其中光散射层lsl包括光散射颗粒sct，第一滤色器cf1选择性地透射第一颜色的光。第二光控制层lcp2可以包括第一颜色转换层ccl1和第二滤色器cf2中的至少一个，其中第一颜色转换层ccl1包括与第二颜色的光对应的第一颜色转换颗粒，第二滤色器cf2选择性地透射第二颜色的光。类似地，第三光控制层lcp3可以包括第二颜色转换层ccl2和第三滤色器cf3中的至少一个，其中第二颜色转换层ccl2包括与第三颜色的光对应的第二颜色转换颗粒，第三滤色器cf3选择性地透射第三颜色的光。
[0285]
在实施方式中，光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2可以形成在上衬底upl的在其上设置第一滤色器cf1至第三滤色器cf3和光阻挡图案lbp的一个表面上。此外，保护层prl可以设置在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2的表面上。
[0286]
根据实施方式，可以在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2之间另外设置能够阻挡光的图案。例如，黑色矩阵图案bm可以设置在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2之间。
[0287]
黑色矩阵图案bm可以包括选自各种类型的黑色矩阵材料中的至少一种黑色矩阵材料(例如，当前已知的至少一种光阻挡材料)和/或具有特定颜色的滤色器材料。此外，黑色矩阵图案bm可以由与堤bnk和/或光阻挡图案lbp相同的材料制成，但是本发明不限于此。即，黑色矩阵图案bm、堤bnk和/或光阻挡图案lbp可以包括相同的材料或不同的材料。
[0288]
在图12的实施方式中，显示面板pnl被示出为具有首先在上衬底upl的一个表面上形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2并且然后在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2之间形成黑色矩阵图案bm的结构，但是可以改变形成黑色矩阵图案bm的顺序。例如，可以首先在上衬底upl的在其上设置滤色器cf等的一个表面上形成黑色矩阵图案bm，并且可以在由黑色矩阵图案bm分隔开的区域中形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2。
[0289]
作为示例，可以首先形成黑色矩阵图案bm，并且然后，可以通过喷墨方法或诸如此类在由黑色矩阵图案bm分隔开的区域中形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和/或第二
颜色转换层ccl2。可选地，当根据工艺方法和/或印刷设施的性能不需要首先形成黑色矩阵图案bm时，可以首先形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2，并且然后可以形成黑色矩阵图案bm。即，形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和/或黑色矩阵图案bm的顺序和/或其根据所述顺序的位置或形状可以根据实施方式不同地改变。此外，显示面板pnl可以包括或可以不包括在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2之间的黑色矩阵图案bm。
[0290]
光散射层lsl可以设置在第一像素pxl1上。作为示例，光散射层lsl可以设置在第一发光元件ld1和第一滤色器cf1之间。同时，根据实施方式可以省略光散射层lsl。
[0291]
根据实施方式，当设置在第一像素pxl1中的第一发光元件ld1是配置成发射蓝光的蓝色发光元件ldb并且第一像素pxl1是蓝色像素时，可以选择性地提供光散射层lsl，以便有效地利用从蓝色发光元件ldb发射的光。光散射层lsl可以包括至少一种类型的光散射颗粒sct。在这种情况下，第一滤色器cf1可以是蓝色滤色器。
[0292]
例如，光散射层lsl可以包括分散在预定基质材料中的多个光散射颗粒sct。作为示例，光散射层lsl可以包括氧化钛(tixoy)(诸如，二氧化钛(tio2))、二氧化硅或诸如此类的光散射颗粒sct，但是本发明不限于此。光散射颗粒sct不一定仅设置在第一像素pxl1上。作为示例，第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2也可以选择性地包括光散射颗粒sct。
[0293]
此外，在本发明中，光散射层lsl不限于仅包括用于透射和散射光的透射层和/或散射层。例如，根据实施方式，光散射层lsl也可以包括至少一种类型的颜色转换颗粒。例如，光散射层lsl可以包括蓝色量子点。
