一种MiniLED的控制电路及封装结构的制作方法

一种mini led的控制电路及封装结构
技术领域
1.本实用新型实施例涉及led显示技术领域，尤其涉及一种mini led的控制电路及封装结构。


背景技术：

2.图1是现有技术中的一种mini led的控制电路的原理图，参考图1，mini led的控制电路包括公共电极302，驱动电极301以及led芯片40，公共电极302和驱动电极301可以与led芯片40以共阴极或共阳极的形式连接。整个显示区域上的公共电极302并联，使用驱动芯片输出的同一信号源，通过驱动电极实现led芯片40的分区控制，实现mini led的功能。
3.现有技术中整个显示区域的公共电极使用同一信号源，信号给入后不受控制，不利于对led芯片的发光区域进行控制；信号源给入后，其稳定性不受控制。


技术实现要素：

4.本实用新型提供一种mini led的控制电路及封装结构，解决公共电极使用同一信号源且信号给入后无法精细化调控的问题，从而实现线路精细化控制，使得线路更加稳定。
5.根据本实用新型的一方面，提供了一种mini led的控制电路，该控制电路包括：
6.n个led芯片，其中，n为正整数；
7.各所述led芯片的第一极耦接至驱动电极，各所述led芯片的第二极耦接至公共电极；
8.与所述公共电极串联的至少一个控制装置，所述控制装置用于控制所述公共电极的信号给入，从而控制所述n个led芯片发光。
9.可选地，所述n个led芯片并联且分区设置，所述分区包括单列分区，至少两个所述单列分区中的公共电极设置一控制装置。
10.可选地，每一所述单列分区中的公共电极设置一控制装置。
11.可选地，每一所述单列分区中的每一所述led芯片的第二极均单独设置一控制装置。
12.可选地，所述控制装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极串联在所述公共电极中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与驱动芯片连接。
13.可选地，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极串联在所述公共电极中，所述薄膜晶体管的栅极与驱动芯片连接。
14.可选地，所述控制装置包括整流二极管，所述整流二极管的正极与驱动芯片连接，所述整流二极管的负极与所述公共电极连接。
15.可选地，所述控制装置包括稳压二极管，所述稳压二极管的正极与驱动芯片连接，所述稳压二极管的负极与所述公共电极连接。
16.可选地，所述控制装置包括三极管，所述三极管的发射极和集电极串联在所述公
共电极中，所述三极管的基极与驱动芯片连接。
17.根据本实用新型的另一方面，提供了一种mini led的封装结构，该封装结构包括：
18.基板；
19.驱动电路层，位于所述基板上，所述驱动电路层包括上述第一方面任一项所述的控制电路；
20.保护层，所述保护层包覆所述驱动电路层；
21.n个led芯片，所述保护层上开设有凹槽，所述n个led芯片设置于所述凹槽，其中，n为正整数；
22.柔性电路板和驱动芯片，所述柔性电路板位于所述驱动电路层的一端，所述驱动芯片通过所述柔性电路板与所述驱动电路层电连接。
23.现有技术中整个显示区域的公共电极使用同一驱动信号源，由于未设置控制装置，信号给入后会受电阻，压降以及不同分区距离驱动芯片的距离不同等影响，不利于对发光区域的led芯片进行控制；驱动信号给入后，电路中电压或者电流的稳定性无法调节且不受控制。本实施例的技术方案，通过在公共电极中串联至少一个控制装置控制公共电极的信号给入，从而控制led芯片发光，led芯片由驱动电极与公共电极控制，公共电极信号稳定给入的同时，通过在公共电极上增加控制装置，信号给入后通过控制装置进行控制，有利于对led芯片的发光区域进行控制，控制装置可以根据需要调节电路中的电流的大小使得电路中电压或者电流的稳定性可控，例如，驱动芯片的远端和近端由于电阻造成压降的变化，控制装置就可以调节远近端的电流给入，从而实现线路的精细化控制，达到线路更加稳定的效果。本实施例的技术方案解决了现有技术存在公共电极信号源给入后无法精细化调控的问题，实现公共电极信号持续给入的同时电路可被控制，增加线路的稳定性，增加电路中电压或者电流的稳定性。
24.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
25.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1是现有技术中的一种mini led的控制电路的原理图；
27.图2是根据本实用新型实施例提供的一种mini led的控制电路的原理图；
28.图3是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
29.图4是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
30.图5是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
31.图6是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
