用于光刻表面形貌测量的系统和方法与流程

1.本发明实施例涉及一种用于光刻表面形貌测量的系统和方法。


背景技术：

2.具有更高装置密度的半导体集成电路的制造变得越来越复杂。在制造集成电路的各种半导体工艺步骤中，广泛地采用图案化工艺使集成电路的组件形成所需的形状。典型的图案化工艺包括光刻工艺，其包括在将被图案化的材料层上涂覆光致抗蚀剂，通过光刻光掩模将光致抗蚀剂暴露于图案化光线下，以及将光致抗蚀剂显影以形成所需的图案。电路图案可以通过蚀刻工艺转移到材料层上，其中图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻光掩模。


技术实现要素：

3.据本发明的一实施例，一种表面形貌测量方法包括：提供工件到半导体设备，所述工件包括材料层，其中所述材料层包括沿着第一轴延伸的多个区域；沿着所述第一轴在第一方向上扫描所述工件以产生第一形貌测量数据；沿着所述第一轴在第二方向上扫描所述工件以产生第二形貌测量数据；及根据所述第一形貌测量数据与所述第二形貌测量数据对所述材料层执行曝光操作。
4.根据本发明的一实施例，一种表面形貌测量方法包括：提供工件到半导体设备，所述工件包括材料层，其中所述材料层包括多个曝光场；沿着第一轴在第一方向上扫描所述多个曝光场中的第一曝光场以产生第一形貌测量数据；沿着所述第一轴在第二方向上扫描所述多个曝光场中的第二曝光场以产生第二形貌测量数据；及分别根据所述第一形貌测量数据和所述第二形貌测量数据，以分别在所述第一方向和所述第二方向上曝光所述第一曝光场和所述第二曝光场。
5.根据本发明的一实施例，一种半导体设备，包括：载台，其经配置以支撑工件，所述工件包括材料层；水平传感器装置，位于所述载台上方；及控制单元，其经配置以：通过所述载台将所述工件移动到所述半导体设备的第一站；使所述载台与所述水平传感器装置之间进行第一相对移动，以沿着第一轴在第一方向上扫描所述工件以产生第一形貌测量数据；使所述载台与所述水平传感器装置之间进行第二相对移动，以沿着所述第一轴在第二方向上扫描所述工件以产生第二形貌测量数据；通过所述载台将所述工件移动到所述半导体设备的第二站；及根据所述第一形貌测量数据与所述第二形貌测量数据对所述材料层执行曝光操作。
附图说明
6.从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。
7.图1是根据本揭露一些实施例的光刻设备示意框图。
8.图2a是根据本揭露一些实施例，在图1中所示的光刻设备的一部分的放大透视图。
9.图2b是根据本揭露一些实施例的光刻操作中的处理步骤的示意时间线图。
10.图3a和3b分别示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第一扫描模式中的水平传感器装置的正视图和俯视图。
11.图3c示出了根据本揭露一些实施例的表面形貌测量数据的矩阵。
12.图3d和3e分别示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第二扫描模式中的水平传感器装置的正视图和俯视图。
13.图4a和4b分别示出了根据本揭露一些实施例，在曝光操作中的工件的正视图和俯视图。
14.图5是根据本揭露一些实施例的工件阴影区的示意图。
15.图6a和6b示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第三扫描模式中的水平传感器装置的正视图。
16.图6c示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第三扫描模式中的水平传感器装置的俯视图。
17.图6d和6e示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第四扫描模式中的水平传感器装置的正视图。
18.图6f示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第四扫描模式中的水平传感器装置的俯视图。
19.图7示出了根据本揭露一些实施例的光刻方法的流程图。
20.图8示出了根据本揭露一些实施例的光刻方法的流程图。
21.图9是根据本揭露一些实施例的实现光刻方法的系统的示意图。
具体实施方式
22.以下揭露提供用于实现所提供主题的不同特征的诸多不同实施例或示例。下文将描述组件及配置的特定示例以简化本揭露。当然，这些仅为示例且不意在产生限制。例如，在以下描述中，在第二构件上方或第二构件上形成第一构件可包括其中形成直接接触的第一构件及第二构件的实施例，并且也可包括其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个示例中重复参考符号及/或字母。此重复是为了简单及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
23.此外，为便于描述，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及其类似者的空间相对术语在本文中可用于描述一元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所绘示出。除了图中所描绘的方向之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方向。设备可依其它方式方向(旋转90度或依其它方向)且也可因此解译本文中所使用的空间相对描述词。
24.尽管阐述本揭露的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但要尽可能精确报告具体实例中所阐述的数值。然而，任何数值固有地含有由各自测试测量中常见的偏差必然所致的某些误差。而且，如本文中所使用，术语“约”、“大体”及“大体上”一般表示在一给定值或范围的10％、5％、1％或0.5％内。或者，如由一般技术人员所考量，术语“约”、“大体”及“大体上”表示在平均值的可接受标准误差内。除在操作/工作实例中之外，或除非另有明确
说明，否则本文中所揭露的所有数值范围、数量、值及百分比，例如材料数量、持续时间、温度、操作条件、数量比及其类似者的数值范围、数量、值及百分比，应被理解为在所有例项中由术语“约”、“大体”及“大体上”修饰。因此，除非有相反的指示，否则本揭露及所附权利要求书中所阐述的数值参数是可根据需要变动的近似值。至少，应所述根据报告有效位数及通过应用一般舍入技术来解释各数值参数。范围在本文中可表示为从一端点至另一端点或在两个端点之间。除非另有说明，否则本文中所揭露的所有范围均包括端点。
