写入保护装置和包括该装置的脱扣单元的制作方法

技术特征：
1.一种用于非易失性可编程存储器的写入保护装置，其特征在于，所述写入保护装置包括：信号接收单元，连接至参数写入装置，用于从所述参数写入装置接收脉冲信号，所述参数写入装置用于向所述非易失性可编程存储器写入参数；以及电平生成单元，与所述信号接收单元连接，用于基于所述脉冲信号生成存储器写入使能电平，并且在未接收到所述脉冲信号的情况下生成存储器写入禁用电平；电平输出单元，连接至所述电平生成单元和所述非易失性可编程存储器，用于将所述存储器写入使能电平或所述存储器写入禁用电平输出到所述非易失性可编程存储器。2.根据权利要求1所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平生成单元包括含有第一限流电阻、第二限流电阻和储能电容的充放电单元，所述第一限流电阻的第一端连接至所述信号接收单元的输出端，所述第二限流电阻与所述储能电容并联连接，所述第二限流电阻与所述储能电容并联连接的第一节点连接至所述第一限流电阻的第二端并且作为所述充放电单元的输出端，从而输出第一电平，并且所述第二限流电阻与所述储能电容并联连接的第二节点连接至地。3.根据权利要求2所述的写入保护装置，其特征在于，所述储能电容由并联连接的多个电容器构成。4.根据权利要求1所述的写入保护装置，其特征在于，所述信号接收单元包括反向保护单元，所述反向保护单元具有用于实现单向导通的器件，以用于避免反向电流。5.根据权利要求4所述的写入保护装置，其特征在于，所述单向导通器件包括二极管，具有用于接收所述脉冲信号的阳极以及作为所述信号接收单元的输出端的阴极。6.根据权利要求2所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平生成单元包括用于实现电平反向的电平转换单元，所述电平转换单元连接至所述充放电单元的所述输出端。7.根据权利要求6所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平转换单元包括可控型器件，可控型器件包括：第一极，连接至所述第一节点，用于基于来自所述第一节点的所述第一电平控制所述可控型器件通断；第二极，连接至直流电压源，用于在所述可控型器件导通的情况下，输出所述存储器写入使能电平，并且在所述可控型器件关断的情况下，输出所述存储器写入禁用电平；以及第三极，连接至地。8.根据权利要求7所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平生成单元还包括在所述充放电单元与所述电平转换单元之间布置的用于限幅第一电平的过压保护单元，所述过压保护单元包括稳压二极管，所述稳压二极管具有连接至所述可控型器件的第一极的阴极以及连接至地的阳极。9.根据权利要求1所述的写入保护装置，其特征在于，所述电平输出单元包括滤波单元，所述滤波单元包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻的第一端连接至所述电平生成单元的输出端，并且所述滤波电阻的第二端连接至所述非易失性可编程存储器并且经由所述滤波电容连接至地。
10.一种断路器中的脱扣单元，其特征在于，所述脱扣单元用于执行脱扣操作以保护所述断路器并且所述脱扣单元包括：如权利要求1-9中任一项所述的写入保护装置，用于保护对所述非易失性可编程存储器的写入操作；所述非易失性可编程存储器，连接至所述写入保护装置，用于从所述写入保护装置接收所述存储器写入使能电平或所述存储器写入禁用电平，所述参数写入装置，连接至所述写入保护装置且主机，用于向所述写入保护装置输入用于向非易失性可编程存储器写入参数的所述脉冲信号。

技术总结
提供了一种用于非易失性可编程存储器的写入保护装置，写入保护装置包括：信号接收单元，连接至参数写入装置，用于从参数写入装置接收脉冲信号，参数写入装置用于向非易失性可编程存储器写入参数；以及电平生成单元，与信号接收单元连接，用于基于脉冲信号生成存储器写入使能电平，并且在未接收到脉冲信号的情况下生成存储器写入禁用电平；电平输出单元，连接至电平生成单元和非易失性可编程存储器，用于将存储器写入使能电平或存储器写入禁用电平输出到非易失性可编程存储器。还提供一种包括写入保护装置的脱扣单元。括写入保护装置的脱扣单元。括写入保护装置的脱扣单元。


技术研发人员：方昀 程颖 刘必洋 石莹
受保护的技术使用者：施耐德电气（中国）有限公司
技术研发日：2022.08.23
技术公布日：2023/2/23