32.图7是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
33.图8是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
34.图9是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图；
35.图10是根据本实用新型实施例提供的一种mini led的封装结构的剖面图；
36.图11是根据本实用新型实施例提供的一种led芯片的结构示意图。
具体实施方式
37.为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
38.需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
39.图2是根据本实用新型实施例提供的一种mini led的控制电路的原理图，参考图2，本实用新型实施例提供了一种mini led的控制电路，该控制电路包括：n个led芯片40，其中，n为正整数；各led芯片40的第一极耦接至驱动电极301，各led芯片40的第二极耦接至同一公共电极302；与公共电极302串联的至少一个控制装置303，控制装置303用于控制公共电极302的信号输入，从而控制n个led芯片40发光。
40.具体的，图2仅示例性的示出了n个led芯片40阵列排布的情况，n个led芯片40也可以环形排布，圆周排布或者其他方式排布。led芯片40可以为led灯珠，n个led芯片40阵列排布且并联，led芯片40的第一极可以为阳极或者阴极，led芯片40的第一极与驱动电极301连接，led芯片40的第二极可以为阳极或者阴极，led芯片40的第二极与公共电极302连接。若led芯片40的第一极为阳极，则led芯片40的第二极为阴极；若led芯片40的第一极为阴极，则led芯片40的第二极为阳极。阴极与公共电极302连接为共阴极接法，阳极与公共电极302连接为共阳极接法。驱动电极301与公共电极302均由驱动芯片给入信号，为对公共电极302的信号给入进行控制，在公共电极302上增加至少一个控制装置303。当控制装置303导通，驱动电极301接收到驱动芯片给入的驱动信号，公共电极302接收到驱动芯片给入的驱动信号时，阵列排布的n个led芯片40发光；当控制装置303断开，驱动电极301接收到驱动芯片给入的驱动信号，公共电极302接收不到驱动芯片给入的驱动信号时，阵列排布的n个led芯片40不发光。
41.图2示例性地示出了控制装置303的数量为一个的情况，一个控制装置303的导通和关断控制公共电极302是否可以接受到驱动芯片输出的驱动信号，从而控制电路中全部led芯片40发光或不发光。
42.现有技术中整个显示区域的公共电极使用同一驱动信号源，由于未设置控制装置，信号给入后会受电阻，压降以及不同分区距离驱动芯片的距离不同等影响，不利于对发
光区域的led芯片进行控制；驱动信号给入后，电路中电压或者电流的稳定性无法调节且不受控制。本实施例的技术方案，通过在公共电极中串联至少一个控制装置控制led芯片发光，从而控制led芯片发光，led芯片由驱动电极与公共电极控制，公共电极信号稳定给入的同时，通过在公共电极上增加控制装置，信号给入后通过控制装置进行控制，有利于对led芯片的发光区域进行控制，控制装置可以根据需要调节电路中的电流的大小使得电路中电压或者电流的稳定性可控，例如，驱动芯片的远端和近端由于电阻造成压降的变化，控制装置就可以调节远近端的电流给入，从而实现线路的精细化控制，达到线路更加稳定的效果。本实施例的技术方案解决了现有技术存在公共电极信号源给入后无法精细化调控的问题，实现公共电极信号持续给入的同时电路可被控制，增加线路的稳定性，增加电路中电压或者电流的稳定性。
43.图3是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考图3，可选地，n个led芯片40并联且分区设置，分区包括单列分区，至少两个单列分区中的公共电极302设置一控制装置303。
44.具体的，至少两个单列分区中的公共电极302设置一控制装置303，一个开关控制两个单列分区中的led芯片40发光，可以实现电路精细化控制，达到更加稳定的效果。
45.图4是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考图4，可选地，每一单列分区中的公共电极302设置一控制装置303。
46.具体的，每一单列分区中的led芯片40采用单独公共电极线路控制，实现每一单列分区中的公共电极302信号可控；有利于控制电路检测每一单列分区不受其他单列分区影响。
47.图5是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考图5，可选地，每一单列分区中的每一led芯片40的第二极均单独设置一控制装置303。
48.具体的，每一单列分区中的每一led芯片40采用单独线路控制，实现每一led芯片40的公共电极302信号可控；单一分区线路可调整，即背光分区可更精细化调控，充分发挥mini led背光的区域调光作用。
