n型SnS薄膜、光电转换元件、太阳能电池、n型SnS薄膜的制备方法以及n型SnS薄膜的制备装置

技术特征：
1.一种n型sns薄膜，其平均厚度为0.100μm-10μm，在光子能量1.1ev下的吸收系数α
1.1
与在光子能量1.6ev下的吸收系数α
1.6
之比(α
1.1
/α
1.6
)为0.200以下，s含量与sn含量的原子比(s/sn)为0.85-1.10，具有n型传导性。2.根据权利要求1所述的n型sns薄膜，其中，在光子能量1.0ev下的吸收系数的绝对值为1.0
×
104cm-1
以下。3.根据权利要求1或2所述的n型sns薄膜，其中，含有0.002at％-0.2at％的卤素元素。4.根据权利要求3所述的n型sns薄膜，其中，所述卤素元素为cl、br和i中的任意一种以上。5.一种光电转换元件，其具有由权利要求1-4中任意一项所述的n型sns薄膜和p型sns薄膜构成的同质pn结。6.一种太阳能电池，其具有权利要求5所述的光电转换元件。7.一种n型sns薄膜的制备方法，其中，在原子状s和卤素元素存在下，通过真空成膜法成膜sns薄膜。8.根据权利要求7所述的n型sns薄膜的制备方法，其中，通过硫等离子体供给原子状s。9.根据权利要求7所述的n型sns薄膜的制备方法，其中，通过h2s供给原子状s。10.根据权利要求7-9中任意一项所述的n型sns薄膜的制备方法，其中，在成膜所述sns薄膜之前，通过对含有5at％-15at％的卤素元素的sns靶照射等离子体，来事先向制备装置内供给卤素元素。11.根据权利要求7-9中任意一项所述的n型sns薄膜的制备方法，其中，通过卤素气体向所述sns薄膜内供给卤素元素。12.根据权利要求7-9中任意一项所述的n型sns薄膜的制备方法，其中，通过将含有0.01at％-3at％的卤素元素的sns靶用于所述sns薄膜的成膜，来供给卤素元素。13.一种n型sns薄膜的制备装置，其使用权利要求7-12中任意一项所述的制备方法。

技术总结
本发明提供一种n型SnS薄膜，该n型SnS薄膜的平均厚度为0.100μm-10μm，在光子能量1.1eV下的吸收系数α


技术研发人员：铃木一誓 川西咲子 柳博
受保护的技术使用者：国立大学法人山梨大学
技术研发日：2021.05.06
技术公布日：2023/2/13