25.贯穿本揭露使用的术语“连接”、“耦合”和“耦接”描述了两个或更多个装置或元件之间的直接或间接连接。在一些情况下，至少两个装置或元件之间的耦合是指其间的电气连接或导电连接，并且在耦合的装置和元件之间可以存在干扰特征。在一些其它情况下，至少两个装置或元件之间的耦合可能包括物理接触及/或电气连接。
26.本揭露整体来说与光刻系统和光刻方法有关，并且尤其是关于要在光刻操作中暴露的工件表面形貌的测量。表面形貌测量为要暴露的工件的每一个曝光场(或简称为“场”)提供光刻操作的基本参数，例如厚度轮廓、倾斜角轮廓等。然而，现有的形貌测量方法可能无法为先进技术节点提供足够的扫描速度和准确性。因此，本揭露提出了一种具有改进扫描方法的增强水平传感器装置结构，用于同时扫描工件不同区域的表面。另外，通过对水平传感器的扫描角度和扫描路径的设置，可以有效降低形貌测量偏差。曝光性能可以相应地提高。
27.图1是根据本揭露一些实施例的光刻设备的示意框图。光刻设备100包括辐射源110、照明器120、光掩模载台130、投影模块140、第一晶片载台150和第二晶片载台160。图1绘示出根据本揭露一些实施例的透射型光刻设备100，但本揭露不限于此。其它类型的光刻设备，例如反射型光刻设备，也可以在本揭露的预期范围内。
28.在一些实施例中，辐射源110经配置以发射用于光刻操作的辐射束ra。辐射源110可以是准分子激光器或是水银灯。在一实施例中，辐射束ra的波长介于大约100纳米和约300纳米之间，或介于大约1纳米和约100纳米之间，例如13.5纳米。辐射源110可以集成在光刻设备100中或者可以形成为与光刻设备100分离的单独实体。
29.照明器120位于辐射源110下方并且接收来自辐射源110的辐射束ra。在一实施例中，可以包括光束导向镜的光束递送模块102，位于辐射源110和照明器120之间并且经配置以将辐射束ra导向至照明器120。照明器120可以包括用于根据需要调节入射辐射束ra的级联光学元件。例如，照明器120包括调节模块104、均匀性控制模块106和聚光器108。
30.调节模块104经配置以调整辐射束ra的角强度分布，例如，照明器120的光瞳平面中的强度分布的外部及/或内部径向范围。调节模块104可以包括例如准直器、场界定元件和依次设置的场透镜组。在一实施例中，准直器可用于准直辐射束ra。在一实施例中，场界定元件经配置以将辐射束ra形成为场形状。在一实施例中，场透镜组可将辐射束ra聚焦到场平面上。
31.在一实施例中，均匀性控制模块106接收呈场形状的辐射束ra并且经配置以管理辐射束ra的强度轮廓。在一实施例中，均匀性控制模块106包括可移动狭缝指形件阵列以选择性地调整辐射束ra的不同位置的强度水平。在一些实施例中，聚光器108经配置以将辐射束ra聚焦到另一场平面上。
32.在一实施例中，照明器120进一步包括位于均匀性控制模块106和聚光器108之间
的遮蔽模块(图1中未示出)。遮蔽模块经配置以确保在标定场的曝光期间，辐射束ra不泄漏并照明于相邻场上。在一实施例中，遮蔽模块由可在光刻设备100的扫描方向上移动的叶片形成，并经配置以控制辐射束ra可以通过的敞开区域。
33.光掩模载台130位于照明器120下方并且经配置以支撑和固定光掩模112，这里也称为掩模或光掩模。辐射光束ra穿过照明器120的聚光器108以照射光掩模112，从而形成图案化辐射光束ra并根据光掩模112的图案将电路图案转移至工件122上。
34.投影模块140位于光掩模载台130下方并且经配置以将电路图案朝向第一晶片载台150上的工件122转移。投影模块140可由一或多个镜或透镜构建以将图案化辐射束ra投影到工件122上。在一实施例中，工件122是半导体衬底并且可以包括在其上形成的适当的光敏材料。在一些实施例中，工件122以半导体晶片的形式提供。
35.尽管图1所示的光刻设备100仅包括辐射源110和位于光掩模载台130之间的照明器120，但是其它配置也是可能的。例如，在反射型光刻设备中，一或多个镜可以替代地或另外地置于辐射源110和光掩模载台130之间的辐射束ra的传播路径中，在照明器120之前或之后。
36.在一些实施例中，光刻设备100包括双载台设计，即包括第一晶片载台150和第二晶片载台160，用于执行光刻操作。在一些实施例中，可使第一晶片载台150和第二晶片载台160两者在光刻设备100的曝光站se和测量站sm之间移动。当第一晶片载台150或第二晶片载台160移动至曝光站se时，第一晶片载台150所承载的工件122或第二晶片载台160所承载的工件124会移动以对准投影模块140是用于在曝光操作中接收图案化辐射束ra。在一些实施例中，光刻设备100包括在测量站sm处的水平传感器装置152及/或对准传感器154。当第一晶片载台150或第二晶片载台160移动至测量站sm时，第一晶片载台150承载的工件122或第二晶片载台160承载的工件124执行一或多个准备步骤，例如，在曝光操作之前的表面形貌测量操作或对准操作。
37.在所描绘的实施例中，第一晶片载台150位于曝光站se处，其中工件122与投影模块140对准并且准备好在曝光操作中接收图案化辐射束ra。第二晶片载台160位于测量站sm，工件124在测量站sm处执行表面形貌测量操作和对准操作。在一些实施例中，在工件122上的曝光操作完成后，第一晶片载台150和第二晶片载台160互换，并且工件122从第一晶片载台150或光刻设备100移除，而具有工件124的第二晶片载台160经配置以接收下一次曝光操作。
38.在一实施例中，光刻设备100包括位置传感器128，其经配置以监测第一晶片载台150或第二晶片载台160的位置。位置传感器128可以通过提供晶片载台150或160的准确位置数据来帮助将工件122或124与投影模块140或水平传感器装置152对准。在一实施例中，位置传感器128可以包括干涉装置、线性编码器、电容传感器等。
39.在一些实施例中，光刻设备100进一步包括定位装置，用于在工件122和光掩模112之间执行对准，从而以高准确度将电路图案转移到工件122或124的预定位置。在本发明实施例中，第一定位装置132耦接光掩模载台130，经配置以移动光掩模载台130，使得辐射束ra可在初始化步骤或曝光操作期间的移动步骤中精确对准光掩模112。在一些实施例中，光掩模112包括其上形成的对准标记，有助于与工件122或124的对准。
40.同样地，光刻设备100进一步包括与第一晶片载台150耦合并经配置以将工件122
与光掩模112对准的第二定位装置172。在一些实施例中，工件122包括曝光场阵列并且包括在曝光场阵列的侧面上的对准标记。可以通过第二定位装置172的操作使光掩模112与工件122对准，所述操作使光掩模112上的对准标记与工件122上的对应对准标记重叠。
