量子点修饰制备环境稳定的全无机钙钛矿太阳能电池方法

1.本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法。


背景技术：

2.目前，有机－无机杂化钙钛矿太阳能电池(oihpsc)拥有极高的光电转化效率，受到新能源领域的广泛的关注，然而构筑oihpsc的核心组分—有机阳离子配体是极易挥发的，导致这类电池的环境稳定性较差，极大地阻碍了它们的实际应用。全无机钙钛矿太阳能电池(cspbi2br-psc)不含挥发性有机物，拥有优异的光学特性和结构稳定性，是制备太阳能电池吸光层的理想材料。但是这类材料容易被水汽侵蚀以及均较高的缺陷态密度，导致其光电转换效率和在环境中的运行稳定性依然难以满足商业化光伏行业的需求，因此提高全无机钙钛矿电池的效率和耐水性能是非常重要的。
3.通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：现有的装置在实际的使用过程中全无机钙钛矿太阳能电池cspbi2br-psc效率低，不耐水侵蚀。


技术实现要素：

4.针对现有技术存在的问题，本发明提供了量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法。
5.本发明是这样实现的，一种量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法具体包括：以金属颗粒膜作为阴极，w掺杂的nb2o5颗粒膜作为电子传输层，量子点修饰的cspbi2br膜作为太阳能电池的吸光层，cu掺杂的nio颗粒膜作为空穴传输层，集成了导电涂层的高透光率支撑体材料作为正极和基底，制备叠层太阳能电池。
6.步骤一：cspbb3量子点分散体系的配制；
7.步骤二：全无机钙钛矿光吸收层—cspbi2前驱体的配置；
8.步骤三：衬底的裁剪和清洗；
9.步骤四：在衬底上沉积cu掺杂的nio空穴传输层；
10.步骤五：在上述步骤四中制备的经沉积了空穴传输层的衬底表面先后旋涂一层cspbi2br前驱体和一层cspbb3量子点分散液，在旋涂过程中，衬底始终保持40-160℃，有助于全无机钙钛矿吸光层的预结晶以及量子点配位修饰，旋涂结束后，将衬底转移至加热台退火后制备量子点修饰的全无机钙钛矿吸收层；
11.步骤六：在步骤五中已经制备了吸收层的衬底表面沉积w掺杂的nb2o5电子传输层，所述电子传输层和空穴传输层的厚度均在20-100nm之间；
12.步骤七：在步骤六中已经制备好电子传输层的衬底表面沉积一层金属膜作为阴极；
13.步骤八：在步骤七已经制备好了阴极的裁切为尺寸和形状合适的器件，并最终一次性退火，增加各功能层之间的连接，保证电子在它们之间的自由传输，退火后的样品即为
全无机钙钛矿太阳能电池。
14.进一步，所述步骤一和步骤二中量子点分散体系和全无机钙钛矿吸光层前驱体溶液的制备在无氧环境中进行，且它们的制备间隔时间要短，尽量同时制备，避免存放时间不同影响它们分散体系的均匀性。
15.进一步，所述步骤四和步骤六中cu和w的掺杂量可以通过控制沉积速率来调控，提升电子和空穴的迁移效率。沉积的方式可以是激光脉冲，双光源电子束沉积，原子层沉积或热蒸镀等方式。
16.进一步，所述涂吸光层所选取的cspbb3分散体系和cspbi2br前驱体尽量是新鲜配制的，旋涂机转速保持在1500-5000转/分钟，以保证修饰吸光层的均匀性，退火温度在200℃以下，退火时间在30分钟到2小时之间；最终量子点与吸光层的摩尔比控制在0.02-0.006：1，吸光层的厚度在500-2000纳米。
17.进一步，所述步骤七中金属膜电极采用原子层沉积法来制备的厚度控制在20-300nm之间，组分为金、银、铜、钛等中的一种或多种的组合。
18.进一步，所述步骤八器件在惰性气氛下退火，温度为250-500℃，退火时间控制在1小时左右，退火过程中进一步将吸光层中可挥发性有机物除尽。
