驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种驱动电路，包含有：一第一内部电路，包含有一第一缓冲器，用来接收一第一输入电压；以及一外部电路，耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该第一输入电压，产生一负载电压。2.如权利要求1所述的驱动电路，其中该第一内部电路另包含有：一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流；以及一互补式金属氧化物半导体，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路。3.如权利要求2所述的驱动电路，其中该第一内部电路另包含有：至少一阻抗单元，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该第一电晶体之间。4.如权利要求2所述的驱动电路，其中该第一内部电路另包含有：一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体cmos、该至少一阻抗单元及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作。5.如权利要求1所述的驱动电路，其中该外部电路另包含有：一电感器，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该电感器进行一放电运作；以及一二极体，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来降低流入该电感器的一电流的一变化速率。6.如权利要求5所述的驱动电路，其中该外部电路另包含有：一电容器，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来缓冲该第一电晶体的一闸极与该接地端之间的一闸极电压的一变化速率。7.如权利要求1所述的驱动电路，其中该驱动电路另包含有一第二内部电路，该第二内部电路包含有：一第二缓冲器，用来接收一第二输入电压；以及一阻抗单元，耦接于该第二缓冲器。8.如权利要求7所述的驱动电路，其中外部电路包含有：一第三电晶体，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第三电晶体进行一放电运作。9.如权利要求7所述的驱动电路，其中根据该第一输入电压及该第二输入电压，该外部电路产生该负载电压。

技术总结
本发明公开了一种驱动电路，包含有一第一内部电路及一外部电路。该第一内部电路包含有一第一缓冲器，用来接收一输入电压。该外部电路耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该输入电压，产生一负载电压。该第一内部电路另包含有一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流；一互补式金属氧化物半导体，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路；以及一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作。第二电晶体进行一放电运作。第二电晶体进行一放电运作。


技术研发人员：郑奕禧 张书铭
受保护的技术使用者：矽创电子股份有限公司
技术研发日：2021.08.06
技术公布日：2023/2/17