41.第二定位装置172还可以耦接第二晶片载台160并且经配置以将工件124与水平传感器装置152和对准传感器154对准。在一些实施例中，工件124包括曝光场阵列并且包括在曝光场阵列的侧面上的对准标记。工件124的位置或方向可以通过定位装置172的操作来调整，所述操作使工件124上的对准标记与对准传感器154重叠。
42.在一些实施例中，光刻设备100进一步包括用于控制感测、对准和曝光操作的控制装置114。控制装置114可以包括处理器，其经配置以接收和分析在由位置传感器128、水平传感器装置152或对准传感器154提供的感测或定位操作期间产生的数据。在一些实施例中，控制装置114可以包括一或多个致动器，其经配置以控制定位装置132和172的操作。在一些实施例中，控制装置114可以包括一或多个致动器，其经配置以控制辐射源110、照明器120、光掩模载台130、投影模块140、第一晶片载台150和第二晶片载台160的操作。控制装置114可以由硬件、软件、固件、其组合等来实现，并且可以包括通用计算机、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、微控制器等。
43.图2a是根据本揭露一些实施例的图1中所示的光刻设备100的一部分的放大透视图。如图2a所示，仅示出了光刻设备100的一些构件，例如光掩模112、工件122和124、位置传感器128、光掩模载台130、第一晶片载台150、第二晶片载台160、第一定位装置132和第二定位装置172，以提供更多细节。图2a中省略了光刻设备100的其它构件以避免模糊图1的其它方面。
44.在一些实施例中，第一定位装置132设置于曝光站se处。第一定位装置132支撑和固定光掩模载台130并且经配置以移动光掩模载台130。第一定位装置132可包括通过滑动结构136相互连接以形成支撑结构的一或多个导轨或轨道134。举例来说，第一定位装置132包括平行设置且沿着y轴延伸的第一轨道134a与第二轨道134b，以及沿着x轴延伸且通过相应的滑动结构136a和136b与第一轨道134a与第二轨道134b相互连接的第三轨道134c。滑动结构136可以经配置以在曝光操作期间移动光掩模载台130，让辐射束ra扫描工件122的曝光场。在一些实施例中，滑动结构136经配置以通过机械力、电磁力、磁浮、真空力等在轨道134上移动。
45.第二定位装置172设置于第一定位装置132下方并且延伸穿过曝光站se和测量站sm。在一些实施例中，第二定位装置172包括通过滑动结构176和178相互连接的一或多个导轨或轨道174，并且经配置以将第一晶片载台150和第二晶片载台160移动到目标位置。例如，第二定位装置172包括通过对应的滑动结构176(即滑动结构176a、176b、176c和176d)相互连接的第一轨道174a、第二轨道174b、第三轨道174c和第四轨道174d。第二定位装置172进一步可以包括滑动结构178，其经配置以在轨道174上滑动，在定位操作或载台交换操作期间，通过滑动结构178夹持或释放第一晶片载台150或第二晶片载台160。在一些实施例中，滑动结构176经配置以通过机械力、电磁力、磁浮、真空力等在轨道174上滑动。在一些实施例中，滑动结构178经配置以通过电磁力、静电力、真空力等夹持和释放第一晶片载台150或第二晶片载台160。
46.在一些实施例中，第二轨道174b经配置以通过滑动结构178夹持第二晶片载台
160，并通过在第二轨道174b上滑动而承载第二晶片载台160以沿着x轴移动，或通过滑动结构176a和176b分别在第一轨道174a和第三轨道174c上的滑动而沿着y轴移动。同样地，第四轨道174d经配置以通过另一滑动结构(本文未示出)夹持第一晶片载台150，并通过在第四轨道174d上滑动来承载第一晶片载台150以沿着x轴移动，或通过滑动结构176c和176d分别在第一轨道174a和第三轨道174c上的滑动而沿着y轴移动。
47.在载台交换操作(这里也称为晶片交换操作)期间，第一晶片载台150和第二晶片载台160的位置通过第二定位装置172的操作而交换。例如，第一晶片载台150和第二晶片载台160分别被夹到第四轨道174d和第二轨道174b上，并被运载到曝光站se和测量站sm之间的边界。滑动结构178经配置以释放第一晶片载台150和第二晶片载台160中对应的一个，并且抓取第一晶片载台150和第二晶片载台160中的另一个。结果是，第一晶片载台150被夹持到第二轨道174b，并且第二晶片载台160被夹持到第四轨道174d以完成载台交换操作。
48.水平传感器装置152设置于测量站sm处的第二晶片载台160上方。在一些实施例中，水平传感器装置152包括支撑结构158和设置于支撑结构158上的一或多个水平传感器156。在一些实施例中，在形貌测量操作期间，使第二晶片载台160和水平传感器装置152之间沿着y轴进行相对移动。同时，一或多个水平传感器156经配置以扫描工件124的表面。在一些实施例中，如图2a所示，支撑结构158沿着x轴延伸，水平传感器156沿着x轴平行设置。在一些实施例中，水平传感器156中的每一个，例如示例性水平传感器156a，设置为沿着y轴延伸。以此方式，平行水平传感器156可同时执行表面形貌测量操作以节省数据测量时间。
49.图2b是根据本揭露一些实施例的光刻操作中的处理步骤的示意时间线图。在时刻t0，假设对准操作和表面形貌测量操作已经完成，工件122设置于曝光站se处。在时刻t0和t2之间的时间周期期间，在曝光站se处对工件122执行曝光操作206。同时，从时刻t0到时刻t1执行晶片运输操作202以将工件124从运输接口移动到第二晶片载台160。第二晶片载台160与工件124一起移动到测量站sm。随后，在时刻t1到时刻t2之间的时间周期期间，对工件124执行表面形貌测量操作204。在一些实施例中，在表面形貌测量操作204期间或之后，测量数据被传送到控制装置114。
50.在一些实施例中，在时刻t2和t3之间的时间周期期间，执行载台交换操作208以通过交换第一晶片载台150和第二晶片载台160来交换工件122和144。在一些实施例中，在载台交换操作208期间，第一晶片载台150及第二晶片载台160由第二定位装置172搬运及移动，以分别到达测量站sm及曝光站se。
51.在一些实施例中，在第二定位装置172的定位操作之后，在时刻t3和t4之间的时间周期内，执行光掩模对准操作212以将光掩模112与工件124对准。在一些实施例中，在光掩模对准操作212期间，执行辐射预备操作以确保辐射束ra准备好图案化工件124。在其它实施例中，在光掩模对准操作212之后执行辐射预备操作。
52.在一些实施例中，在时刻t4和t5之间的时间周期期间，在曝光站se处对工件124执行曝光操作218。在一些实施例中，与曝光操作218同时，在晶片运输操作214中，工件122从第二晶片载台160或测量站sm移走，因此第一晶片载台150是空的。随后，另一工件126可以在晶片运输操作214期间由第一晶片载台150运输和接收。