19.本发明另一目的在于提供量子点修饰制备环境稳定的全无机钙钛矿太阳能电池，包括：叠层结构的衬底层，空穴传输层，吸光层，电子传输层以及阴极；其特征在于，全无机钙钛矿吸光层的上表面修饰生长一层尺寸小于10纳米的无机量子点层，该量子点层的组分为单分散的cspbb3量子点。
20.所述的吸光层为全无机钙钛矿cspbi2br，表面的修饰层为预先制备的量子点材料，量子点材料与吸光层材料之间并不是简单的涂敷包裹，量子点层在吸光层反应生长后增大了吸光层颗粒尺寸的同时降低了吸光层的缺陷密度。
21.衬底层包括ito石英玻璃，fto石英玻璃，蓝宝石，导电高分子涂敷的pc膜，衬底层同时集成了太阳能电池阳极，衬底层应具有较高的光通量和导电性。
22.空穴传输层是蒸镀法在导电衬底表面沉积的组分和比例可调控的cu掺杂的nio膜；电子传输层为沉积在吸光层表面的组分和比例可调控的w掺杂nb2o5膜；阴极为稳定的导电膜，其组分为金，银，钛，钼，铝，铂，铜等中的一种或组合。
23.空穴传输层和电子传输层的厚度，以及它们的颗粒尺寸都是可调控的，这可以通过沉积速率，沉积时间以及沉积方式来实现的。沉积方式可以是电子束沉积，激光脉冲沉积，磁控溅射沉积，热蒸镀沉积等。
24.量子点修饰的吸光层通过旋涂后加热的方式将cspbi2br前驱体整合到空穴传输层，通过控制悬浊液的浓度调控吸光层的厚度，控制加热温度调控吸光层颗粒的结晶度。
25.cspbi2br前驱体一般为悬浊液，溶剂是dmf，dmso，四氢呋喃等易挥发的有机溶剂，便于在后续的加热过程中挥发，形成致密的全无机吸收层。
26.同样通过旋涂的方式将cspbb3量子点均匀地包覆在cspbi2br颗粒表面，通过后续的热处理，进一步诱导制备颗粒尺寸大，缺陷密度小的吸光层。
27.旋涂所用的cspbb3量子点同样是分散液的形式，溶剂为正己烷，正己烯等极易挥发且残留物少的有机溶剂。
28.cspbb3量子点层的厚度可调控的，这是控制量子点溶液的浓度来实现。
29.钙钛矿太阳能电池所有功能部件构造的过程都很少涉及有机物，最终的器件实现了无有机成分，该太阳能电池是全无机钙钛矿太阳能电池。
30.量子点修饰制备环境稳定的全无机钙钛矿太阳能电池为叠层结构，各功能层的厚度依次为：集成阳极的衬底层，用于支撑的基材层厚度0.1-0.5mm，阳极层厚度250-400nm；空穴传输层，20-100nm；量子点修饰的全无机钙钛矿吸光层，总厚度500-2000nm；电子传输层20-100nm，阴极20-300nm。
31.本发明的另一目的在于提供一种由所述量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法制备的全无机钙钛矿太阳能电池。
32.本发明的另一目的在于提供一种无人机，所述无人机上安装有所述的全无机钙钛矿太阳能电池。
33.结合上述的技术方案和解决的技术问题，本发明所要保护的技术方案所具备的优点及积极效果为：
34.第一、针对上述现有技术存在的技术问题以及解决该问题的难度，紧密结合本发明的所要保护的技术方案以及研发过程中结果和数据等，详细、深刻地分析本发明技术方案如何解决的技术问题，解决问题之后带来的一些具备创造性的技术效果。具体描述如下：
35.本发明实施例量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法，通过在cspbi2br颗粒膜表面生长一层cspbb3量子点，可以有效地阻隔水分子的侵入，提高cspbi2br的耐水性能。同时我们量子点以分散液的形式预先附着在cspbi2br表面，可以保证其均匀地分布，通过后续地退火过程，诱导cspbi2br粒子的尺寸增大，降低缺陷密度，最终提高吸光层的光吸收和电子空穴对分离。而且在热处理的过程，吸光层内部的有机会挥发性溶液得到了充分的挥发，保证了吸光层的全无机属性，进一步提高了它的耐热稳定性。量子点和cspbi2br整合成为完整的吸光层，可以减少电子空穴对分离过程的空间位阻和界面阻碍，进一步提升光电效率。
