存储装置及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种执行自刷新操作的存储装置的操作方法，所述方法包括：从存储器控制器接收深度睡眠模式进入命令；响应于所述深度睡眠模式进入命令，将所述存储装置的内部电压的大小从第一电压改变为小于所述第一电压的第二电压；以及在所述存储器控制器的控制下进入自刷新模式，其中，所述内部电压在所述自刷新模式期间被维持在所述第二电压。2.如权利要求1所述的方法，还包括：从所述存储器控制器接收自刷新模式退出命令；以及响应于所述自刷新模式退出命令，将所述存储装置的所述内部电压的大小从所述第二电压改变为所述第一电压。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述的接收深度睡眠模式进入命令是在所述存储装置处于空闲状态时被执行的。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述的接收深度睡眠模式进入命令是在所述存储装置在所述自刷新模式下操作时被执行的。5.如权利要求1所述的方法，还包括：在进入所述自刷新模式之后，从所述存储器控制器接收所述深度睡眠模式进入命令或掉电模式进入命令。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一电压和所述第二电压是通过不同的电力线从所述存储装置的外部接收的。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储装置是动态随机存取存储器装置。8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一电压和所述第二电压在所述存储装置的动态电压和频率缩放核模式下被使用。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一电压具有1.05v的电平，所述第二电压具有0.9v的电平。10.一种存储装置，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为：响应于从外部装置接收到的深度睡眠模式进入命令，激活电压降低请求信号；电源电路，所述电源电路被配置为：响应于所激活的电压降低请求信号，将内部电压从第一电压改变为小于所述第一电压的第二电压；以及自刷新逻辑电路，所述自刷新逻辑电路被配置为：基于具有所述第二电压的所述内部电压，控制对所述存储单元的自刷新操作。11.如权利要求10所述的存储装置，其中，所述控制逻辑电路还被配置为：响应于从所述外部装置接收到的自刷新模式退出命令，将所述电压降低请求信号去激活。12.如权利要求11所述的存储装置，其中，所述电源电路还被配置为：响应于被去激活的电压降低请求信号，将所述内部电压的大小从所述第二电压改变为所述第一电压。13.如权利要求10所述的存储装置，其中，所述第一电压和所述第二电压被用于实现动
态电压和频率缩放核模式。14.如权利要求10所述的存储装置，其中，所述电源电路进一步被配置为：通过不同的电力线，从所述存储装置的外部接收所述第一电压和所述第二电压。15.如权利要求10所述的存储装置，其中，所述控制逻辑电路在所述存储装置处于空闲状态时接收所述深度睡眠模式进入命令。16.如权利要求10所述的存储装置，其中，所述控制逻辑电路在所述存储装置在自刷新模式下操作时接收所述深度睡眠模式进入命令。17.如权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储装置是动态随机存取存储器装置。18.一种执行自刷新操作的存储装置的操作方法，所述方法包括：从存储器控制器接收自刷新模式进入命令；响应于所述自刷新模式进入命令，进入自刷新模式并且将所述存储装置的内部电压的大小从第一电压改变为小于所述第一电压的第二电压；从所述存储器控制器接收自刷新模式退出命令；以及响应于所述自刷新模式退出命令，将所述存储装置的所述内部电压的大小从所述第二电压改变为所述第一电压，其中，所述内部电压在所述自刷新模式期间被维持在所述第二电压。19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一电压和所述第二电压是通过不同的电力线从所述存储装置的外部接收的。20.如权利要求19所述的方法，其中，所述第一电压具有1.05v的电平，所述第二电压具有0.9v的电平。

技术总结
公开的是一种执行自刷新操作的存储装置及其操作方法。所述方法包括：从存储器控制器接收深度睡眠模式进入命令；响应于所述深度睡眠模式进入命令，将所述存储装置的内部电压的大小从第一电压改变为小于所述第一电压的第二电压；以及在所述存储器控制器的控制下进入自刷新模式，并且所述内部电压在所述自刷新模式期间被维持在所述第二电压。式期间被维持在所述第二电压。式期间被维持在所述第二电压。


技术研发人员：南瑜真 姜雄大 李承俊 崔东永
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.06.20
技术公布日：2023/2/17