53.随后，在时刻t5和t6之间的时间周期期间，在工件126上执行另一表面形貌测量操作216。在一些实施例中，在表面形貌测量操作216期间或之后，将测量数据传输到控制装置
114。可以重复上述操作，直到完成对所有工件的光刻操作。
54.图3a和3b分别示出了根据本揭露各种实施例的在表面形貌测量操作的第一扫描模式中的水平传感器装置300的正视图和俯视图。图3a是沿着图3b的剖面线aa截取的。在图2b所示的表面形貌测量操作204或216中可以采用第一扫描模式。
55.参考图3a，提供工件302，其类似于图1、2a或2b中所示的工件122、124或126。工件302可以包括衬底322和沉积在衬底322上的材料层324。衬底322是由例如硅、锗或其它合适的半导体衬底材料形成的半导体衬底。在一些实施例中，材料层324包括当暴露于合适的辐射时可以改变其化学成分的光敏材料。材料层324可以是光致抗蚀剂层。材料层324可以使用化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、旋涂或其它合适的沉积方法沉积在衬底322上。在一些实施例中，工件302包括位于材料层324和衬底322之间的一或多个中间层。
56.参考图3b，从俯视角度看，工件302包括曝光场fd的网格。在一些实施例中，工件302界定了多个平行设置并沿着y轴延伸的带状区域304，其中每一个带状区域304形成为在工件302的相同水平位置处的连续曝光场fd的联集。在一些实施例中，由于工件302的圆形形状，不同水平位置(沿着x轴)的带状区域304的长度可能不同。在所描绘的实施例中，工件302包括11个带状区域304，并且从工件302的左侧算起的第三带状区域304包括9个曝光场fd。在本揭露中，工件302中的特定曝光场fd通过其以曝光场fd为单位的坐标表示。举例来说，图3b中以虚线框标示的曝光场fd，即第三带状区域304中从底部起算起的第二个曝光场fd，称为fd
32
。
57.水平传感器装置300可以类似于图1和2a中所示的水平传感器装置152。在一些实施例中，水平传感器装置300包括多个水平传感器310和支撑结构320。在一些实施例中，支撑结构320由用于支撑和固定水平传感器310的刚性材料形成。支撑结构320在工件302上沿着x轴延伸。在一些实施例中，水平传感器装置300包括沿着x轴设置的水平传感器310的阵列。每一个水平传感器310包括设置于沿着y轴延伸的列中的发射器312和检测器314。发射器312经配置以发射感测光rm至材料层324的表面，并且感测光rm从材料层324的表面反射。检测器314经配置以接收从材料层324的表面反射的感测光rm。在一些实施例中，发射器312包括发光二极管(led)、激光二极管或其它合适的光发射器。在一些实施例中，检测器314包括光检测器或其它合适的光接收器。在一些实施例中，水平传感器310阵列的发射器312设置于沿着x轴延伸的第一行中，并且水平传感器310阵列的检测器314设置于第二行中，第二行沿着平行于第一行的x轴延伸。在一些实施例中，由发射器312发射的感测光rm包括在表面形貌测量操作期间不会改变材料层324的化学成分的波长或功率。
58.在表面形貌测量操作的第一扫描模式期间，工件302和水平传感器装置300中的至少一者沿着y轴移动，以使工件302和水平传感器装置300之间沿着y轴进行相对移动。在一些实施例中，工件302由第二晶片载台160沿着y轴在正方向上移动，在此称为正向df，以使工件302与水平传感器装置300之间进行相对移动。在一些实施例中，水平传感器装置300沿着y轴在负方向上移动，这在本文中被称为与正向df相反的反向dr，以使工件302和水平传感器装置300之间进行相对移动。在第一扫描模式下，材料层324的表面从与工件302的顶面302t相邻的顶部曝光场到与工件302的底面302b相邻的底部曝光场沿着反向dr扫描。
59.在一些实施例中，每一个水平传感器310的发射器312和检测器314沿着y轴设置成一行。换句话说，从俯视角度来看，感测光rm沿着y轴在负方向或反向dr上传播。在一些实施
例中，感测光rm沿着与工件302移动的正向df相反的反向dr，从发射器312发射到检测器314。在一些实施例中，从俯视角度来看，水平传感器310与对应的带状区域304对准。在表面形貌测量操作期间，当工件302相对于水平传感器装置300移动时，每一个水平传感器310扫描相应的带状区域304。在一些实施例中，感测光rm在工件302上具有矩形或细长形的投影。在一些实施例中，感测光rm的投影沿着x轴的长度大体上大于等于一个带状区域304或一个曝光场fd的宽度。
60.图3c示出了根据本揭露一些实施例的表面形貌测量数据的矩阵。在一些实施例中，通过水平传感器装置300提供的材料层324的表面形貌测量数据的输出，可以从模拟形式转换为数字形式并传送到控制装置114。目标曝光场fd可被划分为k
×
l测量点阵列。目标曝光场fd
mn
的表面形貌测量结果d
mn
(k,l)的原始数据可由k
×
l矩阵d
mn
表示，其中矩阵d
mn
的第(k,l)个元素对应于目标曝光场fd
mn
的第(k,l)个测量点。
61.如图3c所示，表面形貌测量结果的原始数据可以设置为矩阵d的级联，用于第m个带状区域304中的级联曝光场，并且可以表示为rstmi＝[d
mn
；d
m(n-1)
；
…dm2
；d
m1
]，其中变量i代表第i个扫描模式。在一些实施例中，使用第一扫描模式获得的原始表面形貌测量数据rstm1是通过依序扫描曝光场fd
mn
、fd
m(n-1)
、
…
fd
m2
、fd
m1
所产生的。
[0062]
在一些实施例中，对二维测量结果d
mn
(k,l)的原始数据执行进一步处理，以产生一维处理的表面形貌测量数据pstmi，并且可以表示为pstmi＝[h
mn
；h
m(n-1)
；
…hm2
；h
m1
]＝[h
mn
(k)；h
mn
(k-1)；
…hmn
(1)；h
m(n-1)
(k)；h
m(n-1)
(k-1)；
…hm(n-1)
(1)；
…hm1
(k)；h
m1
(k-1)；
…hm1
(1)]。在一些实施例中，单列处理的表面形貌测量数据pstmi是通过逐行平均原始数据pstmi所产生的。在一些实施例中，使用第一扫描模式处理的表面形貌测量数据pstmi以h
mn
(k)、h
mn
(k-1)、
…hmn
(1)、h
m(n-1)
(k)、h
m(n-1)
(k-1)、
…hm(n-1)
(1)、
…hm1
(k)、h
m1
(k-1)、
…hm1
(1)的顺序在反向dr上产生。
[0063]
在一些实施例中，第m个带状区域304的二维原始测量数据rstmi包括第m个带状区域304中曝光场fd
mn