36.第二，把技术方案看做一个整体或者从产品的角度，本发明所要保护的技术方案具备的技术效果和优点，具体描述如下：
37.本发明实施例量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法，通过量子点修饰后的即生长在了cspbi2br表面，在吸光层表面形成了一层致密的阻水层，起到隔绝环境中水分的作用，这一功能可以极大地提升电池在环境中的运行稳定性。此外，量子点修饰cspbi2br后，可以提高cspbi2br粒子地尺寸，降低缺陷态密度，这就提升了光生电子空穴对地分离和迁移，提升光电转换效率。
附图说明
38.图1是本发明实施例提供的量子点修饰后全无机钙钛矿吸光层的扫面电镜图；
39.图2是本发明实施例提供的全无机钙钛矿电池的测试曲线图；
40.图3是本发明实施例提供的全无机钙钛矿电池暴露在空气中8小时内光学照片；
41.图4是本发明实施例提供的全无机钙钛矿电池暴露在空气中60小时内的光电转化效率的保持率。
42.图5是本发明实施例提供的全无机钙钛矿结构图。
具体实施方式
43.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
44.为了使本领域技术人员充分了解本发明如何具体实现，该部分是对权利要求技术方案进行展开说明的解释说明实施例。
45.如图1－图4所示，本发明实施例提供的量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法设置有：
46.步骤一：cspbb3量子点分散体系的配制；
47.步骤二：全无机钙钛矿光吸收层—cspbi2前驱体的配置；
48.步骤三：衬底的裁剪和清洗；
49.步骤四：在衬底上沉积cu掺杂的nio空穴传输层；
50.步骤五：在上述步骤四中制备的经沉积了空穴传输层的衬底表面先后旋涂一层cspbi2br前驱体和一层cspbb3量子点分散液，在旋涂过程中，衬底始终保持40-160℃，有助于全无机钙钛矿吸光层的预结晶以及量子点配位修饰，旋涂结束后，将衬底转移至加热台退火后制备量子点修饰的全无机钙钛矿吸收层；
51.步骤六：在步骤五中已经制备了吸收层的衬底表面沉积w掺杂的nb2o5电子传输层，所述电子传输层和空穴传输层的厚度均在20-100nm之间；
52.步骤七：在步骤六中已经制备好电子传输层的衬底表面沉积一层金属膜作为阴极；
53.步骤八：在步骤七已经制备好了阴极的裁切为尺寸和形状合适的器件，并最终一次性退火，增加各功能层之间的连接，保证电子在它们之间的自由传输，退火后的样品即为全无机钙钛矿太阳能电池。
54.进一步，所述步骤一和步骤二中量子点分散体系和全无机钙钛矿吸光层前驱体溶液的制备在无氧环境中进行，且它们的制备间隔时间要短，尽量同时制备，避免存放时间不同影响它们分散体系的均匀性。
55.进一步，所述步骤四和步骤六中cu和w的掺杂量可以通过控制沉积速率来调控，提升电子和空穴的迁移效率。沉积的方式可以是激光脉冲，双光源电子束沉积，原子层沉积或热蒸镀等方式。
56.进一步，所述涂吸光层所选取的cspbb3分散体系和cspbi2br前驱体尽量是新鲜配制的，旋涂机转速保持在1500-5000转/分钟，以保证修饰吸光层的均匀性，退火温度在200℃以下，退火时间在30分钟到2小时之间；最终量子点与吸光层的摩尔比控制在0.02-0.006：1，吸光层的厚度在500-2000纳米。
57.进一步，所述步骤七中金属膜电极采用原子层沉积法来制备的厚度控制在20-300nm之间，组分为金、银、铜、钛等中的一种或多种的组合。
58.进一步，所述步骤八器件在惰性气氛下退火，温度为250-500℃，退火时间控制在1小时左右，退火过程中进一步将吸光层中可挥发性有机物除尽。
59.本发明另一目的在于提供量子点修饰制备环境稳定的全无机钙钛矿太阳能电池包括：叠层结构的衬底层，空穴传输层，吸光层，电子传输层以及阴极；全无机钙钛矿吸光层
的上表面修饰生长一层尺寸小于10纳米的无机量子点层，该量子点层的组分为单分散的cspbb3量子点。
