一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构包括：基板，所述基板具有上表面、下表面及连接上、下表面的侧表面，所述上、下表面镀有金属层作为电极；led芯片，设置在该基板的上表面之上，并电连接所述电极；封装罩体，覆盖于所述led芯片、 所述基板的上表面、侧表面及下表面，形成包覆结构。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板具有凹槽结构，该凹槽结构设置于所述支架的上表面和/或下表面和/或侧表面。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装罩体覆盖所述凹槽结构。4.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述凹槽结构的纵切面呈l型或者矩形或者三角形或者梯形或者弧形或者其他多边形。5.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的凹槽结构的表面粗糙度大于所述基板的非凹槽区域的表面粗糙度。6.根据权利要求 3所述的发光二极管封装结构， 其特征在于：设置于所述支架的上表面与下表面的凹槽结构为完全错位或者部分错 。7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的上表面或者下表面或者侧表面粗糙度≥0.2μm。8.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：定义d为位于所述支架的侧表面的封装罩体的最薄处的距离，则d在20μm~500μm之间。9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装结构尺寸的边长小于1. 5mm， 厚度小于1mm。10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装罩体选用含氟树脂。

技术总结
一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法，包括：提供支架、LED芯片以及封装罩体，该LED芯片设在支架上，于支架上设有凹槽结构及非凹槽区域，封装罩体选用含氟树脂，该含氟树脂覆盖LED芯片、支架的上表面以及凹槽结构。采用含氟树脂作为封装罩体，并于支架上表面和/或侧表面和/或下表面形成凹槽结构，增强含氟树脂与支架的结合力。树脂与支架的结合力。树脂与支架的结合力。


技术研发人员：涂建斌 廖燕秋 时军朋 黄永特 赵志伟 徐宸科
受保护的技术使用者：厦门市三安光电科技有限公司
技术研发日：2018.09.04
技术公布日：2023/1/31