一种半导体器件制造方法及半导体器件与流程

技术特征：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基底(10)上沉积第一氧化层(11)，并在所述第一氧化层(11)上形成掩膜层(12)以得到第一半导体器件，其中，所述第一氧化层(11)的部分区域被所述掩膜层(12)覆盖；对所述第一半导体器件进行刻蚀以得到第二半导体器件，在所述第二半导体器件中被所述掩膜层(12)覆盖的第一氧化层(11)区域形成凸起；在所述第二半导体器件的第一氧化层(11)上沉积掺杂层(13)，并对所述掺杂层(13)进行刻蚀以得到第三半导体器件，在所述第三半导体器件中所述凸起的侧壁形成有掺杂壁；在所述第三半导体器件上沉积第二氧化层，所述第一氧化层(11)与所述第二氧化层结合形成第三氧化层(14)，并对所述第三氧化层(14)进行研磨以得到第四半导体器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对第一半导体器件进行刻蚀以得到第二半导体器件，包括：对所述第一半导体器件中未被所述掩膜层(12)覆盖的第一氧化层(11)区域进行刻蚀后，去除所述第一氧化层(11)上覆盖的掩膜层(12)，以得到具有凸起的第一氧化层(11)。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对掺杂层(13)进行刻蚀以得到第三半导体器件，包括：根据预设参数对所述第二半导体器件的掺杂层(13)刻蚀第一厚度，使刻蚀后得到的所述第三半导体器件中所述凸起的两侧形成具有第一预设宽度的掺杂壁，所述第一预设宽度为具有第二厚度的掺杂层(13)区域的宽度，所述具有第二厚度的掺杂层(13)区域附着在所述凸起的两侧壁，所述第一厚度小于所述第二厚度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在第三半导体器件上沉积第二氧化层，包括：在所述第三半导体器件上沉积第二氧化层，使所述第二氧化层完全覆盖所述第一氧化层(11)及所述凸起，且所述第三半导体器件的第一氧化层(11)和第二氧化层结合形成的第三氧化层(14)整体具有第三厚度。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对第三氧化层(14)进行研磨以得到第四半导体器件，包括：对所述第三半导体器件中具有第三厚度的第三氧化层(14)进行研磨，得到具有第四厚度氧化层(15)的第四半导体器件，所述第四厚度小于所述第三厚度，且所述第四半导体器件中的掺杂壁高度小于所述第三半导体器件中的掺杂壁高度。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在得到第四半导体器件之后，所述方法还包括：在所述第四半导体器件上沉积第四氧化层(16)，得到第五半导体器件，所述第五半导体器件中的第四氧化层(16)完全覆盖具有第四厚度的氧化层(15)及掺杂壁；对所述第五半导体器件的第四氧化层(16)进行刻蚀，使所述掺杂壁上形成具有第二预设宽度的连接孔，得到具有所述连接孔的目标半导体器件。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底(10)的材料包括硅、锗、氧化硅、砷化镓、氮化镓和碳化硅中的至少一种；所述掺杂层(13)的材料包括铝、镓、硼、锑、砷和磷中的至少一种。8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述沉积的工艺包括物理气相
沉积工艺和化学气相沉积工艺中的至少一种。9.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀的工艺包括湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的至少一种。10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件根据权利要求1至9任一项方法制造而成。

技术总结
本公开提供了一种半导体器件制造方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。方法主要包括：在基底上沉积第一氧化层，并在第一氧化层上形成掩膜层以得到第一半导体器件，其中，第一氧化层的部分区域被掩膜层覆盖；对第一半导体器件进行刻蚀以得到第二半导体器件，在第二半导体器件中被掩膜层覆盖的第一氧化层区域形成凸起；在第二半导体器件的第一氧化层上沉积掺杂层，并对掺杂层进行刻蚀以得到第三半导体器件，在第三半导体器件中凸起的侧壁形成有掺杂壁；在第三半导体器件上沉积第二氧化层，第一氧化层与第二氧化层形成第三氧化层，并对第三氧化层进行研磨以得到第四半导体器件。第三氧化层进行研磨以得到第四半导体器件。第三氧化层进行研磨以得到第四半导体器件。


技术研发人员：李新国
受保护的技术使用者：杭州富芯半导体有限公司
技术研发日：2022.12.15
技术公布日：2023/3/10