60.所述的吸光层为全无机钙钛矿cspbi2br，表面的修饰层为预先制备的量子点材料，量子点材料与吸光层材料之间并不是简单的涂敷包裹，量子点层在吸光层反应生长后增大了吸光层颗粒尺寸的同时降低了吸光层的缺陷密度。
61.衬底层包括但不限于ito石英玻璃，fto石英玻璃，蓝宝石，导电高分子涂敷的pc膜，衬底层同时集成了太阳能电池阳极，衬底层应具有较高的光通量和导电性。
62.空穴传输层是蒸镀法在导电衬底表面沉积的组分和比例可调控的cu掺杂的nio膜；电子传输层为沉积在吸光涂层表面的组分和比例可调控的w掺杂nb2o5膜；阴极为稳定的导电膜，其组分为金，银，钛，钼，铝，铂，铜等中的一种或组合。
63.空穴传输层和电子传输层的厚度，以及它们的颗粒尺寸都是可调控的，这可以通过沉积速率，沉积时间以及沉积方式来实现的。沉积方式可以是电子束沉积，激光脉冲沉积，磁控溅射沉积，热蒸镀沉积等。
64.量子点修饰的吸光层通过旋涂后加热的方式将cspbi2br前驱体整合到空穴传输层，通过控制悬浊液的浓度调控吸光层的厚度，控制加热温度调控吸光层颗粒的结晶度。
65.cspbi2br前驱体一般为悬浊液，溶剂是dmf，dmso，四氢呋喃等易挥发的有机溶剂，便于在后续的加热过程中挥发，形成致密的全无机吸收层。
66.同样通过旋涂的方式将cspbb3量子点均匀地包覆在cspbi2br颗粒表面，通过后续的热处理，进一步诱导制备颗粒尺寸大，缺陷密度小的吸光层。
67.旋涂所用的cspbb3量子点同样是分散液的形式，溶剂为正己烷，正己烯等极易挥发且残留物少的有机溶剂。
68.cspbb3量子点层的厚度可调控的，这是控制量子点溶液的浓度来实现。
69.钙钛矿太阳能电池所有功能部件构造的过程都很少涉及有机物，最终的器件实现了无有机成分，该太阳能电池是全无机钙钛矿太阳能电池。
70.量子点修饰制备环境稳定的全无机钙钛矿太阳能电池为叠层结构，各功能层的厚度依次为：集成阳极的衬底层，用于支撑的基材层厚度0.1-0.5mm，阳极层厚度250-400nm；空穴传输层，20-100nm；量子点修饰的全无机钙钛矿吸光层，总厚度500-2000nm；电子传输层20-100nm，阴极20-300nm。
71.实施例1：
72.(1)：取采用表面活性剂型洗涤剂、乙醇、去离子水、丙酮等清洗尺寸1*1cm ito石英玻璃一片，结束后将其置于丙酮中待用。
73.(2)：精确称量276mg碘化铅(pbi2)，220mg溴化铅(pbbr2)以及310mg碘化铯(csi)置于1ml二甲基亚砜(dmso)中磁力搅拌24小时，得到cspbi2br前驱体。
74.(3)：称取85mg溴化铯(csbr)和146mg碘化铅(pbi2)加入1ml油酸(oa)，0.5ml油胺(oam)以及10ml二甲基甲酰胺(dmf)的混合液后磁力搅拌成均一的分散液；取上述分散液1ml逐滴加入搅拌着的10ml甲苯(tol)中，并持续搅拌10分钟；而后向分散液中加入20ml体积比为1：1的乙酸乙酯/乙酸甲酯溶剂中，静止后离心，底部沉淀即为浓缩的cspbb3量子点分散体系；最后将浓缩的量子点加入5ml正己烷(n-hexane)中配置10mg/ml的量子点溶液。
75.(4)：采用双光源电子束沉积仪在衬底上沉积空穴传输层。取步骤一洗净的ito石
英玻璃固定在样品台上，并将nio和cuo颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，分别控制它们的沉积速率在得到厚度为30nm的cu掺杂nio(cu/nio)薄膜即为空穴传输层。
76.(5)：将步骤四沉积了空穴传输层的ito石英玻璃固定在旋涂仪上，取80μl步骤二制备的cspbi2br前驱体滴涂在cu/nio表面，旋涂转速控制在3000转每分钟，旋涂时间30s后转移至温度为50℃的加热台上，预结晶10分钟得到cspbi2br吸光层的中间体。