[0294]
第一颜色转换层ccl1可以设置在第二像素pxl2上，以将从第二发光元件ld2发射的第一颜色的光转换成第二颜色的光。为此，第一颜色转换层ccl1可以设置在第二发光元件ld2和第二滤色器cf2之间，并且可以包括第一颜色转换颗粒。作为示例，当设置在第二像素pxl2中的第二发光元件ld2是发射蓝光的蓝色发光元件ldb并且第二像素pxl2是绿色像素时，第一颜色转换层ccl1可以包括将从蓝色发光元件ldb发射的蓝光转换成绿光的绿色量子点qdg。例如，第一颜色转换层ccl1可以包括分散在诸如透明树脂的基质材料(例如，预定基质材料)中的多个绿色量子点qdg。在这种情况下，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器。
[0295]
绿色量子点qdg可以吸收蓝光并根据能量转换变换波长，从而以约500nm至570nm的波长发射绿光。当第二像素pxl2是不同颜色的像素时，第一颜色转换层ccl1可以包括与第二像素pxl2的颜色对应的第一量子点。
[0296]
此外，第一颜色转换层ccl1可以选择性地包括至少一种类型的光散射颗粒。例如，第一颜色转换层ccl1还可以包括与包括在光散射层lsl中的光散射颗粒sct的类型和/或材料相同或不同的类型和/或材料的光散射颗粒。
[0297]
第二颜色转换层ccl2可以设置在第三像素pxl3上，以将从第三发光元件ld3发射的第一颜色的光转换成第三颜色的光。为此，第二颜色转换层ccl2可以设置在第三发光元件ld3和第三滤色器cf3之间，并且可以包括第二颜色转换颗粒。作为示例，当设置在第三像素pxl3中的第三发光元件ld3是发射蓝光的蓝色发光元件ldb并且第三像素pxl3是红色像素时，第二颜色转换层ccl2可以包括将从蓝色发光元件ldb发射的蓝光转换成红光的红色量子点qdr。在这种情况下，第三滤色器cf3可以是红色滤色器。
[0298]
例如，第二颜色转换层ccl2可以包括分散在诸如透明树脂的基质材料(例如，预定的基质材料)中的多个红色量子点qdr。红色量子点qdr可以吸收蓝光并根据能量转换变换波长，从而以约620nm至780nm的波长发射红光。当第三像素pxl3是不同颜色像素时，第二颜色转换层ccl2可以包括与第三像素pxl3的颜色对应的第二量子点。
[0299]
此外，第二颜色转换层ccl2可以选择性地包括至少一种类型的光散射颗粒。例如，第二颜色转换层ccl2还可以包括与包括在光散射层lsl中的光散射颗粒sct的类型和/或材料相同或不同的类型和/或材料的光散射颗粒。
[0300]
在本发明的实施方式中，可见光区段中的具有相对短波长的蓝光可以入射在绿色量子点qdg和红色量子点qdr中的每个上，从而增加绿色量子点qdg和红色量子点qdr的吸收系数。因此，最后，可以提高从第二像素pxl2和第三像素pxl3发射的光的效率，并且也可以确保优异的颜色再现性。此外，当使用相同颜色的发光元件ld(例如，蓝色发光元件ldb)形成第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的发光单元emu时，可以提高显示装置的制造效率。
[0301]
根据图12的实施方式，可以使用具有单个颜色的发光元件ld(例如，蓝色发光元件ldb)容易地制造像素pxl和包括其的显示装置。此外，颜色转换层ccl可以设置在像素pxl中的至少一些上，从而制造全色的像素单元pxu以及包括其的显示装置。
[0302]
参考图13，光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2可以直接形成在基础层bsl的在其上形成像素pxl的一个表面上。例如，光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2可以各自形成在基础层bsl的一个表面上，以便覆盖第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的在其中设置第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的发射区域ea。甚至在图13的实施方式中，至少一个保护层可以形成在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2的表面上。
[0303]
在实施方式中，堤bnk可以形成为较高，以便将在其中形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2的区域分隔开。在另一个实施方式中，堤bnk可以形成为具有足以将待向其提供第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的区域分隔开的高度，并且可以在堤bnk上形成另外的堤图案。例如，堤bnk可以包括第一堤bnk1和形成为与第一堤bnk1重叠的第二堤bnk2。即，堤bnk可以形成为单层或多层，并且其结构、位置和/或高度可以不同地改变。
