一种降低电压的ITO高温退火方法与流程

技术特征：
1.一种降低电压的ito高温退火方法，其特征在于，包括如下步骤：s1：将ito置入腔体；s2：将腔体温度上升至480-520度，保温400-500s，同时使用n2去置换腔体内原先存在的气体；s3：关闭腔体保温，继续使用n2去置换腔体内原先存在的气体，保持40-80s，使腔体温度下降到380-420度；s4：从腔体中取出ito，得到高温退火后的ito。2.根据权利要求1所述的降低电压的ito高温退火方法，其特征在于，还包括s1和s2之间的步骤s1.1；s1.1：在18-22s内将腔体温度上升至190-210度。3.根据权利要求2所述的降低电压的ito高温退火方法，其特征在于，还包括s1.1和s2之间的步骤s1.2；s1.2：保温腔体温度190-210度60-80s。4.根据权利要求3所述的降低电压的ito高温退火方法，其特征在于，所述s2的“将腔体温度上升至480-520度”具体为：用50-60s将腔体温度从s1.2的190-210度加热到480-520度。5.根据权利要求1所述的降低电压的ito高温退火方法，其特征在于，所述s2的“继续使用n2去置换腔体内原先存在的气体”具体为使腔体内原先存在的气体以1-2sccm的速率被抽取出，并对腔体注入1-2sccm的n2。6.根据权利要求1所述的降低电压的ito高温退火方法，其特征在于，所述s3的“继续使用n2去置换腔体内原先存在的气体”具体为使腔体内原先存在的气体以1-2sccm的速率被抽取出，并对腔体注入1-2sccm的n2。

技术总结
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种降低电压的ITO高温退火方法，包括如下步骤：S1：将ITO置入腔体；S2：将腔体温度上升至480-520度，保温400-500S，同时使用N2去置换腔体内原先存在的气体；S3：关闭腔体保温，继续使用N2去置换腔体内原先存在的气体，保持40-80S，使腔体温度下降到380-420度。本发明的有益效果在于：腔体内的氧含量降低，并使ITO中的氧离子发生化学反应。1个氧离子失去两个电子形成0.5个氧分子挥发，并留下一个氧空位。S2和S3的温度还使ITO晶化程度趋于完整，使ITO的面电阻降低。故本发明提供的降低电压的ITO高温退火方法，增加ITO中的游离电子，降低ITO的面电阻，提高了LED的发光效率。LED的发光效率。


技术研发人员：尚大可 李刚 林武 李文浩 林静
受保护的技术使用者：福建兆元光电有限公司
技术研发日：2022.10.11
技术公布日：2023/2/3