77.(6)：将步骤四处理的样品重新转移至旋涂仪上，取60μl步骤三制备的cspbb3量子点分散体系分散液滴涂在步骤四制备样品的吸光层中间体表面，速率控制在2000转每秒，旋涂40s后转移至温度为100℃的加热台上加热30分钟，促进吸光层结晶以及溶剂的挥发。最后得到cspbb3量子点修饰的全无机钙钛矿cspbi2br吸光层。
78.(7)：采用双光源电子束沉积仪制备电子传输层。将步骤六制备的样品固定在样品台上，并将wo3和nb2o5颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，分别控制它们的沉积速率在在样品的沉积吸光层厚度为30nm的w掺杂nb2o5(w/nb2o5)薄膜即为电子传输层。
79.(8)：采用双光源电子束沉积仪制备阴极。将步骤七制备的样品固定在样品台上，并将ag颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，控制沉积速率在在样品的沉积吸光层厚度为10nm的ag层即为阴极。
80.(9)：将步骤一至八制备的拥有多种功能层的ito石英玻璃置于氩气氛围的管式炉中，在300℃下退火火1小时，将各功能层转化为晶态材料，并进一步除掉吸附在样品表面的有机物。最后得到的器件即为量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池。
81.实施例2：
82.(1)：取采用表面活性剂型洗涤剂、乙醇、去离子水、丙酮等清洗尺寸10*10cm ito石英玻璃一片，结束后将其置于丙酮中待用。
83.(2)：精确称量276mg碘化铅(pbi2)，220mg溴化铅(pbbr2)以及310mg碘化铯(csi)置于1ml二甲基亚砜(dmso)中磁力搅拌24小时，得到cspbi2br前驱体。
84.(3)：称取85mg溴化铯(csbr)和146mg碘化铅(pbi2)加入1ml油酸(oa)，0.5ml油胺(oam)以及10ml二甲基甲酰胺(dmf)的混合液后磁力搅拌成均一的分散液；取上述分散液1ml逐滴加入搅拌着的10ml甲苯(tol)中，并持续搅拌10分钟；而后向分散液中加入20ml体积比为1：1的乙酸乙酯/乙酸甲酯溶剂中，静止后离心，底部沉淀即为浓缩的cspbb3量子点分散体系；最后将浓缩的量子点加入5ml正己烷(n-hexane)中配置10mg/ml的量子点溶液。
85.(4)：采用双光源电子束沉积仪在衬底上沉积空穴传输层。取步骤一洗净的ito石英玻璃固定在样品台上，并将nio和cuo颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，分别控制它们的沉积速率在得到厚度为30nm的cu掺杂nio(cu/nio)薄膜即为空穴传输层。
86.(5)：将步骤四沉积了空穴传输层的ito石英玻璃固定在旋涂仪上，取0.1ml步骤二制备的cspbi2br前驱体滴涂在cu/nio表面，旋涂转速控制在3000转每分钟，旋涂时间30s后转移至温度为50℃的加热台上，预结晶15分钟得到cspbi2br吸光层的中间体。
87.(6)：将步骤四处理的样品重新转移至旋涂仪上，取0.07ml步骤三制备的cspbb3量子点分散体系分散液滴涂在步骤四制备样品的吸光层中间体表面，速率控制在2000转每秒，旋涂40s后转移至温度为100℃的加热台上加热40分钟，促进吸光层结晶以及溶剂的挥
发。最后得到cspbb3量子点修饰的全无机钙钛矿cspbi2br吸光层。
88.(7)：采用双光源电子束沉积仪制备电子传输层。将步骤六制备的样品固定在样品台上，并将wo3和nb2o5颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，分别控制它们的沉积速率在在样品的沉积吸光层厚度为30nm的w掺杂nb2o5(w/nb2o5)薄膜即为电子传输层。