[0304]
第一堤bnk1和第二堤bnk2中的每个可以包括选自各种类型的黑色矩阵材料中的至少一种黑色矩阵材料(例如，当前已知的至少一种光阻挡材料)和/或特定颜色的滤色器材料。例如，第一堤bnk1和第二堤bnk2中的每个可以形成为黑色不透明图案以阻挡光透射。此外，第一堤bnk1和第二堤bnk2可以包含相同的材料或不同的材料。
[0305]
第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以设置在上衬底upl上。例如，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以设置在上衬底upl的一个表面上，以便分别面对光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2。
[0306]
参考图14，光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2、第一滤色器cf1至第三滤色器cf3、以及光阻挡图案lbp可以全部形成在基础层bsl的一个表面上。例如，光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2可以形成在基础层bsl的在其上设置第一发光元件ld1至第三发光元件ld3的一个表面上，并且平坦化膜pll可以形成在光
散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2上。
[0307]
根据实施方式，平坦化膜pll可以形成为包括至少一层有机膜的单层或多层。例如，平坦化膜pll可以包括低折射有机层，并且因此，可以确保像素pxl的发光效率。
[0308]
第一滤色器cf1至第三滤色器cf3和光阻挡图案lbp可以形成在基础层bsl的在其上设置平坦化膜pll的一个表面上。此后，可以形成封装层enc以覆盖基础层bsl的在其上设置第一滤色器cf1至第三滤色器cf3和光阻挡图案lbp的一个表面，从而密封显示区域da。
[0309]
在实施方式中，封装层enc可以形成为包括至少一层有机膜和/或无机膜的单层或多层。例如，封装层enc可以形成为多层，其包括设置在基础层bsl的在其上设置第一滤色器cf1至第三滤色器cf3和光阻挡图案lbp的一个表面上的至少一层无机膜以及堆叠在无机膜上的至少一层有机膜。此外，封装层enc可以进一步选择性地包括设置在有机膜上的至少一层无机膜。然而，封装层enc的结构不限于此。例如，在另一个实施方式中，封装层enc可以仅形成为多层无机膜。即，封装层enc的结构性材料和/或结构可以根据实施方式不同地改变。
[0310]
至少在包括图14的实施方式在内的实施方式中，形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和黑色矩阵图案bm的顺序、其根据所述顺序的形状、和/或是否形成黑色矩阵图案bm可以根据实施方式不同地改变。例如，当假设通过喷墨方法形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2时，根据喷墨设施的性能，可以首先形成黑色矩阵图案bm，或者可以在不形成黑色矩阵图案bm的情况下形成光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2。作为示例，显示面板pnl可以包括或可以不包括在光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2之间的黑色矩阵图案bm(或堤bnk)。根据实施方式，堤bnk和黑色矩阵图案bm可以成一体。
[0311]
类似地，形成第一滤色器cf1至第三滤色器cf3和光阻挡图案lbp的顺序和/或其根据所述顺序的形状可以根据实施方式不同地改变。例如，形成第一滤色器cf1至第三滤色器cf3和光阻挡图案的顺序和/或其根据所述顺序的形状可以根据形成第一滤色器cf1至第三滤色器cf3的方法而改变。
[0312]
根据图13和图14的实施方式，光散射层lsl、第一颜色转换层ccl1和第二颜色转换层ccl2可以直接形成在基础层bsl的在其上设置第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的一个表面上，从而改善像素pxl的发光效率。
[0313]