的每一个测量点处的高度(或厚度)轮廓和倾斜角(或斜率)轮廓中的至少一个，n＝1、2、
…
n，其中每一个曝光场fd
mn
与k
×
l样本的扫描粒度相关。在一些实施例中，第m个带状区域304的处理表面形貌测量数据pstmi包括沿着第m个带状区域304的曝光场fd
mn
的y轴的高度(或厚度)轮廓和倾斜角(或斜率)轮廓中的至少一种，n＝1、2、
…
n，其中每一个曝光场fd
mn
与沿着y轴的l个样本的扫描粒度相关。
[0064]
图3d和3e分别示出了根据本揭露各种实施例的在表面形貌测量操作的第二扫描模式中的水平传感器装置300的正视图和俯视图。可以在图2b所示的表面形貌测量操作204或216中采用第二扫描模式。水平传感器装置300对第二扫描模式的设置与第一扫描模式的设置类似，为简洁起见，不再赘述。在一些实施例中，在表面形貌测量操作204或216中采用第一扫描模式或第二扫描模式中的至少一或两者。
[0065]
在一些实施例中，在表面形貌测量操作的第二扫描模式期间，工件302和水平传感器装置300中的至少一个沿着y轴移动，以使工件302和水平传感器装置300之间沿着y轴进行相对移动。第二扫描模式与第一扫描模式的不同之处在于，在第二扫描模式下，工件302由第二晶片载台160沿着y轴以反向或等效地反向dr移动，以使工件302与水平传感器装置300之间进行相对移动。在一些实施例中，水平传感器300沿着y轴以正向移动，即正向df，以使工件302和水平传感器装置300之间进行相对移动。在第二扫描模式期间，材料层324的表
面从与底面302b相邻的底部曝光场扫描到与顶面302t相邻的顶部曝光场。
[0066]
参考图3c，类似于原始表面形貌测量数据rstm
l
，第二扫描模式下第m个带状区域304的原始表面形貌测量数据rstm2可以表示为rstm2＝[d
mn
；
…dm2
；d
m1
]。在一些实施例中，使用第一扫描模式获得的原始测量数据rstm2是通过依序扫描曝光场fd
m1
、fd
m2
、
…
fd
m(n-1)
、fd
mn
沿着正向df产生。因此，可以按照h
m1
(1)、h
m1
(2)、
…hm1
(k)、h
m2
(1)、h
m2
(2)、
…hm2
(k)、
…hmn
(1)、h
mn
(2)、
…hmn
(k)的顺序产生一维处理的表面形貌测量数据pstm2。
[0067]
如上文所描述的，水平传感器装置300和工件302之间的相对移动，以及由此产生的扫描路径，至少是由第二晶片载台160通过定位装置172的移动所导致的。在一些实施例中，第一扫描模式下的第一扫描路径经过材料层324的表面，与第二扫描模式下经过的第二扫描路径完全或仅部分重叠。在一些实施例中，在第一扫描模式下经过的第一扫描路径与在第二扫描模式下经过的第二扫描路径接近但不相同。第一扫描路径与第二扫描路径不同的原因可能是由于第二晶片载台160和定位装置172的零件的物理限制，其中限制可以包括但不限于零件的设计公差、老化、不同的操作条件等。因此，表面形貌测量数据rstm1或pstm1可能与表面形貌测量数据rstm2或pstm2不同。
[0068]
图4a和4b分别示出了根据本揭露各种实施例在曝光操作中的工件302的正视图和俯视图。图4a和4b中讨论的曝光操作可以类似于图2b中所示的曝光操作206或218。
[0069]
在曝光操作期间，工件302和水平传感器装置300中的至少一个沿着y轴移动，以使工件302和水平传感器装置300之间沿着y轴进行相对移动。在一些实施例中，工件302由第二晶片载台160沿着y轴沿正向或反向移动，以使工件302与水平传感器装置300之间进行相对移动。在一些实施例中，投影模块140沿着y轴正向或负向移动，以使工件302与投影模块140之间进行相对移动。
[0070]
在一些实施例中，工件302和投影模块140之间的相对移动使得辐射束ra根据扫描路径计划在正向df或反向dr上扫描工件302中的每一个曝光场。确定扫描路径计划以减少对连续曝光场fd的曝光操作之间的过渡时间。扫描路径计划可以根据一或多个因素来确定，例如，每一个曝光场fd的尺寸、工件122或124中曝光场fd的拓扑结构、以及每一个曝光场fd的曝光设置。在所描绘的示例中，根据示例性扫描路径计划，相邻的曝光场fd被分配有反向扫描方向df和dr，使得投影模块140可以移动到另一曝光场fd并以最小的过渡时间开始另一次曝光。在一些实施例中，工件302与投影模块140之间的相对移动是通过第二晶片载台160沿着第一扫描路径或第二扫描路径的移动来完成的，就像在第一扫描模式和第二扫描模式中用于执行表面形貌测量的那些一样。
[0071]
当辐射束ra准备好撞击目标曝光场fd时，提供表面形貌测量数据rstm1或pstm1以补偿曝光场fd的每一个曝光点中焦点深度(dof)和倾斜角的偏差。在一些实施例中，控制装置114经配置以为在正向df上曝光的曝光场fd提供表面形貌测量数据rstm2或pstm2，即表面形貌测量操作和曝光操作都沿着第二扫描路径执行，第二扫描路径遵循正向df。同样地，控制装置114经配置以为反向dr曝光的曝光场fd提供表面形貌测量数据rstm1或pstm1，即表面形貌测量操作和曝光操作都沿着第一扫描路径执行，第一扫描路径遵循反向dr。单独的表面形貌测量数据rstm1/pstm1或rstm2/pstm2可以帮助确定辐射束ra在每一个曝光场fd的不同曝光点处的dof轮廓或倾斜角轮廓。可以消除或减少由于测量操作和曝光操作之间不匹配的扫描路径导致的数据不匹配，从而可以使曝光性能更加准确和更有效率。
[0072]
图5示出了根据一些实施例的工件302或材料层324的阴影区的示意图。水平传感器装置300的两个发射器312a和312b被绘示为相对于垂直于工件302的表面或工件302的参考水平面的法线n1具有各个入射角α1和α2。为简洁起见，图5中省略了检测器314。
[0073]
如图5所示，随着工件302的移动，使工件302与发射器312a之间产生向前或向后的相对移动，感测光rm1以相同的入射角α1重复地发射和入射在材料层324的表面上。在一些实施例中，材料层324在感测光rm1的扫描路径中包括隆起部分hx，从而相对于发射器312a在隆起部分hx的背面周围产生感测光rm1的阴影区z1。由于在感测光rm1的图示下无法得到阴影区z1中的实际表面形貌，因此阴影区z1中的表面形貌测量结果可能会出现误差或失真。
[0074]
同样地，随着工件302移动，使工件302和发射器312b之间产生相对移动，感测光rm2以相同的入射角α2重复地发射和入射在材料层324的表面上。在一些实施例中，入射角α1和α2大体上相等。由于在感测光rm2的扫描路径过程中存在隆起部分hx，因此相对于发射器312b在隆起部分hx的背面周围产生阴影区z2。阴影区z2的表面形貌测量结果可能存在误差或失真。
[0075]