89.(8)：采用双光源电子束沉积仪制备阴极。将步骤七制备的样品固定在样品台上，并将ag颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，控制沉积速率在在样品的沉积吸光层厚度为10nm的ag层即为阴极。
90.(9)：将步骤一至八制备的拥有多种功能层的ito石英玻璃置于氩气氛围的管式炉中，在300℃下退火1.2小时，将各功能层转化为晶态材料，最后得到的器件即为量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池。
91.实施例3：
92.(1)：取采用表面活性剂型洗涤剂、乙醇、去离子水、丙酮等清洗尺寸10*10cm ito石英玻璃一片，结束后将其置于丙酮中待用。
93.(2)：精确称量557mg碘化铅(pbi2)，450mg溴化铅(pbbr2)以及630mg碘化铯(csi)置于2ml二甲基亚砜(dmso)中磁力搅拌24小时，得到cspbi2br前驱体。
94.(3)：称取170mg溴化铯(csbr)和146mg碘化铅(pbi2)加入2ml油酸(oa)，1ml油胺(oam)以及20ml二甲基甲酰胺(dmf)的混合液后磁力搅拌成均一的分散液；取上述分散液1ml逐滴加入搅拌着的20ml甲苯(tol)中，并持续搅拌10分钟；而后向分散液中加入20ml体积比为1：1的乙酸乙酯/乙酸甲酯溶剂中，静止后离心，底部沉淀即为浓缩的cspbb3量子点分散体系；最后将浓缩的量子点加入5ml正己烷(n-hexane)中配置10mg/ml的量子点溶液。
95.(4)：采用双光源电子束沉积仪在衬底上沉积空穴传输层。取步骤一洗净的ito石英玻璃固定在样品台上，并将nio和cuo颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，分别控制它们的沉积速率在得到厚度为30nm的cu掺杂nio(cu/nio)薄膜即为空穴传输层。
96.(5)：将步骤四沉积了空穴传输层的ito石英玻璃固定在旋涂仪上，取1ml步骤二制备的cspbi2br前驱体滴涂在cu/nio表面，旋涂转速控制在3000转每分钟，旋涂时间30s后转移至温度为50℃的加热台上，预结晶15分钟得到cspbi2br吸光层的中间体。
97.(6)：将步骤四处理的样品重新转移至旋涂仪上，取0.08ml步骤三制备的cspbb3量子点分散体系分散液滴涂在步骤四制备样品的吸光层中间体表面，速率控制在2000转每秒，旋涂40s后转移至温度为100℃的加热台上加热50分钟，促进吸光层结晶以及溶剂的挥发。最后得到cspbb3量子点修饰的全无机钙钛矿cspbi2br吸光层。
98.(7)：采用双光源电子束沉积仪制备电子传输层。将步骤六制备的样品固定在样品台上，并将wo3和nb2o5颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，分别控制它们的沉积速率在在样品的沉积吸光层厚度为30nm的w掺杂nb2o5(w/nb2o5)薄膜即为电子传输层。
99.(8)：采用双光源电子束沉积仪制备阴极。将步骤七制备的样品固定在样品台上，并将ag颗粒置于对应的坩埚中，抽真空后设定程序，控制沉积速率在在样品的沉积吸光层厚度为10nm的ag层即为阴极。
100.(9)：将步骤一至八制备的拥有多种功能层的ito石英玻璃置于氩气氛围的管式炉中，在280℃下退火2小时，最后得到的器件即为量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池。
101.为了证明本发明的技术方案的创造性和技术价值，该部分是对权利要求技术方案进行具体产品上或相关技术上的应用实施例。
102.本发明实施例量子点修饰制备全无机钙钛矿太阳能电池的方法，应用在有机－无机杂化钙钛矿太阳能电池制造中。
103.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所做的做的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。