如在图12至图14的实施方式中那样，在包括第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和光散射层lsl的实施方式中，第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和/或光散射层lsl可以在每个像素pxl上被划分成多个图案，以便以与滤色器cf中相同的方式对应于多个子发射区域sea。例如，黑色矩阵图案bm和/或第二堤bnk2可以包括在每个像素pxl上分离的多个开口，以便像光阻挡图案lbp那样与多个子发射区域sea对应。被分离成多个图案以便对应于子发射区域sea的具有适当颜色(例如，预定颜色)的颜色转换层ccl和光散射层lsl可以设置在黑色矩阵图案bm和/或第二堤bnk2的开口中。
[0314]
参考图15至图16b，第一滤色器cf1可以设置在第一像素pxl1上，并且也可以设置在第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的发射区域ea和子发射区域sea之间。例如，第一滤色器cf1也可以设置在第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的子发射区域sea之间的非发射区域nea中，以便与光阻挡图案lbp重叠。
[0315]
在这种情况下，第一滤色器cf1可以包括在其中设置有第二滤色器cf2和第三滤色
器cf3的区域(例如，与光阻挡图案lbp的第二开口opn2和第三开口opn3对应的区域)中开口的多个开口opnc。此外，第一滤色器cf1可以在非发射区域nea中与光阻挡图案lbp重叠。作为示例，在非发射区域nea中，第一滤色器cf1可以设置在上衬底upl和光阻挡图案lbp之间。
[0316]
在图15中，示出了图12的实施方式的修改实施方式，但是在图11、图13和图14的实施方式中，第一滤色器cf1也可以以相同或类似的方式设置在非发射区域nea中。
[0317]
根据图15至图16b的实施方式，可以允许第一滤色器cf1和光阻挡图案lbp在非发射区域nea中彼此重叠，从而增强光阻挡层。因此，可以更有效地阻挡外部光的反射。
[0318]
另外，甚至在图15至图16b的实施方式中，第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和/或光散射层lsl可以在每个像素pxl上被划分成多个图案，以便对应于多个发射区域ea。例如，黑色矩阵图案bm可以包括在每个像素pxl上分离的多个开口，以便像光阻挡图案lbp那样与多个子发射区域sea对应。被分离成多个图案以对应于子发射区域sea的具有一颜色(例如，预定颜色)的颜色转换层ccl和光散射层lsl可以设置在黑色矩阵图案bm的开口中。
[0319]
虽然已经参考图12至图16b描述了第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3包括发射相同颜色的光的发光元件ld并且在第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3上设置颜色转换层ccl的实施方式，但是本发明不限于此。例如，即使当第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3如图11的实施方式中那样包括具有不同颜色的发光元件ld时，也可以在第一像素pxl1、第二像素pxl2和/或第三像素pxl3上选择性地设置包括至少一种类型的颜色转换颗粒的颜色转换层ccl。作为示例，即使当第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3分别是蓝色发光元件ldb、绿色发光元件ldg和红色发光元件ldr时，光散射层lsl(和/或蓝色转换层)和第一滤色器cf1可以设置在第一像素pxl1上，第一颜色转换层ccl1和第二滤色器cf2可以设置在第二像素pxl2上，并且第二颜色转换层ccl2和第三滤色器cf3可以设置在第三像素pxl3上。此外，在描述本发明的实施方式时，假设从像素pxl生成的光的发射方向被设定成向上方向，来限定设置在每个像素pxl上的颜色转换层ccl和/或滤色器cf。即，像素pxl的术语“上”是基于沿其从像素pxl发射光的方向和/或路径，并且可以根据参考方向来不同地解释颜色转换层ccl和/或滤色器cf的位置。例如，颜色转换层ccl和/或滤色器cf可以设置在通过其从每个像素pxl的发光元件ld发射光的路径中，并且可以改变其位置。
[0320]
已经根据实施方式具体描述了本发明的技术精神，但是要注意的是，提供实施方式是为了对其进行描述，而不是为了对其进行限制。此外，本领域技术人员将理解，在没有背离本发明的范围和精神的情况下，可以做出各种修改。
[0321]
本发明的范围不限于在说明书的详细描述中所描述的细节，而是应由权利要求来限定。此外，应理解的是，从权利要求及其等同的含义和范围想到的所有修改和实施方式包括在本发明的范围中。