一种MiniLED的控制电路及封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种mini led的控制电路，其特征在于，包括：n个led芯片，其中，n为正整数；各所述led芯片的第一极耦接至驱动电极，各所述led芯片的第二极耦接至同一公共电极；与所述公共电极串联的至少一个控制装置，所述控制装置用于控制所述公共电极的信号给入，从而控制所述n个led芯片发光。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述n个led芯片并联且分区设置，所述分区包括单列分区，至少两个所述单列分区中的公共电极设置一控制装置。3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，每一所述单列分区中的公共电极设置一控制装置。4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，每一所述单列分区中的每一所述led芯片的第二极均单独设置一控制装置。5.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极串联在所述公共电极中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与驱动芯片连接。6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极串联在所述公共电极中，所述薄膜晶体管的栅极与驱动芯片连接。7.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制装置包括整流二极管，所述整流二极管的正极与驱动芯片连接，所述整流二极管的负极与所述公共电极连接。8.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制装置包括稳压二极管，所述稳压二极管的正极与驱动芯片连接，所述稳压二极管的负极与所述公共电极连接。9.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制装置包括三极管，所述三极管的发射极和集电极串联在所述公共电极中，所述三极管的基极与驱动芯片连接。10.一种mini led的封装结构，其特征在于，包括：基板；驱动电路层，位于所述基板上，所述驱动电路层包括权利要求1-9任一项所述的控制电路；保护层，所述保护层包覆所述驱动电路层；n个led芯片，所述保护层上开设有凹槽，所述n个led芯片设置于所述凹槽，其中，n为正整数；柔性电路板和驱动芯片，所述柔性电路板位于所述驱动电路层的一端，所述驱动芯片通过所述柔性电路板与所述驱动电路层电连接。

技术总结
本实用新型实施例公开了一种Mini LED的控制电路及封装结构。Mini LED的控制电路包括：n个LED芯片，其中，n为正整数；各LED芯片的第一极耦接至驱动电极，各LED芯片的第二极耦接至同一公共电极连接；与公共电极串联的至少一个控制装置，控制装置用于控制公共电极的信号给入，从而控制n个LED芯片发光。本实用新型的技术方案解决了公共电极使用同一信号源且信号给入后无法精细化调控的问题，从而实现控制电路的精细化控制，使得控制电路更加稳定。使得控制电路更加稳定。使得控制电路更加稳定。


技术研发人员：田伟杰 宋威 黄雪 张亚珂 张运杰
受保护的技术使用者：河南省华锐光电产业有限公司
技术研发日：2022.10.10
技术公布日：2023/3/3