为了减少或消除在阴影区zl或z2中发现的测量误差，发射器312或检测器314被设置为使入射角α1和α2减小。参考图3a，入射角α1经配置以大体上等于或小于30度。在一些实施例中，入射角α1大体上等于或小于20度、大体上等于或小于10度、或大体上等于或小于5度。
[0076]
参考图3b，发射器312和检测器314沿着y轴以距离或间隔w1隔开。在一些实施例中，距离w1不大于一个曝光场fd沿着y轴测量的宽度l1。在一些实施例中，相邻水平传感器310的两个相邻发射器312或两个相邻检测器314沿着x轴以距离或间隔w2隔开。在一些实施例中，距离w2不大于一个曝光场fd沿着x轴测量的宽度l2。通过水平传感器310的距离或间隔值的设置，可以减小感测光rm的入射角α1。因此，可以减小阴影区z1或z2的面积。
[0077]
参考图5，需要注意的是，虽然感测光rm1无法成功测量阴影区z1的表面形貌，但从感测光rm2的角度来看，阴影区z1并没有被遮蔽。因此，在yz平面内从与感测光rm1相反的方向发射感测光rm2可有助于解决阴影区z1中的测量误差问题。同样，在yz平面内从与感测光rm2相反的方向发射感测光rm1可以帮助解决阴影区z2中的测量误差问题，如下文更详细地说明。
[0078]
图6a和6b示出了根据本揭露一些实施例在表面形貌测量操作的第三扫描模式中的水平传感器装置600的正视图，并且图6c示出了顶视图。图6a是沿着图6c的截面线aa截取的，图6b是沿着图6c的截面线bb截取的。在图2b所示的表面形貌测量操作204或216中可以采用第三扫描模式。图6a至图6c中所示的水平传感器装置600类似于图3a和3b中所示的水平传感器装置300，为简洁起见，不再重复类似方面的描述。
[0079]
水平传感器装置600包括设置于支撑结构320上的水平传感器610的阵列。水平传感器装置600与水平传感器装置300的不同之处在于水平传感器610的设置。在一些实施例中，水平传感器610阵列的发射器312以交错方式设置。同样地，水平传感器阵列610的检测器314以交错方式设置。
[0080]
在一些实施例中，水平传感器610阵列的发射器312与检测器314沿着x轴交替设置。在所描绘的实施例中，工件302包括彼此相邻的示例性带状区域304a和304b。水平传感
器装置600包括多个第一类型水平传感器310a和多个与第一类型水平传感器310a交替设置的第二类型水平传感器310b。发射器312a和检测器314a沿着y轴的顺序与发射器312b和检测器314b沿着y轴的顺序相反。各个水平传感器310a和310b的两个发射器312a和312b设置于由水平传感器310a和310b形成的正方形的第一对角线p1上，而各个水平传感器310a和310b的两个检测器314a和314b设置于正方形的另一对角线p2上。
[0081]
如图6a和6b所绘示，第一类型水平传感器310a从俯视角度沿着反向dr发射感测光rml，第二类型水平传感器310b从俯视角度沿着正向df发射感测光rm2。在一些实施例中，从俯视角度来看，相邻水平传感器310a和310b的感测光rm1和rm2沿着不同方向行进。参考图6c，从俯视角度看，感测光rm1和rm2沿着相反方向行进。
[0082]
在第三扫描模式期间，图6a至图6c中所示的每一个带状区域304(包括示例性带状区域304a和304b)的第三扫描路径与用于扫描图3a和3b中所示的每一个带状区域304的第一扫描路径相同。这是因为第一扫描模式和第三扫描模式下的相对移动是相同的，即由第二晶片载台160或水平传感器装置300或600执行。此外，奇数带状区域304(例如带状区域304a)在第三扫描模式下的表面形貌测量结果，可能与第一扫描模式下奇数带状区域304的表面形貌测量结果相似。然而，由于第二类型水平传感器310b发出的感测光rm2的行进方向与从俯视角度来看感测光rm1的行进方向不同，例如相反，偶数带状区域304(例如，带状区域304b)的表面形貌测量结果可能与在第一扫描模式下偶数带状区域304的表面形貌测量结果不同，至少在感测光rm1的潜在阴影区中。
[0083]
图6d和6e示出了根据本揭露一些实施例，在表面形貌测量操作的第四扫描模式中的水平传感器装置600的正视图，并且图6f示出了顶视图。图6d是沿着图6f的截面线aa截取的，图6e是沿着图6f的截面线bb截取的。在图2b所示的表面形貌测量操作204或216中可以采用第四扫描模式。
[0084]
在第四扫描模式下执行的表面形貌测量操作类似于在第三扫描模式下执行的，除了使用由第二类型水平传感器310b发射的感测光rm2扫描奇数带状区域304(例如，带状区域304a)之外，而偶数带状区域304(例如带状区域304b)则使用第一类型水平传感器310a所发出的感测光rm1执行扫描。结果是，通过第三扫描模式和第四扫描模式，每一个带状区域304被各个感测光rm1和rm2扫描两次。在一些实施例中，在第三扫描模式之后执行第四扫描模式，其中工件302和水平传感器装置600之间沿着x轴进行相对移动，使得奇数带状区域304(例如带状区域304a)与第二类型水平传感器610b对准，而偶数带状区域304(例如，带状区域304b)与第一类型水平传感器610a对准。在第三扫描模式和第四扫描模式的一下的阴影区的测量结果，可以通过第三扫描模式和第四扫描模式中的另一测量结果来进行补偿，从而为每一个带状区域304产生更新的测量结果。替代地或另外地，通过第三扫描模式和第四扫描模式获得的全体带状区域304的测量结果可以组合，例如通过平均操作，以产生全体各个带状区域304的更新测量结果。
[0085]
在一些实施例中，参考图3a、3b、3d和3e在第一扫描模式和第二扫描模式下使用水平传感器装置300执行的表面形貌测量，可以使用图6a至图6f中所示的水平传感器装置600来执行。例如，第一类型水平传感器610a与水平传感器310具有相同的配置；然而，第一类型水平传感器610a的数量仅为水平传感器310数量的一半。因此，通过执行使用水平传感器装置300执行的两次扫描过程，使用水平传感器装置600完成第一扫描模式或第二扫描模式。
[0086]
图7示出了根据一些实施例的光刻方法700的流程图。应当理解的是，对于方法700的另外的实施例，可以在图7所示的步骤之前、之中及之后提供另外的步骤，并且可以替换或消除以下描述的一些步骤。步骤的顺序可以互换。一些步骤可以同时或独立执行。
[0087]
在步骤702，提供第一工件到半导体设备的测量站。在步骤704，在测量站处对第一工件执行表面形貌测量操作以产生第一测量数据。在一些实施例中，第一测量数据包括第一工件的表面的厚度轮廓和倾斜角轮廓。在一些实施例中，根据参考图3a、3b、3d、3e、6a、6b、6c、6d、6e和6f所讨论的第一扫描模式、第二扫描模式、第三扫描模式和第四扫描模式中的至少一个产生第一测量数据。
