光掩膜版及其制作方法与流程

1.本技术涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能防止静电产生的光掩膜版及其制作方法。


背景技术：

2.光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
3.现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
4.但是随着微影技术的极限被推向了制造采用深亚微米节点技术的器件，光掩膜技术面临着极大的挑战。光掩膜版的品质与性能必须能在更高端的复杂技术环境中维持下去，包括图形尺寸精度：绝对精度、cd均匀性、cd线形等。然而在进行光刻的过程中，光掩膜版中不透光的遮蔽图形的四周边缘，会发生光的散射，折射等现象，光量子散开，向定义的不透光区域移动，影响了光刻胶层中形成的光刻图形的精度。


技术实现要素：

5.本技术一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
6.提供透明基板；
7.刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；
8.在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。
9.在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。
10.在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平时，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽以及覆盖所述透明基板的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形。
11.在一些实施例中，在形成第一沟槽后，还包括：沿所述第一沟槽的底部四周刻蚀继续刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通，且所述环形的第二沟槽位于所述第一沟槽的底部四周下方；在所述第一沟槽和环形的第二沟槽中填充满不透光材料，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形底部四周连接的环形的深沟槽结构，所
述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。
12.在一些实施例中，所述第一沟槽在所述环形的第二沟槽之前形成或者在所述环形的第二沟槽之后形成。
13.在一些实施例中，在形成第一沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第一图形化的掩膜层，所述第一图形化的掩膜层具有暴露出所述透明基板的部分表面的若干第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽。
14.在一些实施例中，在形成环形的第二沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第二图形化的掩膜层，所述第二图形化的掩膜层具有暴露出所述第一沟槽底部四周表面的环形的第二开口；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽。
15.在一些实施例中，所述不透光材料的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
16.在一些实施例中，所述第一沟槽的深度为50nm-1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um-2.5um。
17.在一些实施例中，还包括：在所述透明基板边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架；在所述环形框架的顶部表面形成封闭所述环形框架内空间的保护膜。
18.本技术一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
19.透明基板；
20.位于所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；
21.填充满所述第一沟槽的遮蔽图形。
22.在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。
23.在一些实施例中，还包括：位于所述第一沟槽的底部四周下方的透明基板中环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通；位于所述第一沟槽中的遮蔽图形；位于所述环形的第二沟槽中的环形的深沟槽结构，所述环形的深沟槽结构与所述遮蔽图形底部四周连接，所述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。
24.在一些实施例中，所述遮蔽图形和深沟槽结构的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
25.在一些实施例中，所述第一沟槽的深度为50nm-1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um-2.5um。
26.在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板边缘区域表面上的绕所述遮蔽图形
的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面的封闭所述环形框架内空间的保护膜。
27.本技术前述一些实施例中的光掩膜版的形成方法，提供透明基板后，刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。本技术形成的遮蔽图形位于第一沟槽中，即遮蔽图形深入所述透明基板中遮蔽图形的厚度能较厚，当曝光光线透过透明基板入射到遮蔽图形的边缘时，能防止或减少发生光的散射和/或折射等现象，能防止或减少曝光光线向遮蔽图形底部的不透光区域，提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本技术的遮蔽图形由于深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。
