一种α-钨酸亚锡薄膜及其制备方法与应用

技术特征：
1.一种α-钨酸亚锡薄膜的制备方法，其特征在于包括：在真空条件下使氧化钨薄膜与包含亚锡源的蒸汽流接触反应，从而制得α-钨酸亚锡薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：将所述氧化钨薄膜、亚锡源置于反应腔体中，并使所述反应腔体内形成真空环境，再使反应腔体内的温度升至300～550℃，以使所述亚锡源形成蒸汽流并与氧化钨薄膜接触反应，从而制得所述α-钨酸亚锡薄膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：在对所述反应腔体进行抽真空处理以形成所述真空环境之前，所述反应腔体内为无氧环境或惰性气体气氛；和/或，所述真空环境的气压为0～10pa；和/或，所述反应腔体中氧化钨薄膜与亚锡源的距离为0～10cm，优选为3～10cm；和/或，所述反应的时间为0.2～2h。4.根据权利要求i所述的制备方法，其特征在于：所述氧化钨薄膜包括wo3薄膜或含结晶水氧化钨薄膜；优选的，所述含结晶水氧化钨薄膜包括wo3·
h2o薄膜；优选的，所述氧化钨薄膜的厚度大于0且小于或等于200nm；和/或，所述亚锡源包括sncl2和/或snf2。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：采用水热法和/或热蒸镀法在基底表面制备氧化钨薄膜，从而获得wo3薄膜/基底或wo3·
h2o薄膜/基底；优选的，所述基底包括fto导电玻璃、硅片或钛片。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于还包括：将所述wo3薄膜/基底或wo3·
h2o薄膜/基底于300～600℃进行焙烧处理，获得wo3薄膜/基底。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：在所述的反应完成后，采用无机酸和水对所获反应产物进行清洗处理；优选的，所述无机酸包括稀盐酸、稀硝酸、稀硫酸中的任意一种或两种以上的组合。8.由权利要求1-7中任一项所述方法制备的α-钨酸亚锡薄膜；优选的，所述α-钨酸亚锡薄膜的间接带隙为1.9～2.1ev；优选的，所述α-钨酸亚锡薄膜的功函数为4.4～4.5ev；优选的，所述α-钨酸亚锡薄膜的厚度为200～800nm。9.权利要求8所述的α-钨酸亚锡薄膜于光电催化反应、光催化反应或制备气体传感器中的用途。10.一种n型半导体材料，其特征在于包含权利要求8所述的α-钨酸亚锡薄膜。

技术总结
本发明公开了一种α-钨酸亚锡薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：在真空条件下使氧化钨薄膜与包含亚锡源的蒸汽流接触反应，从而制得α-钨酸亚锡薄膜。本发明采用亚锡蒸气法制得α-钨酸亚锡薄膜的具有优异的光学带隙，能够较好的应用于光电催化、光催化或气体传感器等领域，同时本发明的亚锡蒸气法操作简单，成本低，能够实现大规模的商品化应用。能够实现大规模的商品化应用。能够实现大规模的商品化应用。


技术研发人员：况永波 朱帅汝 刘德宇
受保护的技术使用者：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
技术研发日：2021.08.17
技术公布日：2023/2/17