[0088]
在步骤706，在表面形貌测量操作之后，将第一工件移动至半导体设备的曝光站。在步骤708，在曝光站执行光掩模对准操作。在步骤710，根据第一测量数据在曝光站对第一工件执行曝光操作。
[0089]
在步骤712，提供第二工件到半导体设备的测量站。在步骤714，在测量站处对第二工件执行表面形貌测量操作以产生第二测量数据。在一些实施例中，第二测量数据包括第二工件的表面的厚度轮廓和倾斜角轮廓。在一些实施例中，根据参考图3a、3b、3d、3e、6a、6b、6c、6d、6e和6f所讨论的第一扫描模式、第二扫描模式、第三扫描模式和第四扫描模式中的至少一个产生第二测量数据。在一些实施例中，步骤712和714与步骤708和710同时执行。
[0090]
在步骤716，在完成第一工件上的曝光操作和第二工件上的表面形貌测量操作之后，将第一工件与第二工件在曝光站和测量站之间交换。在一些实施例中，半导体设备包括第一晶片载台和第二晶片载台经配置以分别支撑和承载第一工件和第二工件。通过将第一晶片载台与第二晶片载台交换来执行交换操作。
[0091]
在步骤718，根据第二测量数据在曝光站对第二工件执行曝光操作。在步骤720，将第一工件从测量站或半导体设备移除。
[0092]
在步骤722，确定是否所有工件都完成。如果确定完成，在步骤724从半导体设备移除第二工件，以反应对第二工件的曝光操作的完成。不然，如果安排一或多个工件接受光刻操作，方法700可以循环回到步骤712以将另一工件提供到测量设备的测量站并且继续后续步骤直到完成所有工件。
[0093]
图8示出了根据一些实施例的光刻方法800的流程图。应当理解的是，对于方法800的另外的实施例，可以在图8所示的步骤之前、之中及之后提供另外的步骤，并且可以替换或消除以下描述的一些步骤。步骤的顺序可以互换。一些步骤可以同时或独立执行。
[0094]
在步骤802，将第一工件提供到半导体设备的测量站。在一些实施例中，步骤802对应于方法700的步骤702或步骤712。
[0095]
在一些实施例中，步骤804、806、808、810和812与方法700的步骤704或步骤714中所描述的表面形貌测量操作有关。在步骤804，对第一工件执行工件对准操作。在一些实施例中，工件对准操作包括调整第一工件的位置和方向。之后，执行步骤806、808、810和812中的一或多个步骤以在步骤704或714实现表面形貌测量操作，并产生原始测量数据。在步骤806，以第一感测光的第一扫描方向沿着第一扫描路径对第一工件执行第一扫描模式。在步骤808，以第一感测光的第一扫描方向沿着第二扫描路径对第一工件执行第二扫描模式。在一些实施例中，第一扫描路径可沿着反向，例如沿着y轴的负方向，而第二扫描路径可以沿着正向，例如沿着y轴的正方向。在一些实施例中，第一感测光的第一方向可以是反向，例如
沿着y轴的负方向。
[0096]
在步骤810，使用第一感测光及第二感测光对第一工件执行第三扫描模式，以分别在第一方向及第二方向扫描各个奇数及偶数带状区域。在第三扫描模式下用于所有带状区域的第三扫描路径可以沿着正向或反向。在一些实施例中，第二感测光的第二方向可以沿着正向。
[0097]
在步骤812，使用第一感测光及第二感测光对第一工件执行第四扫描模式，以分别在第一方向及第二方向扫描各个奇数及偶数带状区域。第四扫描模式下用于所有带状区域的第四扫描路径可以沿着正向或反向，但与第三条扫描路径的方向相反。
[0098]
在一些实施例中，可以按任何顺序连续执行步骤806、808、810和812。
[0099]
在步骤814，根据在第一、第二、第三和第四扫描模式中的至少一个模式下产生的原始测量数据，以产生处理的测量数据。在一些实施例中，结合第一扫描模式与第二扫描模式下产生的原始测量数据，以产生处理或更新的测量数据。在一些实施例中，结合第三扫描模式和第四模式下产生的原始测量数据以产生处理或更新的测量数据。在一些实施例中，将在第三扫描模式下产生的阴影区的原始测量数据替换为在第四扫描模式下产生的这种阴影区的原始测量数据，以产生处理或更新的测量数据。在一些实施例中，将在第四扫描模式下产生的阴影区的原始测量数据替换为在第三扫描模式下产生的这种阴影区的原始测量数据，以产生处理或更新的测量数据。
[0100]
在步骤816，根据原始测量数据或处理的测量数据产生第一工件的表面dof轮廓和表面倾斜角轮廓。在一些实施例中，表面dof轮廓是根据测量数据以比例方式或遵循线性方程产生的。在一些实施例中，表面dof轮廓是根据遵循非线性方程的测量数据产生的。例如，对于厚度轮廓中的某个厚度值大于预定值，确定所述厚度值可能不可靠，从而以小于其它厚度值的dof映射比率的比率映射到相应的dof值。
[0101]
在步骤818，根据表面dof轮廓和表面倾斜角轮廓，对第一工件执行曝光操作。用于曝光操作的辐射束的dof数据和倾斜角数据是根据表面dof轮廓和表面倾斜角轮廓来确定的。在一些实施例中，步骤816和步骤818对应于方法700的步骤710或步骤718。
[0102]
图9是根据一些实施例的用于实现光刻方法的系统900的示意图。系统900包括处理器901、网络接口903、输入及输出(i/o)装置905、存储体907、存储器909和总线908。总线908将网络接口903、i/o装置905、存储体907、存储器909和处理器901彼此耦合。
[0103]
处理器901可以对应于或被包括在控制装置114中。处理器901经配置以执行程序指令，所述程序指令经配置以执行参考本揭露的附图所描述和绘示的光刻方法中的步骤。在一些实施例中，处理器901经配置以控制表面形貌测量数据的感测、收集和处理。在一些实施例中，处理器901经配置以控制晶片载台、光掩模载台和水平传感器装置的对准和移动。
[0104]
网络接口903经配置以存取通过网络(本文未示出)远程存储的程序指令和由程序指令存取的数据。在一些实施例中，网络接口903将处理器901连接到光刻设备的零件。在一些实施例中，网络接口903将光刻设备连接到外部装置。
[0105]
i/o装置905包括输入装置和输出装置，其经配置以用于让使用者能够与系统900互动。在一些实施例中，输入装置包括例如键盘、滑鼠、轨迹球、触控板、指纹传感器等装置。此外，输出装置包括例如显示器、印表机和其它装置。
[0106]
存储装置907经配置以用于存储程序指令和数据，例如。由程序指令存取的表面形貌测量数据或其它控制数据。在一些实施例中，存储装置907包括非暂态计算机可读取媒体，例如磁盘和光盘。
[0107]
存储器909经配置以存储处理器901要执行的程序指令和程序指令存取的数据。在一些实施例中，存储器909包括随机存取存储器(ram)、一些其它易失性存储装置、只读存储器(rom)和一些其它非易失性存储装置的任意组合。
[0108]