28.进一步，在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽以及覆盖所述透明基板的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形。采用这种方式形成遮蔽图形时，由于不需要采用刻蚀工艺刻蚀所述遮蔽图形薄膜，因而形成的遮蔽图形的尺寸不会受到刻蚀设备(遮蔽图形薄膜的刻蚀需要用到特定的刻蚀设备)的刻蚀能力的限制，可以形成较小尺寸的遮蔽图形。
29.进一步，在一些实施例中，在形成第一沟槽后，还包括：沿所述第一沟槽的底部四周刻蚀继续刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通，且所述环形的第二沟槽位于所述第一沟槽的底部四周下方；在所述第一沟槽和环形的第二沟槽中填充满不透光材料，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形底部四周连接的环形的深沟槽结构，所述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。由于环形的深沟槽结构的存在，环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动，即所述环形的深沟槽结构能将曝光光线约束在相邻遮蔽图形之间的透光区域内，使得曝光光线不会因为遮蔽图形边缘的散射和/或折射现象，到达遮蔽图形底部的不透光区域内，从而进一步提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本技术的遮蔽图形和深沟槽结构为一体结构，且均深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。
附图说明
30.图1-图7为本技术一些实施例中光掩膜版制作过程的结构示意图。
具体实施方式
31.下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在详述本技术实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
32.本技术一些实施例首先提供了一种光掩膜版的制作方法，下面结合附图对光掩膜版制作过程进行详细的描述。
33.参考图1，提供透明基板201。
34.所述透明基板201作为光掩模版的载体，所述透明基板201的材质为透光的材质，所述透明基板201的透光率大于90％。在一些实施例中所述透明基板201的材料可以为石英玻璃或苏打玻璃。在其他一些实施例中，所述透明基板201的材料还可以为熔融硅石(fused silica)、氟化钙、氮化硅、氧化钛合金、蓝宝石。
35.在一些实施例中，所述透明基板201包括中间区域21和环绕所述中间区域21的边缘区域22，所述中间区域21可以呈方形或圆形或其他合适的形状，所述边缘区域22呈环形，环绕所述中间区域21。所述中间区域21中用于形成遮蔽图形(或遮光图形)202，所述中间区域21上还可以用于形成相移层，所述边缘区域22上后续用于形成环形框架。
36.参考图2，刻蚀所述透明基板201，在所述透明基板201中形成若干分立的第一沟槽207。
37.所述第一沟槽207中后续用于形成遮蔽图形。所述第一沟槽207的数量至少为一个。
38.所述第一沟槽207的形状与需要形成的遮蔽图形的形状相同。在一些实施例中，所述第一沟槽207的形状包括方形、矩形、多边形(大于4条边)或其他规则或不规则图形。
39.在一些实施例中，在形成第一沟槽207之前，在所述透明基板201表面上形成第一图形化的掩膜层(图中未示出)，所述第一图形化的掩膜层具有暴露出所述透明基板201的部分表面的若干第一开口，所述第一开口的形状与后续形成的第一沟槽的形成对应；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述透明基板201，在所述透明基板201中形成若干分立的第一沟槽207。
40.刻蚀所述透明基板201采用各项异性的干法刻蚀工艺，包括各项异性的等离子体刻蚀工艺，以使得形成的第一沟槽207的侧壁具有平坦的表面，后续在第一沟槽207中形成遮蔽图形时，使得遮蔽图形的四周侧壁与透明基板的交界面具有平坦的表面，从而可以减少遮蔽图形侧面的光的折射和/或衍射，从而提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌，提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本技术的遮蔽图形深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。
41.本技术中，后续在所述第一沟槽207中形成遮蔽图形，即本技术形成的遮蔽图形是深入所述透明基板201中遮蔽图形的厚度能较厚，当曝光光线透过透明基板入射到遮蔽图形的边缘时，能防止或减少发生光的散射和/或折射等现象，能防止或减少曝光光线向遮蔽图形底部的不透光区域。在一些实施例中，所述第一沟槽207的深度为50nm-1000nm。
42.在一些实施例中，请参考图3，在形成第一沟槽207后，还包括：沿所述第一沟槽207的底部四周刻蚀继续刻蚀所述透明基板201，在所述透明基板201中形成环形的第二沟槽208，所述环形的第二沟槽208与所述第一沟槽207的底部四周连通，且所述环形的第二沟槽208位于所述第一沟槽207的底部四周下方。
43.所述环形的第二沟槽208呈“环形”。所述环形的第二沟槽208的深度大于所述第一沟槽207的深度，所述环形的第二沟槽208的宽度远小于所述第一沟槽的宽度，且所述环形的第二沟槽208的外围侧壁与所述第一沟槽207的侧壁在竖直方向上齐平。
44.所述环形的第二沟槽208中后续形成环形的深沟槽结构，环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动，即所述环形的深沟槽结构能将曝光光线约束在相邻遮蔽图形之间的透光区域内，使得曝光光线不会因为遮蔽图形边缘的散射和/或折射现象，到达遮蔽图形底部的不透光区域内，从而进一步提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本技术的遮蔽图形和深沟槽结构为一体结构，且均深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。