49.图6是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考图6，可选地，控制装置303包括金属氧化物半导体场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管的源极s和漏极d串联在公共电极中，金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极g与驱动芯片连接。
50.具体的，控制装置303可以为金属氧化物半导体场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极g与驱动芯片连接进行信号的给入，驱动芯片通过栅极g给入驱动信号，进而控制金属氧化物半导体场效应晶体管的源极s和漏极d进行充放电，实现公共电极信号持续给入的同时电路可被控制，从而增加线路的稳定性。
51.继续参考图6，可选地，金属氧化物半导体场效应晶体管包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的源极s和漏极d串联在公共电极中，薄膜晶体管的栅极g与驱动芯片连接。
52.具体的，金属氧化物半导体场效应晶体管可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极g与驱动芯片连接，驱动芯片通过栅极g给入驱动信号，进而控制薄膜晶体管的源极s和漏极d进行充放电，实现公共电极信号持续给入的同时电路可被控制，从而增加线路的稳定性。
53.图7是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考
图7，可选地，控制装置303包括整流二极管，整流二极管的正极与驱动芯片连接，整流二极管的负极与公共电极302连接。
54.具体的，控制装置303可以为整流二极管，整流二极管是将交流电转变为直流电的半导体器件，同时利用其单方向导电性。更有利于将驱动芯片端给入的直流信号调整为交流方波波形，实现给入信号的精细化调控。整流二极管与led芯片40有相同的单向导电性特征，充分利用其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数，实现最佳控制要求。
55.图8是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考图8，可选地，控制装置303包括稳压二极管，稳压二极管的正极与驱动芯片连接，稳压二极管的负极与公共电极302连接。
56.具体的，控制装置303可以为稳压二极管，即将其在控制电路中作为稳压器或电压基准元件使用。led芯片40需要较高的电压时，串联稳压二极管使用可获得更高的稳定电压；同时还可以保护电路中的led芯片40，防止其被高电流击穿，增加电路稳定性。
57.图9是根据本实用新型实施例提供的又一种mini led的控制电路的原理图，参考图9，可选地，控制装置303包括三极管，三极管的发射极e和集电极c串联在公共电极302中，三极管的基极b与驱动芯片连接。
58.具体的，控制装置303可以为三极管，利用三极管电流放大的作用，解决驱动芯片输出的驱动电流给入范围受限或电流范围过小难以精细化调控等缺陷。需要说明的是控制装置303可以有多种选择，可根据不同的电路设计需求进行选择合适的器件。
59.图10是根据本实用新型实施例提供的一种mini led的封装结构的剖面图，参考图10，本实用新型实施例还提供了一种mini led的封装结构，该封装结构包括：基板10，驱动电路层20、保护层30、n个led芯片40、柔性电路板50和驱动芯片60；驱动电路层20，位于基板10上，驱动电路层20包括上述实施例中任一项的控制电路；保护层30，保护层30包覆驱动电路层20；n个led芯片40，保护层30上开设有凹槽，n个led芯片40设置于凹槽，其中，n为正整数；柔性电路板50和驱动芯片60，柔性电路板50位于驱动电路层20的一端，驱动芯片60通过柔性电路板50与驱动电路层20电连接。
60.具体的，基板10可以为玻璃基板，pcb基板等，保护层30主要用于阻绝水氧，防止水氧对驱动电路层20造成侵蚀。驱动电路层20以光刻或其他形式制作在基板10上，驱动电路层20中的公共电极和驱动电极分别与led芯片40的阴极或者阳极连接，以共阴极或共阳极的形式驱动led芯片40发光，实现同一分区中的led芯片40发光单独由驱动芯片60控制，即分区中的led芯片40并联设计，led芯片40的n-pad或p-pad端采用公共电极形式，另一端采用单独线路(驱动电极)连接到驱动芯片60上。led芯片40以封装的形式制作在驱动电路层20上形成发光灯珠；驱动电极与公共电极均由驱动芯片60给入信号，为对公共电极信号的给入进行控制，在公共电极增加控制装置，实现公共电极信号持续给入的同时电路可被控制，增加线路稳定性。
61.图11是根据本实用新型实施例提供的一种led芯片的结构示意图，参考图11，led芯片40分为正极(anode)和负极(cathode)，即led芯片40具有p-pad与n-pad结构，两个pad通过封装制作在驱动电路层上，实现电路连接导通。
62.上述具体实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限制。本领域技术人员应
该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型保护范围之内。