本揭露一些实施例提供了一种方法。所述方法包括：提供工件到半导体设备，所述工件具有材料层，其中所述材料层包括沿着第一轴延伸的多个区域。沿着所述第一轴在第一方向上扫描所述工件以产生第一形貌测量数据；沿着所述第一轴在第二方向上扫描所述工件以产生第二形貌测量数据；及根据所述第一形貌测量数据与所述第二形貌测量数据对所述材料层执行曝光操作。
[0109]
本揭露一些实施例提供了一种方法。所述方法包括：提供工件到半导体设备，所述工件具有材料层，其中所述材料层包括多个曝光场；沿着第一轴在第一方向上扫描所述多个曝光场中的第一曝光场以产生第一形貌测量数据；沿着所述第一轴在第二方向上扫描所述多个曝光场中的第二曝光场以产生第二形貌测量数据；及分别根据所述第一形貌测量数据和所述第二形貌测量数据，以分别在所述第一方向和所述第二方向上曝光所述第一曝光场和所述第二曝光场。
[0110]
本揭露一些实施例提供了一种半导体设备。所述半导体设备包括载台，其经配置以支撑工件，所述工件具有材料层，及所述载台上方的水平传感器装置。所述半导体设备进一步包括控制单元，其经配置以：通过所述载台将所述工件移动到所述半导体设备的第一站；使所述载台与所述水平传感器装置之间进行第一相对移动，以沿着第一轴在第一方向上扫描所述工件以产生第一形貌测量数据；使所述载台与所述水平传感器装置之间进行第二相对移动，以沿着所述第一轴在第二方向上扫描所述工件以产生第二形貌测量数据；通过所述载台将所述工件移动到所述半导体设备的第二站；及根据所述第一形貌测量数据与所述第二形貌测量数据对所述材料层执行曝光操作。
[0111]
上文已概述若干实施例的特征，使得所属领域的技术人员可较佳理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可易于将本揭露用作设计或修改其它程序及结构以实施相同于本文中所引入的实施例的目的及/或达成相同于本文中所引入的实施例的优点的基础。所属领域的技术人员还应认识到，这些等效构建不应背离本揭露的精神及范围，并且其可在不背离本揭露的精神及范围的情况下对本文作出各种改变、替换及变更。
[0112]
符号说明
[0113]
100：光刻设备
[0114]
102：光束递送模块
[0115]
104：调节模块
[0116]
106：均匀性控制模块
[0117]
108：聚光器
[0118]
110：辐射源
[0119]
112：光掩模
[0120]
114：控制装置
[0121]
120：照明器
[0122]
122：工件
[0123]
124：工件
[0124]
128：位置传感器
[0125]
130：光掩模载台
[0126]
132：第一定位装置
[0127]
134a：第一轨道
[0128]
134b：第二轨道
[0129]
134c：第三轨道
[0130]
136a：滑动结构
[0131]
136b：滑动结构
[0132]
140：投影模块
[0133]
150：第一晶片载台
[0134]
152：水平传感器装置
[0135]
154：对准传感器
[0136]
156a：示例性水平传感器
[0137]
158：支撑结构
[0138]
160：第二晶片载台
[0139]
172：第二定位装置
[0140]
174a：第一轨道
[0141]
174b：第二轨道
[0142]
174c：第三轨道
[0143]
174d：第四轨道
[0144]
176a：滑动结构
[0145]
176b：滑动结构
[0146]
176c：滑动结构
[0147]
176d：滑动结构
[0148]
178：滑动结构
[0149]
202：晶片运输操作
[0150]
204：表面形貌测量操作
[0151]
206：曝光操作
[0152]
208：载台交换操作
[0153]
212：光掩模对准操作
[0154]
214：晶片运输操作
[0155]
216：表面形貌测量操作
[0156]
218：曝光操作
[0157]
300：水平传感器装置
[0158]
302：工件
[0159]
302t：顶面
[0160]
302b：底面
[0161]
304：带状区域
[0162]
304a：奇数带状区域
[0163]
304b：偶数带状区域
[0164]
310：水平传感器
[0165]
312：发射器
[0166]
312a：发射器
[0167]
312b：发射器
[0168]
314：检测器
[0169]
314a：检测器
[0170]
314b：检测器
[0171]
320：支撑结构
[0172]
322：衬底
[0173]
324：材料层
[0174]
610a：第一类型水平传感器
[0175]
610b：第二类型水平传感器
[0176]
700：过程
[0177]
702：步骤框
[0178]
704：步骤框
[0179]
706：步骤框
[0180]
708：步骤框
[0181]
710：步骤框
[0182]
712：步骤框
[0183]
714：步骤框
[0184]
716：步骤框
[0185]
718：步骤框
[0186]
720：步骤框
[0187]
722：步骤框
[0188]
722：步骤框
[0189]
800：过程
[0190]
802：步骤框
[0191]
804：步骤框
[0192]
806：步骤框
[0193]
808：步骤框
[0194]
810：步骤框
[0195]
812：步骤框
[0196]
814：步骤框
[0197]
816：步骤框
[0198]
818：步骤框
[0199]
900：系统
[0200]
901：处理器
[0201]
903：网络接口
[0202]
905：i/o装置
[0203]
907：存储体
[0204]
908：总线
[0205]
909：程序指令和程序指令存取的数据
[0206]
α1：入射角
[0207]
α2：入射角
[0208]
aa：截面线
[0209]
bb：截面线
[0210]
df：正向
[0211]
dr：反向
[0212]
fd：曝光场
[0213]
hx：隆起部分
[0214]
l1：宽度
[0215]
l2：宽度
[0216]
n1：法线
[0217]
p1：第一对角线
[0218]
p2：另一对角线
[0219]
ra：辐射束
[0220]
rm：感测光
[0221]
rm1：感测光
[0222]
rm2：感测光
[0223]
rstmi：原始测量数据
[0224]
pstmi：处理表面形貌测量数据
[0225]
se：曝光站
[0226]
sm：测量站
[0227]
t0：时刻
[0228]
t1：时刻
[0229]
t2：时刻
[0230]
t3：时刻
[0231]
t4：时刻
[0232]
t5：时刻
[0233]
t6：时刻
[0234]
w1：距离
[0235]
w2：距离
[0236]
z1：阴影区
[0237]
z2：阴影区。