45.在一些实施例中，所述形成的所述第一沟槽207的深度为50nm-1000nm，所述环形的第二沟槽208的深度为1.5um-2.5um，所述环形的第二沟槽208的宽度小于所述第一沟槽207的宽度，所述环形的第二沟槽208的宽度为10nm-300nm。需要说明的是，第一沟槽207的深度为第一沟槽207底部到透明基板201上表面的距离，所述第二沟槽208的深度为第二沟槽208底部到透明基板201上表面的距离。
46.本实施中，所述第一沟槽207在所述环形的第二沟槽208之前形成。在其他实施中，所述第一沟槽207也可以在所述环形的第二沟槽208之后形成，即先刻蚀所述透明基板201，在所述透明基板201中形成的环形的第二沟槽208；然后刻蚀去除环形的第二沟槽208之间的部分厚度的透明基板201，形成第一沟槽207，所述第一沟槽207的底部四周与所述环形的第二沟槽208连通，且所述环形的第二沟槽208位于所述第一沟槽207的底部四周下方。
47.在一些实施例中，在形成环形的第二沟槽208之前，在所述透明基板201表面上形成第二图形化的掩膜层(图中未示出)，所述第二图形化的掩膜层具有暴露出所述第一沟槽207底部四周表面的环形的第二开口(当先形成环形的第二沟槽208时，所述环形的第二开口暴露出所述透明基板201的部分表面)；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀所述透明基板201，在所述透明基板201中形成环形的第二沟槽208。
48.参考图4，图4在图2的基础上进行，在所述第一沟槽207(参考图2)中填充满不透光材料，形成遮蔽图形202。
49.本技术形成的遮蔽图形202位于第一沟槽207中，即遮蔽图形202深入所述透明基板201中遮蔽图形的厚度能较厚，当曝光光线透过透明基板入射到遮蔽图形的边缘时，能防止或减少发生光的散射和/或折射等现象，能防止或减少曝光光线向遮蔽图形底部的不透光区域，提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本技术的遮蔽图形深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。在一些实施例中，所述遮蔽图形202在所述透明基板201中的厚度为50nm-1000nm。
50.所述形成的遮蔽图形202的顶部表面与所述透明基板201的表面(上表面)齐平或者高于所述透明基板201的表面(上表面)。
51.本技术中，所述遮蔽图形202的顶部表面与所述透明基板201的表面齐平，所述遮蔽图形202的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽207以及覆盖所述透明基板201的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形202。采用这种方式形成遮蔽图形202时，由于不需要采用刻蚀工艺刻蚀所述遮蔽图形薄膜，因而形成的遮蔽图形202的尺寸不会受到刻蚀设备(遮蔽图
形薄膜的刻蚀需要用到特定的刻蚀设备)的刻蚀能力的限制，可以形成较小尺寸的遮蔽图形。
52.在其他实施例中，当所述形成的遮蔽图形的顶部表面高于所述透明基板201的表面时，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽207以及覆盖所述透明基板201的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺平坦化所述遮蔽图形薄膜的表面；在所述平坦化后的遮蔽图形薄膜的表面上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述第一沟槽外侧上不需要的遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，所述遮蔽图形的表面凸出与所述透明基板201的表面。
53.在一些实施例中，所述不透光材料(或遮蔽图形薄膜)的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
54.在另一实施例中，参考图5，图5在图3的基础上进行，在所述第一沟槽207(参考图3)和环形的第二沟槽208(参考图3)中填充满不透光材料，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形202，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形202底部四周连接的环形的深沟槽结构209，所述环形的深沟槽结构209用于防止曝光光线在所述遮蔽图形202的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形202底部的不透光区域移动。
55.本技术中，由于环形的深沟槽结构209的存在，环形的深沟槽结构209用于防止曝光光线在所述遮蔽图形202的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形202底部的不透光区域移动，即所述环形的深沟槽结构209能将曝光光线约束在相邻遮蔽图形之间的透光区域内，使得曝光光线不会因为遮蔽图形边缘的散射和/或折射现象，到达遮蔽图形202底部的不透光区域内，从而进一步提高了曝光后光刻胶层(采用本技术的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本技术的遮蔽图形和深沟槽结构为一体结构，且均深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。
56.在一些实施例中，所述形成的所述遮蔽图形202底部的深度为50nm-1000nm，所述环形的深沟槽结构209底部的深度为1.5um-2.5um，所述环形的深沟槽结构209的宽度小于所述遮蔽图形202的宽度，所述环形的深沟槽结构209的宽度为10nm-300nm。
