非易失性存储装置、降低其可靠性劣化的方法和测试其的方法与流程

技术特征：
1.一种降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法，所述非易失性存储装置包括与多条字线连接的多个存储单元，所述方法包括：提供所述非易失性存储装置，在所述非易失性存储装置中具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中；在对所述非易失性存储装置执行第一工艺之前，执行第一写入操作，使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中，所述第一工艺是导致所述多个存储单元的可靠性劣化的工艺，所述第一阈值电压分布不同于所述初始阈值电压分布，所述第一字线在所述多条字线当中具有小于参考值的可靠性劣化程度；以及在对所述非易失性存储装置执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作，使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中，所述第二阈值电压分布不同于所述第一阈值电压分布，所述第二字线在所述多条字线当中具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一阈值电压分布包括多个状态，所述初始阈值电压分布仅包括所述多个状态当中的第一状态，并且所述第二阈值电压分布仅包括所述多个状态当中的第二状态。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一状态和所述第二状态彼此不同。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一状态和所述第二状态彼此相同。5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一写入操作包括：擦除存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述初始数据；以及将具有所述第一阈值电压分布的所述第一数据存储到与所述多条字线连接的所述多个存储单元中。6.根据权利要求5所述的方法，其中，执行所述第二写入操作包括：擦除存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述第一数据；以及将具有所述第二阈值电压分布的所述第二数据存储到与所述多条字线连接的所述多个存储单元中。7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行所述第二写入操作还包括：接收测试命令；并且其中，所述第一数据的所述擦除和所述第二数据的所述存储是基于所述测试命令同时执行的。8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一写入操作和所述第二写入操作被顺序地执行。9.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：在对所述非易失性存储装置执行所述第一工艺之后，擦除存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述第二数据，以及将具有所述第一阈值电压分布的所述第一数据存储到与所述多条字线连接的所述多个存储单元中。10.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一写入操作包括：
擦除存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述初始数据；以及将具有所述第一阈值电压分布的所述第一数据存储到所述多个存储单元当中的与所述第一字线连接的第一存储单元中。11.根据权利要求10所述的方法，其中，执行所述第二写入操作包括：将具有所述第二阈值电压分布的所述第二数据存储到所述多个存储单元当中的与所述第二字线连接的第二存储单元中。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一写入操作和所述第二写入操作是同时执行的。13.根据权利要求11所述的方法，其中，执行所述第一写入操作还包括：接收第一测试命令；并且其中，所述初始数据的所述擦除和所述第一数据的所述存储是基于所述第一测试命令执行的。14.根据权利要求13所述的方法，其中，执行所述第二写入操作还包括：接收不同于所述第一测试命令的第二测试命令；并且其中，所述第二数据的所述存储是基于所述第二测试命令执行的。15.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第二字线被设置得比所述第一字线靠近所述非易失性存储装置的存储单元阵列的边缘，并且所述存储单元阵列包括与所述多条字线连接的所述多个存储单元。16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一工艺包括焊料回流工艺，在所述焊料回流工艺中热应力被施加于所述非易失性存储装置。17.一种非易失性存储装置，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括与多条字线连接的多个存储单元；以及控制电路，所述控制电路被配置为控制所述存储单元阵列的操作，其中，所述控制电路被配置为：提供所述非易失性存储装置，在所述非易失性存储装置中具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中；在对所述非易失性存储装置执行第一工艺之前，执行第一写入操作，使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中，所述第一工艺是导致所述多个存储单元的可靠性劣化的工艺，所述第一阈值电压分布不同于所述初始阈值电压分布，所述第一字线在所述多条字线当中具有小于参考值的可靠性劣化程度；以及在对所述非易失性存储装置执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作，使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中，所述第二阈值电压分布不同于所述第一阈值电压分布，所述第二字线在所述多条字线当中具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。18.根据权利要求17所述的非易失性存储装置，其中，所述存储单元阵列是所述多条字线和所述多个存储单元在垂直于所述非易失性存储装置中的衬底的垂直方向上设置的三维存储单元阵列，并且所述第二字线包括所述多条字线当中的最靠近所述衬底的最下面的字线。
19.根据权利要求17所述的非易失性存储装置，其中，所述非易失性存储装置具有芯片到芯片结构，所述芯片到芯片结构是通过如下操作形成的：制造包括所述存储单元阵列的第一芯片，制造包括所述控制电路的第二芯片，以及将所述第一芯片和所述第二芯片彼此接合。20.一种测试非易失性存储装置的方法，所述非易失性存储装置包括与多条字线连接的多个存储单元，所述方法包括：提供初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储装置，所述初始数据具有仅包括第一状态的初始阈值电压分布；在对所述非易失性存储装置执行焊料回流工艺之前，执行第一写入操作，使得第一数据存储到与所述多条字线当中的第一字线连接的存储单元中，所述焊料回流工艺是向所述非易失性存储装置施加热应力的制造工艺，所述第一数据具有与所述初始阈值电压分布不同并且包括多个状态的第一阈值电压分布，所述第一字线在所述多条字线当中具有小于参考值的可靠性劣化程度；对所述非易失性存储装置执行第一测试操作；在对所述非易失性存储装置执行所述焊料回流工艺之前，执行第二写入操作，使得第二数据存储到与所述多条字线当中的第二字线连接的存储单元中，所述第二数据具有与所述第一阈值电压分布不同并且仅包括第二状态的第二阈值电压分布，所述第二字线在所述多条字线当中具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度；对所述非易失性存储装置执行所述焊料回流工艺；以及对所述非易失性存储装置执行第二测试操作，其中，所述第一状态和所述第二状态均被包括在所述多个状态中，其中，所述第二数据比所述第一数据对可靠性劣化更鲁棒，并且其中，所述第一测试操作是在所述第二写入操作之前或在所述第二写入操作之后执行的。

技术总结
提供了降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法、非易失性存储装置以及测试非易失性存储装置的方法。在降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法中，提供具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储装置。在执行导致可靠性劣化的第一工艺之前，执行第一写入操作使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中。所述第一字线具有小于参考值的可靠性劣化程度。在执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中。所述第二字线具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。或等于所述参考值的可靠性劣化程度。或等于所述参考值的可靠性劣化程度。


技术研发人员：金珉奭 朴准镛 金斗铉 朴一汉
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2023/3/10