57.本技术中，所述遮蔽图形202的顶部表面与所述透明基板201的表面齐平，所述遮蔽图形202的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽207、环形的第二沟槽208以及覆盖所述透明基板201的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板201的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形202，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形202底部四周连接的环形的深沟槽结构209。采用这种方式形成遮蔽图形202时，由于不需要采用刻蚀工艺刻蚀所述遮蔽图形薄膜，因而形成的遮蔽图形202的尺寸不会受到刻蚀设备(遮蔽图形薄膜的刻蚀需要用到特定的刻蚀设备)的刻蚀能力的限制，可以形成较小尺寸的遮蔽图形。
58.在其他实施例中，当所述形成的遮蔽图形的顶部表面高于所述透明基板201的表面时，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽207、环形的第二沟槽208以
及覆盖所述透明基板201的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺平坦化所述遮蔽图形薄膜的表面；在所述平坦化后的遮蔽图形薄膜的表面上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述第一沟槽外侧上不需要的遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形底部四周连接的环形的深沟槽结构，所述遮蔽图形的表面凸出与所述透明基板201的表面。
59.在一些实施例中，所述不透光材料(或遮蔽图形薄膜)的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
60.本技术前述步骤中，所述遮蔽图形202和环形的深沟槽结构209可以在同步工艺中形成，节省了工艺步骤。在其他实施例中，可以先在透明基板201中形成遮蔽图形，然后在遮蔽图形202周围的透明基板中形成环形的深沟槽结构209。
61.在一些实施例中，在形成遮蔽图形202之后，在所述透明基板201的中间区域21表面以及遮蔽图形202表面上还可以形成相移层，所述相移层用于改变入射至基板内的曝光光线的相位，以提高曝光时的分辨率。所述相移层的材料为mosi或mosion。
62.在一些实施例中，参考图6或图7，还包括：在所述透明基板201边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形202的环形框架204；在所述环形框架204的顶部表面形成封闭所述环形框架204内空间的保护膜206。
63.所述环形框架204用于支撑后续形成的保护膜，通过所述环形框架204与和后续形成的保护膜可以将光掩膜版201上的遮蔽图形202和光掩膜版201的中间区域表面与外部环境隔离，防止外部环境的污染。
64.所述环形框架204呈中空的环形，所述环形框架204的材料为具有一定机械强度的材料。在一些实施例中，所述环形框架204的材料为铝。在其他一些实施例中，所述环形框架204的材料可以为铝合金、陶瓷、碳钢或其他合适的金属材料或非金属材料。
65.在一些实施例中，所述环形框架204通过粘附层203粘附在所述透明基板的边缘区域。
66.所述粘附层203的材料为有机粘合剂，在一些实施例中，所述有机粘合剂为橡胶粘合剂、聚氨酯粘合剂、丙烯酸粘合剂、sebs(苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯)粘合剂、seps(苯乙烯乙烯丙烯苯乙烯)粘合剂或硅氧烷粘合剂。
67.所述保护膜206的材料为透光材料。
68.本技术一些实施例中还提供了一种光掩膜版，参考6，包括：
69.透明基板201；
70.位于所述透明基板201中形成若干分立的第一沟槽；
71.填充满所述第一沟槽的遮蔽图形202。
72.在一些实施例中，所述遮蔽图形202的顶部表面与所述透明基板201的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。
73.在一些实施例中，参考图7，还包括：位于所述第一沟槽的底部四周下方的透明基板中环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽连通；位于所述第一沟槽中的
遮蔽图形202；位于所述环形的第二沟槽中的环形的深沟槽结构209，所述环形的深沟槽结构209与所述遮蔽图形202底部四周连接的，所述环形的深沟槽结构209用于防止曝光光线在所述遮蔽图形202的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形202底部的不透光区域移动。
74.在一些实施例中，所述遮蔽图形202和所述环形的深沟槽结构209的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
75.在一些实施例中，所述第一沟槽的深度为50nm-1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um-2.5um。
76.在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板201边缘区域表面上的绕所述遮蔽图形202的环形框架204；位于所述环形框架204的顶部表面的封闭所述环形框架204内空间的保护膜206。
77.需要说明的是，本技术光掩膜版的一些实施例中与前述光掩膜版形成方法的一些实施例中相同或相似部分的限定或描述在此不再赘述，具体请参考前述光掩膜版形成方法的一些实施例中相应部分的限定或描述。
78.本技术虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本技术，任何本领域技术人员在不脱离本技术的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本技术技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本技术技术方案的保护范围。